【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】描述专利
本专利技术涉及涂覆有碳化硅并且具有用于接收将经受碳化硅的“外延生长”的基底的至少一个区的衬托器,并且涉及用于在基底支撑元件的寿命期间(即,还在已经被用于碳化硅的外延生长的许多工艺之后)限制该基底支撑元件的向外弯曲的方法。现有技术外延生长和用于获得它的反应器已经已知许多年;它们基于被称作“CVD”(化学气相沉积)的技术。其中它们被使用的
是生产电子部件的
;用于该应用的工艺和反应器是特定的,因为需要非常高质量的沉积层并且质量要求不断地在上升。一种类型的外延反应器使用被插入反应室中并且支撑将经受外延生长的一个或更多个基底的“衬托器”(参见图1.1A中的参考数字10和1000);如已知的,基底可以完全是圆形的或常常具有“平坦面”(参见图1.1B中的基底1000)。本专利技术事实上涉及这样的衬托器,其特别地用于碳化硅的高温(1550℃-1750℃)外延生长。通常,具有热壁反应室的反应器用于碳化硅的高温外延生长;室和衬托器的加热通常借助于电磁感应或电阻来获得。大部分现有技术(图1)涉及在多达1250℃的工艺温度下的硅的外延生长,并且涉及相应的反应器;事实上,仅仅最近,碳化硅的电子部件才开始略微地较广泛地使用。在刚刚开始时,即数十年前,衬托器全部由石墨制成。然而,在那时,发现石墨污染基底,因为存在于衬托器的石墨中的杂质在外延生长工艺期间部分地迁移到叠加的基底中。因此,想
【技术保护点】
一种用于外延生长的反应器的衬托器,由具有第一面和第二面的由石墨制成的圆盘形主体组成,其中所述第一面包括适于接收将经受外延生长的基底的至少一个圆形区,据此所述第一面暴露对应于所述至少一个区的第一上表面和围绕所述至少一个区的第二上表面,其中所述第二面暴露下表面,其特征在于,所述第二上表面和所述下表面预先用碳化硅的层来涂覆。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.27 IT CO2013A0000401.一种用于外延生长的反应器的衬托器,由具有第一面和第二面的由石墨制成的圆盘
形主体组成,
其中所述第一面包括适于接收将经受外延生长的基底的至少一个圆形区,据此所述第
一面暴露对应于所述至少一个区的第一上表面和围绕所述至少一个区的第二上表面,
其中所述第二面暴露下表面,
其特征在于,所述第二上表面和所述下表面预先用碳化硅的层来涂覆。
2.根据权利要求1所述的衬托器,其特征在于,仅所述第二上表面和所述下表面用碳化
硅的层来涂覆。
3.根据权利要求1或2所述的衬托器,由具有第一面和第二面的由石墨制成的圆盘形主
体组成,
其中所述第一面包括适于接收将经受外延生长的基底的至少一个圆形凹进部,据此所
述第一面暴露对应于所述至少一个凹进部的底部的降低的上表面和围绕所述至少一个凹
进部的升高的上表面,
其中所述第二面暴露下表面,
其特征在于,所述升高的上表面和所述下表面预先用碳化硅的层来涂覆。
4.根据权利要求3所述的衬托器,其中所述下表面全部地或仅在环形区中或仅在中心
区中用碳化硅的层来涂覆。
5.根据权利要求3或4所述的衬托器,其中在所述上表面上的所述碳化硅的层的厚度大
于在所述下表面上的所述碳化硅的层的厚度。
6.根据权利要求3或4或5所述的衬托器,其中所述降低的上表面用石墨的层来涂覆。
7.根据权利要求3或4或5所述的衬托器,其中所述降低的上表面用碳化钽的层来涂覆。
8.根据前述权利要求1至7中任一项所述的衬托器,其中所述降低的上表面是粗糙的或
高低不平的或有凸边的。
9.根据权利要求1或2所述的用于外延生长的反应器的衬托器,由具有第一面和第二面
的由石墨制成的圆盘形主体组成,
其中所述第一面包括适于接收将经受外延生长的基底的至少一个圆形凸起,据此所述
第一面暴露对应于所述至少一个凸起的顶部的升高的上表面和围绕所述至少一个凸起的
降低的上表面,
其中所述第二面暴露下表面,
其特征在于,所述升高的上表面和所述下表面预先用碳化硅的层来涂覆。
10.根据权利要求9所述的衬托器,其中所述下表面全部地或仅在环形区中或仅在中心<...
【专利技术属性】
技术研发人员:弗朗西斯科·科里亚,D·克里帕,劳拉·戈博,M·毛切里,温森佐·奥格里阿里,弗兰科·佩雷蒂,马尔科·普利西,卡尔梅洛·韦基奥,
申请(专利权)人:LPE公司,
类型:发明
国别省市:意大利;IT
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