连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于半导体产业等的三氯氢硅气化供给装置。本发明专利技术的三氯氢硅气化供给装置包括：蒸发器1，具备作为载气的氢气的导入口3，还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置16；冷凝器2，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气体凝结的冷却装置20；冷凝器的精密温度控制机构及精密压力调节机构5，其中，蒸发器的中心线和冷凝器的中心线不在同一线上，且冷凝器的下端和蒸发器的下端通过管道13、14连通。另外，控制过程中，使被调节浓度的三氯氢硅·氢气混合气体总送气流量和蒸发器内液体三氯氢硅17的温度比例联动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体产业等中所使用的用于产生原料的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置及连续蒸馏式三氯氢硅气化方法。
技术介绍
硅外延晶片及使用它的集成设备等的制造工序中会用到三氯氢硅(SiHCl3、沸点31.8℃)、四氯硅烷(SiCl4、沸点57.6℃)、四氯化锗(GeCl4、沸点84℃)，这些物质在常温下为液态，通常是气化后再被利用。上述制造工序中用到的一种三氯氢硅消费设备，其包括：原料气体导入手段、红外线灯等热源、切断外部空气的石英玻璃制反应容器、气体排气手段。反应容器内具有涂有SiC的碳制基座，硅晶片被放置在该基座的上面。该硅晶片连同基座一起被红外线灯等外部热源加热到既定温度并保持。预先气化的三氯氢硅和作为载气的氢气及控制电阻用掺杂气体一起通过保持高温并旋转的碳制基座上面的硅晶片表面。此时，因热分解反应及氢还原反应，在硅晶片上形成新的硅层。这就是所谓的硅外延晶片，用于IC为首的许多硅设备中。三氯氢硅在常温下为液体，三氯氢硅的气化方法中用到连续蒸馏式三氯氢...

【技术保护点】
一种连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置，包括：一蒸发器，具备作为载气的氢气的导入口，还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置；和一冷凝器，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气体凝结的冷却装置；其特征在于:该蒸发器的中心线和该冷凝器的中心线不在同一线上，且该冷凝器的下端和该蒸发器的下端，通过管道连通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.26 JP JP2013-1556571.一种连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置，包括：
一蒸发器，具备作为载气的氢气的导入口，还具有使液体三氯氢硅气化的
加热装置；和
一冷凝器，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的
温度使气体凝结的冷却装置；
其特征在于:
该蒸发器的中心线和该冷凝器的中心线不在同一线上，且该冷凝器的下端
和该蒸发器的下端，通过管道连通。
2.如权利要求1所述的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置，其特征在于，
该连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置进一步包括该冷凝器的精密温度控制机构
及该冷凝器的精密压力调节机构。
3.如权利要求1所述的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置，其特征在于，
该冷凝器具有对...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸谷新治，
申请(专利权)人：化工技术边界股份有限公司，外延班组股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP