气体分配设备与具有该气体分配设备的基板处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种气体喷射设备与包括该气体喷射设备的基板处理设备，这样能够将处理气体均匀地注入至和多个气体喷射孔相连通的多个气体流动通道中。根据本发明专利技术的气体喷射设备包括：主体，包括与用于喷射处理气体的多个气体喷射孔相连接的多个气体流动通道；以及一个或更多个气体注入模块，耦接至所述主体的至少一个侧表面以分别与所述多个气体流动通道相连通，其中所述气体注入模块能够初次缓冲从外部供给的处理气体，以及第二次缓冲初次缓冲后的处理气体，从而将缓冲后的处理气体注入至多个气体流动通道中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种气体分配设备与具有该气体分配设备的基板处理设备。
技术介绍
通常，为了制造太阳能电池、半导体装置以及平板显示装置，必须在基板的表面上形成预定的薄膜层。因此，可以进行半导体制造工艺，例如，在基板上沉积预定材料的薄膜的薄膜沉积工艺；通过使用光敏材料选择性地曝光薄膜的感光工艺；以及通过选择性地去除薄膜的曝光部分来形成图案的蚀刻工艺。这种半导体制造工艺在设计成适合于最佳情况的基板处理设备内部执行。近来，一种使用等离子体的基板处理设备通常用于进行沉积或蚀刻工艺。使用等离子体的这种半导体制造工艺可以为PECVD(等离子体增强化学气相沉积，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)设备，其中PECVD设备可以使用将气体引入至腔室内部的气体分配设备。气体分配设备通过在面板状主体中形成的多个气体分配孔，将各种处理气体(processinggas)分配到基板的表面上。通常，考虑对处理气体的可加工性和反应性，气体分配设备可以由铝形成。如图1所示，现有技术的气体分配设备可以包括：面板状主体10；多个气体通路20，通过使用钻机的机械作业在主体10内部沿主体10的预定方向以固定间隔形成多个孔，并且通过焊接22密封每个孔的两端而被设置；以及多个气体分配孔30，分别与多个气体通路20相连接且形成为垂直于主体10的底表面。在这种现有技术的气体分配设备中，通过气体供给管40注入到多个气体通路20的每一个的中心中的处理气体通过多个气体分配孔30向下分配。在现有技术的气体分配设备的情况下，处理气体注入到多个气体通路20的每一个中，从而难以实现处理气体均匀注入至多个气体通路20中。此外，多个气体通路20的每一个的两端通过焊接永久地密封，从而难以清洁气体通路20和气体分配孔30。
技术实现思路
技术问题因此，本专利技术在于提供一种气体分配设备与具有该气体分配设备的基板处理设备，从而消除由于现有技术的限制及缺点所产生的一个或多个问题。本专利技术的一方面在于提供一种气体分配设备与具有该气体分配设备的基板处理设备，从而能够将处理气体均匀地注入至和多个气体分配孔相连通的多个气体通路中。本专利技术的另一方面在于提供一种气体分配设备与具有所述气体分配设备的基板处理设备，从而能够有利于清洁多个气体分配孔和多个气体通路。本专利技术其他的优点和特征将在如下的描述中部分地加以阐述，并且本专利技术其他的优点和特征对于本领域的普通技术人员来说，可以通过本专利技术如下的说明得以部分地理解或者可以从本专利技术的实践中得出。技术方案为了获得本专利技术目的的这些和其他优点，正如本文具体化和概括性的描述，提供一种气体分配设备，包括：主体，具有多个气体通路，所述气体通路与用于分配处理气体的多个气体分配孔相连接；以及至少一个气体注入模块，与主体的至少一个侧表面相连接且分别所述多个气体通路相连通，其中所述气体注入模块包括：第一气体缓冲空间，用于第一次缓冲从外部供给的处理气体；以及第二气体缓冲空间，用于第二次缓冲在第一气体缓冲空间中第一次缓冲的处理气体，并且将第二次缓冲后的处理气体注入至这些气体通路中。在本专利技术的另一方面中，提供的一种基板处理设备，所述基板处理设备可以包括：处理室；腔室盖，用于覆盖所述处理室的顶部；基板支撑装置，用于支撑基板，所述基板支撑装置设置于所述处理室的内部；以及气体分配装置，面对所述基板支撑装置，所述气体分配装置与所述腔室盖的底表面相连接，其中所述气体分配装置包括上述的气体分配设备。