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本发明提供一种用于半导体产业等的三氯氢硅气化供给装置。本发明的三氯氢硅气化供给装置包括：蒸发器1，具备作为载气的氢气的导入口3，还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置16；冷凝器2，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气...该专利属于化工技术边界股份有限公司;外延班组股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过化工技术边界股份有限公司;外延班组股份有限公司授权不得商用。