本发明专利技术公开了一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法和喷嘴清洗装置，该方法包括通过在湿法单片清洗机上安装一个装有清洗液的喷嘴清洗装置，在喷嘴清洗装置的清洗液中定时清洗喷嘴。该装置包括装有清洗液的清洗槽，所述清洗槽可将喷嘴插入其内的清洗液中对喷嘴进行清洗。该方法和装置能够去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、以及喷嘴残留药液形成的污染源，避开了在未进行晶片清洗作业时喷嘴的定时定量喷洒或预先喷洒化学药液时对周边环境的污染，以克服喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法、喷嘴清洗装置。
技术介绍
在半导体制造
中，湿法单片清洗机由于其高质量的缺陷去除效果，正逐步取代传统的槽式湿法清洗机。湿法单片清洗机一般采用的都是喷嘴喷洒的工艺，硅片进入工艺腔体后喷嘴开始喷洒化学药液，没有硅片作业的时候喷嘴在原点位置等候，这个工作特点导致了单片清洗机喷洒药液时起始位置缺陷较高的问题。由于机台内部的氛围，喷嘴及其周边残存的药液会逐渐凝固甚至出现结晶，这就形成了污染硅片的污染源。当机台从作业时，污染源就被转移到硅片上去，特别在化学药液开始喷的一瞬间，由于喷嘴受到化学药液的突然冲击，产生的震动使该问题更为明显。为改善这一情况，请参考图1，目前的通常做法是当喷嘴1在原点位置等候的时候定时喷洒化学药液，提前把喷嘴上的结晶清除掉，则喷嘴1的污染物3落在了等候区的范围内，然后对硅片2进行喷洒作业。请参考图2a-2c，另一种做法是在喷嘴1处理硅片之前预先喷一定量的化学药液，避免结晶掉在硅片表面，此时喷嘴1的污染物3落在了等候区的范围内，如图2a所示；然后对硅片2进行清洗作业，如图2b所示；最后将喷嘴1从硅片2的位置移出，如图2c所示。这两种方法在一定程度上解决了喷嘴上污染源的问题，但对于同为污染源的喷嘴周边效果不显著，对于喷嘴周边残存药液形成的污染源问题，目前的手法一般就只有停机人为清扫，频繁的停机清扫造成了机台使用率的低下。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，以解决半导体制造技术中湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源以及喷嘴周边的污染源和残留药液形成的污染源，克服了喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，包括以下步骤：通过在湿法单片清洗机上加装一个装有清洗液的喷嘴清洗装置，将喷嘴放入喷嘴清洗装置的清洗液中清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、以及喷嘴残留药液形成的污染源，避开了在未进行晶片清洗作业时喷嘴的定时定量喷洒或预先喷洒化学药液时对周边环境的污染，以克服喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷。进一步的，本专利技术提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，对喷嘴的清洗采用在喷嘴清洗装置的清洗液中进行定时清洗的方式。进一步的，本专利技术提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，所述喷嘴清洗装置包括自带的清洗槽，清洗槽内储存有清洗液，将喷嘴清洗装置与湿法单片清洗机建立通讯连接，判断湿法单片清洗机是否存在晶片；当湿法单片清洗机内没有晶片时，将喷嘴放入喷嘴清洗装置内按照设定程序对喷嘴进行清洗；当湿法单片清洗机内有晶片需要进行清洗时，先将清洗后的喷嘴进行干燥，然后再将干燥后的喷嘴投入湿法单片清洗机中对晶片进行清洗作业。进一步的，本专利技术提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，还包括喷嘴在进入喷嘴清洗装置之前采用密封套管封住湿法单片清洗机的化学药液进出口的步骤。进一步的，本专利技术提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，还包括定时更换喷嘴清洗装置内的清洗液的步骤。与现有技术相比，本专利技术提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，通过在湿法单片清洗机上加装的喷嘴清洗装置，对喷嘴进行清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、喷嘴周边的污染源以及喷嘴残留药液形成的污染源，克服了喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷，从而提高了喷嘴工艺在湿法单片清洗机的清洗工艺的产品质量。与现有的喷嘴工艺相比，本专利技术避免了将喷嘴在等候区定时预先喷洒一定量的化学药液的步骤，避免了喷嘴在喷洒过程中掉落的污染物对周边环境的造成的污染；本专利技术节省了喷嘴定时定量或预先喷洒的步骤，节省了化学药液的使用量，避免了浪费。本专利技术对喷嘴进行清洗之后，去除了喷嘴处的污染源以及残留药液形成的污染源。为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种喷嘴清洗装置，包括装有清洗液的清洗槽，所述清洗槽可将喷嘴插入其内的清洗液中对喷嘴进行清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、以及喷嘴残留药液形成的污染源，避开了在未进行晶片清洗作业时喷嘴的定时定量喷洒或预先喷洒化学药液时对周边环境的污染。进一步的，本专利技术提供的喷嘴清洗装置，所述喷嘴清洗装置与湿法单片清洗机电路连接，当湿法单片清洗机内没有晶片时，喷嘴进入喷嘴清洗装置内按照设定程序对喷嘴进行清洗。