多孔硅材料的制配方法组成比例

本发明专利技术涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制配方法，特别涉及一种多孔硅材料的制配方法，制配方法为：单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中，单晶硅片接电源负极，电源正极接有铂电极，单晶硅片经通电腐蚀，清洗吹干后经高温氧化，形成多孔硅材料；将荧光高分子溶液旋涂到经上述制配方法所得的多孔硅材料上，经干燥处理后，得用于爆炸品荧光检测材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制配方法，特别涉及一种多孔硅材料的制配方法。
技术介绍
目前，用于检测空气中氨浓度的氨敏材料的制备方法，专利号为CN200910099310.2的专利技术专利，解决了多孔硅电解腐蚀生产的工艺问题，但还存在制成的多孔硅附着性差，容易脱落的缺陷。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中制配工艺制成的多孔硅附着性差，容易脱落的缺陷，提供了一种多孔硅材料的制配方法。为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：按体积比为1:1～7的比例加入乙醇和重量浓度为40％的氢氟酸，摇匀，作为电解液；单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中，单晶硅片接电源负极，电源正极接铂电极，铂电极浸入电解池中，通电对单晶硅片进行腐蚀。设置电流强度为500～3000mA,对单晶硅片进行腐蚀，腐蚀时间为30S～300S；腐蚀结束后清洗单晶硅片，并干燥处理。将上述经过腐蚀后的单晶硅片放入管式炉中，高温650-1000℃下氧化3-4小时，形成多孔硅材料。作为优选，所述的电解液，乙醇和重量浓度为40％的氢氟酸的体积比1:3～5。作为优选，电解池腐蚀单晶硅片的电流强度为1000～2000mA，电解池腐蚀单晶硅片的时间为40s～120s。作为优选，单晶硅片腐蚀结束后，用乙醇、蒸馏水清洗，并吹风干燥处理。本专利技术由于采用了以上技术方案，制备的多孔硅材料具有显著的技术效果：生成的多孔硅嵌入在硅片内部，附着力强，不易脱落。本专利技术还涉及一种用于爆炸品荧光检测材料的制配方法，针对现有技术爆炸品荧光检测材料的多孔硅附着力较差，爆炸品荧光检测材料附着可靠性低，灵敏度较低，使用寿命短的缺陷，提供了一种用于爆炸品荧光检测材料的制配方法。为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：荧光高分子材料旋涂于采用本专利技术上述生产工艺方法生产的多孔硅材料上，70℃～100℃干燥1-2小时，即得用于爆炸品荧光检测材料；所述的荧光高分子溶液为荧光高分子材料与氯仿溶液混合搅拌至溶解所得的溶液，溶液浓度为1-5mg/ml。作为优选，所述的荧光高分子采用聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔]、聚[2-甲氧基-5-(3′,7′-二甲基辛氧基)-1,4-苯乙炔]、聚[2,5-双(3′,7′-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯]中的任一一种。本专利技术由于采用了以上技术方案，制备的用于爆炸品荧光检测材料具有显著的技术效果：爆炸品荧光检测材料的多孔硅附着力更高，爆炸品荧光检测材料附着可靠性高，灵敏度高，使用寿命长。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进一步详细描述。实施例1多孔硅材料的制配方法：按体积比为1:1～7的比例加入乙醇和重量浓度为40％的氢氟酸，摇匀，作为电解液；将电解液倒入固定有P型单晶硅片电解池中，P型单晶硅片接负极，铂电极接正极，放置于电解池中通电腐蚀，设置电流强度