有益效果根据本专利技术，处理气体被均匀注射到多个气体通路，使得能够容易地清洁多个气体通路和多个气体分配孔。另外，处理气体被均匀分配到基板的表面，从而允许均匀的基板处理。附图说明图1为示出了现有技术的气体分配设备的剖视图；图2为示出了根据本专利技术第一实施例的气体分配设备的后透视图；图3为沿图2的I-I′线的垂直剖视图；图4为沿图2的II-II′线的水平剖视图；图5为用于解释图4中所示的多个连通孔的剖视图；图6示出了在根据本专利技术第一实施例的气体分配设备中的处理气体的流动；图7示出了根据本专利技术第二实施例的气体分配设备；图8为用于解释图7中所示的气体注入孔的剖视图；图9示出了根据本专利技术第二实施例的气体分配设备的修改例；图10示出了根据本专利技术第三实施例的气体分配设备；图11示出了根据本专利技术第四实施例的气体分配设备；图12示出了根据本专利技术第四实施例的气体分配设备的修改例；图13示出了根据本专利技术第五实施例的气体分配设备的后透视图；图14为沿图13的III-III′线的垂直剖视图；图15为沿图13的IV-IV′线的水平剖视图；以及图16为根据本专利技术实施例的基板处理设备的剖视图。具体实施方式在说明本专利技术的实施例时，应理解关于术语的下列细节。单数表达的术语如果在上下文中没有具体的定义，则应理解为包括单数表达以及多种表达。如果使用术语例如“第一”或“第二”，则表示将任何一种组件与其他组件相区分。因此，权利要求范围不受这些术语的限制。此外，应当理解的是，术语例如“包括”或“具有”并不排除一个或多个特征、数目、步骤、操作、组件、部件或它们组合的存在或可能性。应所述理解的是，术语“至少一个”包括与任何一个项目相关的所有组合。例如，“第一组件、第二组件以及第三组件中的至少一个”可以包括从第一组件、第二组件以及第三组件中选择的两个或更多个组件的所有组合，以及第一组件、第二组件以及第三组件中每一组件。此外，如果提及第一组件定位于第二结构“上或上方”，则应所述理解的是，第一组件和第二组件可以彼此相接触，或者第三组件可以位于第一组件和第二元件之间。在下文中，将参考附图描述根据本专利技术的用于分配气体的设备(下文中，称为“气体分配设备”)，以及具有所述气体分配设备的基板处理设备。图2为示出了根据本专利技术第一实施例的气体分配设备的后透视图。图3为沿图2的I-I′线的垂直剖视图，以及图4为沿图2的II-II′线的水平剖视图。参见图2至图4，根据本专利技术第一实施例的气体分配设备100可以包括主体110、第一气体注入模块120a以及第二气体注入模块120b。主体110可以由具有预定厚度的面板状金属材料，例如铝或铝合金形成。主体110可拆卸地设置于用于覆盖处理室(未示出)的顶部的腔室盖的底表面中，从而主体110面对设置于所述处理室的底表面上的基板支撑装置(未示出)。主体110上设置有多个气体通路111和多个气体分配孔113。多个气体通路111在主体110的内部以固定的间隔平行于水平方向(X)或垂直方向(Y)来设置。例如，多个气体通路111可以通过经深钻孔(gundrilling)加工而从主体110的一个表面至另一个表面穿透主体110而形成多个孔来设置。在此，处理气体从第一及第二气体注入模块120a及120b注入到多个气体通路111中。多个气体分配孔113以固定间隔垂直地形成于主体110的后表面上，并且分别与多个气体通路111相连通。在恒定的压力下，多个气体分配孔113向下分配注入到多个气体通路111中的处理气体。多个气体分配孔113可以包括至少一个分配喷嘴以最优化处理气体的分配区域、处理气体的分配角度以及处理气体的分配量中至少一个。根据本专利技术的一个实施例的多个气体分配孔113中的每一个可以形成为筒状，所述筒状的直径比气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体分配设备，包括：主体，包括多个气体通路，所述多个气体通路与用于分配处理气体的多个气体分配孔相连接；以及至少一个气体注入模块，与所述主体的至少一个侧表面相连接且分别与所述多个气体通路相连通，其中，所述气体注入模块包括：第一气体缓冲空间，用于第一次缓冲从外部供给的所述处理气体；以及第二气体缓冲空间，用于第二次缓冲在所述第一气体缓冲空间中第一次缓冲后的所述处理气体，并且将第二次缓冲后的所述处理气体注入至所述多个气体通路中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.11 KR 10-2014-00436321.