【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺设备
,更具体地,涉及一种可防止堵塞的炉管尾气处理管道。
技术介绍
炉管普遍应用于进行半导体加工中的沉积工艺。其中,低压氮化硅沉积炉管工艺是使用二氯化硅气体与氨气反应,生成需要的氮化硅,同时还将生成副产物氯化氨。在进行低压氮化硅沉积时,炉管工艺腔的温度一般都会超过600℃,因此生成的副产物氯化氨在其中不会发生凝固现象。但炉管尾气处理时使用的通常是不锈钢尾气处理管道,并以在管道外面包裹加热带的方式作为对管道的加热手段,使管道内温度保持在一般150℃以上,由于存在较明显的温差,所以还是会有部分氯化氨沉积在管道壁上。由于半导体制造工艺的特殊要求,所有工艺设备需要放置在洁净室内,而辅助设备比如真空泵以及除害桶等为了节省洁净室空间,一般放置在另外一个楼层。这就需要比较长的尾气排放管道来连接工艺设备以及真空泵。由于尾气处理管道比较长,按照上述目前的加热手段,无法全长均匀地加热管道。尤其是在管道的接头处,由于该部位管径(口径)较小,极易造成堵塞。管道一旦堵塞,真空泵就无法继续工作,且会使尾气处理管道内的副产物等颗粒倒灌入炉管工艺腔,使得产品的品质 ...
【技术保护点】
一种炉管尾气处理管道,其特征在于,包括:外管;第一、第二内管,并列设于外管内,其两端管壁与外管内壁密封连接,所述第一内管设有第一加热元件,所述第二内管设有第二加热元件;两个分路切换阀,分设于所述第一、第二内管两端,用于使所述第一、第二内管以择一方式与外部导通;两个接头,分别连接在所述外管两端,所述接头设有第三加热元件;第一进水口和第一出水口,分设于所述第一内管两端,用于通过第一进水口向所述第一内管中通入清洗介质,并通过第一出水口排出;第二进水口和第二出水口,分设于所述第二内管两端,用于通过第二进水口向所述第二内管中通入清洗介质,并通过第二出水口排出。
【技术特征摘要】
1.一种炉管尾气处理管道,其特征在于,包括:外管;第一、第二内管,并列设于外管内,其两端管壁与外管内壁密封连接,所述第一内管设有第一加热元件,所述第二内管设有第二加热元件;两个分路切换阀,分设于所述第一、第二内管两端,用于使所述第一、第二内管以择一方式与外部导通;两个接头,分别连接在所述外管两端,所述接头设有第三加热元件;第一进水口和第一出水口,分设于所述第一内管两端,用于通过第一进水口向所述第一内管中通入清洗介质,并通过第一出水口排出;第二进水口和第二出水口,分设于所述第二内管两端,用于通过第二进水口向所述第二内管中通入清洗介质,并通过第二出水口排出。2.根据权利要求1所述的炉管尾气处理管道,其特征在于,所述第一-第三加热元件通过第一-第三温控模块进行独立加热。3.根据权利要求1所述的炉管尾气处理管道,其特征在于,所述第一、第二进水口和第一、第二出水口分设有控制阀。4.根据权利要求1所述的炉管尾气处理管道,其特征在于,还包括一控制...
【专利技术属性】
技术研发人员:张乐成,王智,苏俊铭,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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