进一步的，本专利技术提供的喷嘴清洗装置，还包括对清洗后的喷嘴进行干燥的干燥室。本专利技术提供的喷嘴清洗装置，将喷嘴插入其内的清洗液中对喷嘴进行清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、喷嘴周边的污染源以及喷嘴残留药液形成的污染源，从而克服了喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷，提高了喷嘴工艺在湿法单片清洗机的清洗工艺的产品质量。与现有的喷嘴工艺相比，本专利技术避免了将喷嘴在等候区定时预先喷洒一定量的化学药液的步骤，避免了喷嘴在喷洒过程中掉落的污染物对周边环境的造成的污染；本专利技术节省了喷嘴定时定量或预先喷洒的步骤，节省了化学药液的使用量，避免了浪费。本专利技术对喷嘴进行清洗之后，去除了喷嘴处的污染源以及残留药液形成的污染源。附图说明图1是现有技术的一种喷嘴污染物处理方法的结构示意图；图2a-2c是现有技术的另一种喷嘴污染物处理方法的结构示意图；图3a-3c是本专利技术一实施例的喷嘴清洗装置的结构示意图；图4是本专利技术的喷嘴清洗装置与湿法单片清洗机的电路连接的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作详细描述：实施例一本实施例一提供一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，包括以下步骤：通过在湿法单片清洗机上加装一个装有清洗液的喷嘴清洗装置，将喷嘴放入喷嘴清洗装置的清洗液中清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、以及喷嘴残留药液形成的污染源，避开了在未进行晶片清洗作业时喷嘴的定时定量喷洒或预先喷洒化学药液时对周边环境的污染，以克服喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷。本实施例一中，晶片一般为硅片，但不限于硅片。与现有的喷嘴工艺相比，本专利技术避免了将喷嘴在等候区定时定量或者预先喷洒一定量的化学药液的步骤，避免了喷嘴在喷洒过程中掉落的污染物对周边环境的造成的污染；本专利技术节省了喷嘴定时定量或预先喷洒的步骤，节省了化学药液的使用量，避免了浪费。本专利技术对喷嘴进行清洗之后，去除了喷嘴处的污染源以及残留药液形成的污染源。作为较佳的实施方式，本实施例一提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，对喷嘴的清洗采用在喷嘴清洗装置的清洗液中进行定时清洗的方式。请参考图3a-3c、图4，本实施例一提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，所述喷嘴清洗装置包括自带的清洗槽40，清洗槽40内储存有清洗液41，将喷嘴清洗装置与湿法单片清洗机建立通讯连接，判断湿法单片清洗机是否存在晶片20；当湿法单片清洗机内没有晶片20时，将喷嘴10放入喷嘴清洗装置内按照设定程序对喷嘴进行清洗；当湿法单片清洗机内有晶片10需要进行清洗时，喷嘴清洗装置先将清洗后的喷嘴10进行干燥，然后再将干燥后的喷嘴投入湿法单片清洗机中对晶片20进行清洗作业。为了保证喷嘴清洗装置自带的清洗液41不混进喷嘴内部造成化学药液11的交叉污染，本实施例一提供的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，还包括喷嘴在进入喷嘴清洗装置之前采用密封套管封住湿法单片清洗机的化学药液11本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：通过在湿法单片清洗机上加装一个装有清洗液的喷嘴清洗装置，将喷嘴放入喷嘴清洗装置的清洗液中清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、以及喷嘴残留药液形成的污染源，避开了在未进行晶片清洗作业时喷嘴的定时定量喷洒或预先喷洒化学药液时对周边环境的污染，以克服喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷。
【技术特征摘要】
1.一种改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：通过在湿法单片清洗机上加装一个装有清洗液的喷嘴清洗装置，将喷嘴放入喷嘴清洗装置的清洗液中清洗，以去除堆积在湿法单片清洗机的喷嘴处的污染源、以及喷嘴残留药液形成的污染源，避开了在未进行晶片清洗作业时喷嘴的定时定量喷洒或预先喷洒化学药液时对周边环境的污染，以克服喷嘴的喷洒起始位置的工艺缺陷。2.如如权利要求1所述的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，其特征在于，对喷嘴的清洗采用在喷嘴清洗装置的清洗液中进行定时清洗的方式。3.如权利要求1所述的改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法，其特征在于，所述喷嘴清洗装置包括自带的清洗槽，清洗槽内储存有清洗液，将喷嘴清洗装置与湿法单片清洗机建立通讯连接，判断湿法单片清洗机是否存在晶片；当湿法单片清洗机内没有晶片时，将喷嘴放入喷嘴清洗装置内按照设定程序对喷嘴进行清洗；当湿法单片清洗机内有晶片需要进行清洗时，先将清洗后的喷嘴进行干燥，然后再将干燥后的喷嘴投入湿法单片清洗机中对晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：王春伟，李阳柏，张传民，陈建维，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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