萘四甲酸二酐衍生物在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用制造技术

本发明专利技术涉及萘四甲酸二酐衍生物用于倒置钙钛矿太阳能电池中电子传输层/阴极的界面修饰方面的应用。萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构如下所示：式中R1、R2可以相同或者不相同，独立选自C1‑C20的长烷基链，X为Cl、Br或I等，n＝0‑16。倒置钙钛矿太阳能电池的器件结构为：ITO/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层/阴极。将萘四甲酸二酐衍生物用于钙钛矿太阳能电池中的电子传输层/阴极的界面上，首先，可调节电子传输层的形貌，减少膜中的缺陷密度，提高电子传输层的质量；其次，引入萘四甲酸二酐衍生物界面修饰层，可以有效地加速电子从电子传输层向阴极的传输，从而有利于器件效率的提高。此外，由于萘四甲酸二酐衍生物的溶解性较好，可通过溶液旋涂法将其引入到钙钛矿太阳能电池中，操作非常简单，可重复性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及萘四甲酸二酐衍生物化合物的应用。具体地是涉及萘四甲酸二酐的化合物作为界面修饰材料在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用。
技术介绍
在过去七年中，基于卤化铅钙钛矿(例如，CH3NH3PbI3)的光捕获层的钙钛矿太阳能电池(PSC)取得了学术界广泛的关注，这主要是由于它们具有低成本的前体，宽的光吸收，长激子扩散长度，溶液加工性和高机械柔韧性等优点。最近，科学家们在提高PSC性能方面取得了巨大突破，光电转换效率(PCE)超过20％。钙钛矿半导体可以用于几种类型的太阳能电池结构，包括钙钛矿敏化太阳能电池，中超结构太阳能电池和p-i-n型平面异质结(PHJ)太阳能电池。后者被认为具有最有希望的商业化，因为它们相对简单的器件结构和使用大面积涂覆工艺在低温下制造的潜力。目前，PHJ钙钛矿太阳能的PCE已高达18％。尽管PHJ钙钛矿太阳能电池的性能仍然低于基于其他结构的性能，但仍有进一步提高PHJ钙钛矿太阳能电池的性能的空间。目前许多报告已经解决了产生界面偶极子并改变导体的WF(通用界面)的界面材料的使用。在PC61BM和高WF阴极之间插入额外的阴极缓冲层(CBL)已经被认为是使PHJ钙钛本文档来自技高网...

【技术保护点】
萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构：式中R1、R2可以相同或者不相同，独立选自C1‑C20的长烷基链，X为Cl、Br或I等，n＝0‑16。

【技术特征摘要】
1.萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构：式中R1、R2可以相同或者不相同，独立选自C1-C20的长烷基链，X为Cl、Br或I...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿，彭森，黄维，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32