为500～3000mA，腐蚀时间为30S～300S；腐蚀结束后利用乙醇、蒸馏水清洗单晶硅片，并吹干处理。将上述经过腐蚀后的单晶硅片放入管式炉中，高温650-1000℃下氧化3-4小时，形成多孔硅材料。实施例2多孔硅材料的制配方法：按体积比为1:3～5的比例加入乙醇和重量浓度为40％的氢氟酸，摇匀，作为电解液；将电解液倒入固定有P型单晶硅片电解池中，P型单晶硅片的硅片接负极，铂电极接正极，放置于电解池中通电腐蚀，设置电流强度为500～3000mA，腐蚀时间为30S～300S；腐蚀结束后利用乙醇、蒸馏水清洗单晶硅片，并吹干处理。将上述经过腐蚀后的单晶硅片放入管式炉中，高温650-1000℃下氧化3-4小时，形成多孔硅材料。实施例3一种多孔硅材料的制配方法：按体积比为1:3～5的比例加入乙醇和重量浓度为40％的氢氟酸，摇匀，作为电解液倒入到固定有N型单晶硅片的电解池中。该电解池中N型单晶硅片的硅片与铜片接触，接负极，铂电极与溶液接触，接正极，设定电流强度为1000～2000mA，并且用高密度钨灯照射到硅片表面，腐蚀时间为40s～120s，腐蚀结束后用乙醇、蒸馏水清洗硅片，并吹干处理。将上述经过腐蚀后的单晶硅片放入管式炉中，高温650-1000℃下氧化3-4小时，形成多孔硅材料。实施例4用于爆炸品荧光检测材料的制配方法：在实施例1的基础上，将荧光高分子溶液旋涂于所述的多孔硅材料上，70℃～100℃干燥1-2个小时，即得用于爆
炸品荧光检测材料，所述的荧光高分子溶液为荧光高分子材料-聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔]与氯仿溶液混合搅拌至溶解所得的溶液，溶液浓度为1-5mg/ml。实施例5用于爆炸品荧光检测材料的制配方法：在实施例2的基础上，将荧光高分子溶液旋涂于所述的多孔硅材料上，70℃～100℃干燥1-2个小时，即得用于爆炸品荧光检测材料，所述的荧光高分子溶液为荧光高分子材料-聚[2-甲氧基-5-(3′,7′-二甲基辛氧基)-1,4-苯乙炔]与氯仿溶液混合搅拌至溶解所得的溶液，溶液浓度为1-5mg/ml。实施例6用于爆炸品荧光检测材料的制配方法：在实施例3的基础上，将荧光高分子溶液旋涂于所述的多孔硅材料上，70℃～100℃干燥1-2个小时，即得用于爆炸品荧光检测材料，所述的荧光高分子溶液为荧光高分子材料-聚[2,5-双(3′,7′-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯]与氯仿溶液混合搅拌至溶解所得的溶液，溶液浓度为1-5mg/ml。总之，以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本专利技术专利的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
多孔硅材料的制配方法，其特征在于：单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中，单晶硅片接电源负极，电源正极接浸入电解池中的铂电极，通电对单晶硅片进行腐蚀，腐蚀结束后对单晶硅片进行清洗，并做干燥处理，所述的电解液为按体积比为1:1～7的乙醇与重量浓度为40％的氢氟酸混合所得的溶液。

【技术特征摘要】
1.多孔硅材料的制配方法，其特征在于：单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中，单晶硅片接电源负极，电源正极接浸入电解池中的铂电极，通电对单晶硅片进行腐蚀，腐蚀结束后对单晶硅片进行清洗，并做干燥处理，所述的电解液为按体积比为1:1～7的乙醇与重量浓度为40％的氢氟酸混合所得的溶液。2.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法，其特征在于：所述的单晶硅片为P型或N型单晶硅片。3.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法，其特征在于：所述的电解液为按体积比为1:3～5的乙醇与重量浓度为40％的氢氟酸混合所得的溶液。4.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法，其特征在于：通电腐蚀的参数设定为电流强度500～3000mA,腐蚀时间30s～300s。5.一种多孔硅材料的制配方法，其特征在于：在权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法基础上，还包括以下步骤：将腐蚀、清洗、干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：程露丹，张赞，马辉，
申请(专利权)人：杭州芬得检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33