集成电路片内电感器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种集成电路片内电感器件，其包括衬底，衬底上形成有SiN隔离层，SiN隔离层具有露出衬底的电感区域，电感区域内形成有聚苯并恶唑固化层，聚苯并恶唑固化层与SiN隔离层的厚度相同，聚苯并恶唑固化层上形成有多个相连的桥形金属片。通过上述方式，本实用新型专利技术能够改善片内电感Q值。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种集成电路片内电感器件。
技术介绍
在单片微波集成电路(MMIC)中，尤其是放大器应用中，电感的Q值是衡量器件性能的主要参数。Q值是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比，电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。以GaAs低噪放大器为例，第一级电路中所用的电感，将直接作为插入损耗，恶化整个放大器的噪声系数，高Q值的电感将直接减小插损，优化放大器的噪声系数。因此，提高片内Q值，一直是人们的研究热点之一。一般来说，较大的介电常数意味着较大的介电损耗，而介电损耗的大小直接影响电感的Q值。当前，在无源器件工艺中，一般采用SiN材料作为隔离层，主要是由于SiN性能稳定，不易变质，防潮性好,硬度高，具有较高的机械强度，但是SiN材料的介电常数为6～8，影响了片内电感Q值的改善。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种集成电路片内电感器件，能够改善片内电感Q值。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种集成电路片内电感器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上形成有SiN隔离层，所述SiN隔离层具有露出所述衬底的电感区域，所述电感区域内形成有聚苯并恶唑固化层，所述聚苯并恶唑固化层与所述SiN隔离层的厚度相同，所述聚苯并恶唑固化层上形成有多个相连的桥形金属片。优选地，所述衬底的厚度为50μm～2mm。优选地，所述SiN隔离层的厚度为50nm～1μm。优选地，所述桥形金属片的宽度为5μm～50μm，厚度为2μm～10μm，所述桥形金属片的桥墩间距与宽度的比例为1:3～1:5。区别于现有技术的情况，本技术的有益效果是：通过在SiN隔离层的电感区域内形成聚苯并恶唑固化层，同时利用桥形金属片形成“”“空气桥”，从而能够改善片内电感Q值。附图说明图1是本技术实施例集成电路片内电感器件的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参见图1，是本技术实施例集成电路片内电感器件的结构示意图。本实施例的集成电路片内电感器件包括衬底1，衬底1上形成有SiN隔离层2，SiN隔离层2具有露出衬底1的电感区域21，电感区域21内形成有聚苯并恶唑固化层3，聚苯并恶唑固化层3与SiN隔离层2的厚度相同，聚苯并恶唑固化层3上形成有多个相连的桥形金属片4。图中仅示意显示了两个桥形金属片4。聚苯并恶唑材料的介电常数为2.6～2.9，利于提高片内电感Q值，且具有感光性，可采用光刻方式定义有效区域。同时，采用多个相连的桥形金属片4作为“空气桥”形成电感，由于与衬底1的接触面积的减少，能进一步降低衬底1对电感的影响，降低损耗，提高电感Q值。在本实施例中，桥形金属片4的宽度为5μm～50μm，厚度为2μm～10μm，桥形金属片4的桥墩间距与宽度的比例为1:3～1:5。衬底1的厚度为50μm～2mm，SiN隔离层2的厚度为50nm～1μm。本实施例的集成电路片内电感器件的制作过程为：首先采用化学气相沉积(CVD)或反应溅射方法在衬底上生长形成SiN隔离层；其次采用光刻或反应离子刻蚀方法在SiN隔离层上制作出露出衬底的电感区域；然后在电感区域内涂覆聚苯并恶唑材料，并采用光刻、烘烤工艺进行处理形成聚苯并恶固化层；再采用光刻、溅射、二次光刻等工艺在聚苯并恶固化层上定义出电感位置；最后采用电镀工艺在聚苯并恶固化层的电感位置上制作多个相连的桥形金属片。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路片内电感器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上形成有SiN隔离层，所述SiN隔离层具有露出所述衬底的电感区域，所述电感区域内形成有聚苯并恶唑固化层，所述聚苯并恶唑固化层与所述SiN隔离层的厚度相同，所述聚苯并恶唑固化层上形成有多个相连的桥形金属片。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路片内电感器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上形成有SiN隔离层，所述SiN隔离层具有露出所述衬底的电感区域，所述电感区域内形成有聚苯并恶唑固化层，所述聚苯并恶唑固化层与所述SiN隔离层的厚度相同，所述聚苯并恶唑固化层上形成有多个相连的桥形金属片。2.根据权利要求1所述的集成电路片内电感器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，陈汝钦，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51