【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置,属于半导体制造
技术介绍
对于现代半导体行业来说,器件的微小型化正在快速的发展,目前线宽已发展至14nm,因此对工艺过程中的颗粒管控的级别也越来越高,颗粒的管控是器件向更小型化发展的一个关键问题,是提高产品良率的重要指标。现有工艺中,基片在设备中传片时,尤其是在成膜工艺完成之后,大量的副产物附着在腔体中裸露的部件上,包括移动和不移动的部件,此时部件的移动一定程度上会使基片表面存在颗粒增多的风险。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的,提供一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置,该工艺方法是在中低真空室内,使半导体基片位于可移动的载基片台,对其通过上部来气方式吹扫,环载物台四周回风抽气的方式,通过控制吹气种类,通气流量及载物台位置来降低半导体基片在传片过程中颗粒的工艺方法。为实现上述目的,本专利技术采用下述技术方案:一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法,具体实现步骤如下:半导体基片在真空腔室中通入工艺气体进行薄膜沉积,此时载物台位于工艺位置,当沉积结束后,载物台会升至吹扫位置,使载物台载物面处于回气孔的上方,同时出气孔通入吹扫气体进行吹扫;所述吹扫气体通常为N2、Ar、He气体中的一种或者几种的气体组合,并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。所述吹扫气体时腔室保持中低真空度,半导体基片传片时的传片通道可为成膜或非成膜。所述吹扫气体的流量在2000-10000sccm。所述吹扫气体进行吹扫的时间为5-20s。一种半导体基片传片时通气降低颗粒的装置,该装置 ...
【技术保护点】
一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法,其特征在于,具体实现步骤如下:半导体基片在真空腔室中通入工艺气体进行薄膜沉积,此时载物台位于工艺位置,当沉积结束后,载物台会升至吹扫位置,使载物台载物面处于回气孔的上方,同时出气孔通入吹扫气体进行吹扫;所述吹扫气体为N2、Ar、He气体中的一种或者几种的气体组合,并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。
【技术特征摘要】
1.一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法,其特征在于,具体实现步骤如下:半导体基片在真空腔室中通入工艺气体进行薄膜沉积,此时载物台位于工艺位置,当沉积结束后,载物台会升至吹扫位置,使载物台载物面处于回气孔的上方,同时出气孔通入吹扫气体进行吹扫;所述吹扫气体为N2、Ar、He气体中的一种或者几种的气体组合,并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。2.如权利要求1所述的一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法,其特征在于,所述吹扫气体时腔室保持中低真空度,半导体基片传片时的传片通道可为成膜或非成膜。3.如权利要求1所述的一种半导体基片传片时通气降低颗粒的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张孝勇,戚艳丽,商庆燕,杨凌旭,杨艳,齐平,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁;21
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