多孔硅材料的水热制备方法和气体荧光传感器的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制备方法，尤其涉及一种多孔硅材料的水热制备方法，多孔硅材料的水热制备方法包括以下步骤：单晶硅片经过清洗后固定于水热反应釜的内衬中，在内衬中注入腐蚀溶液，腐蚀溶液为质量分数30％‑50％的HF溶液和浓度0.3‑1mol/L的硝酸锌溶液，HF溶液和硝酸锌溶液的体积比为2.5:1‑6:1；将内衬放于水热反应釜外壳内，将水热反应釜置于烘箱中进行加热反应，待反应结束冷却至室温后，取出单晶硅片冲洗干净，经双氧水浸泡后取出烘干；本发明专利技术由于采用了以上技术方案，制备的多孔硅材料具有高孔隙率、发光强度高、表面孔径均一等优点；以本发明专利技术技术方案制备的多孔硅为基底的气体荧光传感器具有荧光强度高，成膜均一，比较面积高、吸附性好等优点。

Hydrothermal preparation method of porous silicon material and preparation method of gas fluorescent sensor

The invention relates to a method for detecting explosives fluorescent material preparation method, hydrothermal preparation and particularly relates to a method for porous silicon material, hydrothermal method for preparing porous silicon material comprises the following steps: after cleaning of silicon wafer is fixed on the autoclave liner, liner into the etching solution, corrosion solution of zinc nitrate solution and HF solution concentration of 30% mass fraction of 50% of the 0.3 1mol/L, HF solution and zinc nitrate solution volume ratio of 2.5:1 6:1; will put in the shell lining hydrothermal reactor, the hydrothermal reactor in an oven heating reaction, after the reaction after cooling to room temperature remove the silicon wafer is rinsed clean, with hydrogen peroxide out after soaking and drying; the invention adopts the technical scheme, the preparation of porous silicon materials with high porosity, high luminous intensity and surface hole The porous fluorescent gas sensor based on porous silicon prepared by the technical proposal of the invention has the advantages of high fluorescence intensity, uniform film forming, relatively high area, good absorbability and the like.

【技术实现步骤摘要】
多孔硅材料的水热制备方法和气体荧光传感器的制备方法
本专利技术涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制备方法，尤其涉及多孔硅材料的水热制备方法和气体荧光传感器的制备方法。
技术介绍
随着恐怖袭击越演越烈，恐怖活动严重的威胁到了社会安全、人民财产安全、生命安全等，因此，如果我们能有效的探测出爆炸品，将会对社会、人民的生命安全和财产安全提供更大的保障。警犬、离子迁移谱、X射线成像、质谱等各种技术都运用于探测爆炸物，但是，警犬由于其工作疲劳性，仪器又存在着具有放射源、体积大等缺点限制了其在实际生活中的使用。通过荧光猝灭法来探测危化品是新兴起来的一项技术，其无放射源、体积小、灵敏度高等优点吸引着越来越多的研究人员。目前，以荧光猝灭为原理的爆炸物探测技术正处于不断发展完善过程中，其高灵敏度的气体荧光传感器主要有以下几种：1、通过单分子自组装将不同的荧光小分子与不同长度、结构的连接臂生长在片状石英玻璃上，从而获得了薄膜荧光传感器。2、将荧光分子制备成溶液，通过毛细石英玻璃管的虹吸作用得到以毛细石英玻璃管为基底内壁有荧光分子的薄膜荧光传感器。上述荧光传感器都使用石英玻璃作为基底，并且石英基底表面都不具有多本文档来自技高网...

【技术保护点】
多孔硅材料的水热制备方法，包括以下步骤：单晶硅片用乙醇、丙酮浸泡后清洗；清洗后将单晶硅片置于水热反应釜的内衬中，在内衬中注入腐蚀溶液；将内衬放于水热反应釜外壳内，将水热反应釜置于烘箱中进行加热反应，待其反应结束冷却至室温后，取出单晶硅片冲洗干净；冲洗干净的单晶硅片经双氧水浸泡后取出烘干；其特征在于：腐蚀溶液为质量分数30％‑50％的HF溶液和浓度0.3‑1mol/L的硝酸锌溶液，HF溶液和硝酸锌溶液的体积比为2.5:1‑6:1。

【技术特征摘要】
1.多孔硅材料的水热制备方法，包括以下步骤：单晶硅片用乙醇、丙酮浸泡后清洗；清洗后将单晶硅片置于水热反应釜的内衬中，在内衬中注入腐蚀溶液；将内衬放于水热反应釜外壳内，将水热反应釜置于烘箱中进行加热反应，待其反应结束冷却至室温后，取出单晶硅片冲洗干净；冲洗干净的单晶硅片经双氧水浸泡后取出烘干；其特征在于：腐蚀溶液为质量分数30％-50％的HF溶液和浓度0.3-1mol/L的硝酸锌溶液，HF溶液和硝酸锌溶液的体积比为2.5:1-6:1。2.根据权利要求1所述的多孔硅材料的水热制备方法，其特征在于：烘箱加热温度为130℃-160℃，时间为1-2小时。3.根据权利要求1所述的多孔硅材料的水热制备方法，其特征在于：双氧水的质量分数为3％，浸泡时间1-3天。4.根据权利要求1所述的多孔硅材料的水热...

【专利技术属性】
技术研发人员：程露丹，张冉，马辉，
申请(专利权)人：杭州芬得检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33