一种气体分配设备，包括：主体，包括多个气体通路，所述多个气体通路与用于分配处理气体的多个气体分配孔相连接；以及至少一个气体注入模块，与所述主体的至少一个侧表面相连接且分别与所述多个气体通路相连通，其中，所述气体注入模块包括：第一气体缓冲空间，用于第一次缓冲从外部供给的所述处理气体；以及第二气体缓冲空间，用于第二次缓冲在所述第一气体缓冲空间中第一次缓冲后的所述处理气体，并且将第二次缓冲后的所述处理气体注入至所述多个气体通路中。2.如权利要求1所述的设备，其中，所述气体注入模块包括：第一气体缓冲件，设置有与至少一个气体供给管相连通的所述第一气体缓冲空间，并且与所述主体的一个侧表面相连接；以及第二气体缓冲件，与所述第一气体缓冲空间相连通，并且设置有与所述多个气体通路相连通的所述第二气体缓冲空间。3.如权利要求2所述的设备，其中，所述气体注入模块进一步包括密封件，所述密封件用于密封在所述第一气体缓冲件与所述主体的所述侧表面之间的空间。4.如权利要求2所述的设备，其中，所述第二气体缓冲件设置有与所述第一气体缓冲空间相连通的多个连通孔。5.如权利要求4所述的设备，其中，所述多个连通孔的每一个的直径相对于所述主体的所述侧表面的纵向方向从所述主体的中心向所述主体的两端逐渐增大。6.如权利要求4所述的设备，其中，相邻的所述连通孔的每一个的中心之间的间隔相对于所述主体的所述侧表面的纵向方向从所述主体的中心向所述主体的两端逐渐减小。7.如权利要求2所述的设备，其中，所述气体注入模块进一步包括气体注入件，所述气体注入件布置于所述第二气体缓冲件的内侧，并且与所述主体的所述侧表面相连接以便覆盖与所述第二气体缓冲空间相连通的所述多个气体通路，并且所述气体注入件设置有多个气体注入孔，所述多个气体注入孔用于将在所述第二气体缓冲空间中第二次缓冲后的所述处理气体注入至所述多个气体通路中。8.如权利要求7所述的设备，其中，所述气体注入孔比所述气体通路小。9.如权利要求7所述的设备，其中，所述多个气体注入孔的每一个的直径相对于所述主体的所述侧表面的纵向方向从所述主体的中心向所述主体的两端逐渐增大。10.如权利要求7所述的设备，其中，所述主体的所述侧表面设置有插入槽，所述气体注入件插入到所述插入槽中，并且所述气体注入件在可拆卸地设置于所述插入槽中的同时插入至所述插入槽中且与所述插入槽相连接。11.如权利要求2所述的设备，其中，所述多个气体通路分组为多个气体通路组，其中，每一个气体通路组包括相邻的两个或更多个气体通路，并且所述第二气体缓冲件包括多个组缓冲件，所述多个组缓冲件第二次缓冲从所述第一气体缓冲空间供给的所述处理气体且将第二次缓冲后的所述处理气体注入至所述多个气体通路组中。12.如权利要求1所述的设备，其中，所述气体注入模块包括：第一气体注入模块，与所述主体的一个侧表面相连接，其中，所述第一气体注入模块包括第一气体缓冲空间和第二气体缓冲空间，所述第一气体缓冲空间和所述第二气体缓冲空间用于将第一处理气体注入至所述多个气体通路之中的一些气体通路中，以及第二气体注入模块，与在所述主体的一个侧表面的相对侧的所述主体的另一个侧表面相连接，其中，所述第二气体注入模块包括第一气体缓冲空间和第二气体缓冲空间，所述第一气体缓冲空间和所述第二气体缓冲空间用于将与所述第一处理气体相同或不相同的第二处理气体注入至所述多个气体通路之中其余的气体通路中。13.如权利要求12所述的设备，其中，所述多个气体通路之中的一些气体通路的每一个的一侧与所述第一气体注入模块的所述第二气体缓冲空间相连通，并且所述一些气体通路的每一个的另一侧是封闭的，并且所述多个气体通路之中的其余的气体通路的每一个的一侧是封闭的，并且所述其余的气体通路的每一个的另一侧与所述第二气体注入模块的所述第二气体缓冲空间相连通。14.如权利要求12所述的设备，其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁锡彻，金映录，韩钟国，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR