【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种提高多孔硅纵向物理结构均匀性的新方法。
技术介绍
1956年，Uhlir对Si片在HF溶液中进行电化学抛光处理时就发现了多孔硅的存在，多孔硅的各种性能与其微孔的多少、大小和分布密切相关。由于多孔硅特殊的物理特性、光学特性及电学特性等，如具有很高的电阻率106Ω.cm、较低的折射率(1.1-3.1)及其发光特性。迄今为止，多孔硅主要应用在电发光器件、传感器、介质膜和生物学上的应用等。1990年，Canham发现多孔硅在室温下发出可见光，为多孔硅研究打开了新的纪元。多孔硅材料要进入实用阶段，制备出微孔分布均匀、孔径及孔深可控的多孔硅材料是未来研究的课题之一。据有关文献报道，多孔硅材料的特性如多孔度、折射率、物理厚度、均匀性、表面和界面平整度、孔径和微结构等强烈依赖于阳极腐蚀参数，这些腐蚀参数包括腐蚀液的组成成分、腐蚀电流的密度、腐蚀时间、硅片的类型和电阻率等。从已有的文献得出如下结论：在恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小，故而导致多孔硅沿纵向方向物理结构的不均匀性。现阶段，为了制备得到多孔硅物理...
【技术保护点】
一种提高多孔硅纵向物理结构均匀性的新方法，其特征在于，在制备多孔硅过程中，通过逐渐增加氢氟酸在腐蚀液中的浓度，实现以下目的：一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔硅孔内的反应产物向孔外扩散变慢，同时HF向孔内扩散能力变弱，从而使多孔硅孔内特别是孔底的HF浓度不容易恢复到初始浓度状态，造成向下腐蚀能力变弱，引起多孔度变大或折射率变小；另一方面，随着氢氟酸在腐蚀液中浓度的逐渐增加，使多孔硅孔内特别是孔底的HF浓度容易恢复到初始浓度状态，从而导致多孔硅多孔度在纵向方向上保持一致。
【技术特征摘要】
1.一种提高多孔硅纵向物理结构均匀性的新方法，其特征在于，在制备多孔硅过程中，通过逐渐增加氢氟酸在腐蚀液中的浓度，实现以下目的：一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔硅孔内的反应产物向孔外扩散变慢，同时HF向孔内扩散能力变弱，从而使多孔硅孔内特别是孔底的HF浓度不容易恢复到初始浓度状态，造成向下腐蚀能力变弱...
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