器件和集成电路封装体制造技术

本实用新型专利技术的各个实施例涉及器件和集成电路封装体，它们各自包括引线框架。该引线框架具有配置为承受并且支撑具有各种大小的各种集成电路裸片的多个同心引线框架环。这些环通过间隙彼此分隔开并且通过多个连接杆耦合在一起。同心环可以是圆形的或者矩形是。连接杆可以从环对角地延伸出来或者与环垂直地延伸。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体裸片的封装，并且更加具体地，涉及引线框架封装体的环型或者线圈型地图案化的裸片焊盘。
技术介绍
集成电路由已经经过处理以形成电子电路系统的半导体裸片形成。在将集成电路投入商业应用之前，通常以保护半导体裸片的方式对它们进行封装。按照各种方式对集成电路进行封装。尤其普遍的集成电路封装体类型是引线框架。图1A和图1B是已知类型的集成电路封装体19的视图。图1A是包括引线框架10的集成电路封装体19的顶视图。框架包括中心裸片焊盘12、连接杆14和接线键合引线16。虚线框表示定位在引线框10上的集成电路裸片18。图1B是在图1A的截面线1B上截取的集成电路封装体19的截面图。集成电路封装体19包括定位在引线框架10的裸片焊盘12上的集成电路裸片18。集成电路裸片18通过粘合膏24耦合至裸片焊盘。模制用料20包封集成电路裸片18和裸片焊盘12。键合接线22将接线键合引线16电耦合至集成电路裸片18。常见的做法是，将引线框架的裸片加工成具有相对于待放置在其上的集成电路裸片的特定大小。这是因为，随着裸片焊盘面积区域(area)与集成电路裸片面积区域之比的增加，模制用料从引线框架脱层(delaminate)的可能性也增加。如果模制用料变得从引线框架脱层，那么在封装体内的集成电路裸片会面临受到损坏的风险。具体地，当模制用料变得从引线框架脱层时，湿气可以渗入集成电路封装体中，从而对集成电路裸片造成损坏或者使键合接线短路。如果发生这种情况，集成电路裸片可能会较差地发挥作用或者可能会完全停止发挥作用。而且，当发生模制用料的脱层时，集成电路裸片更加容易受到撞击或者挤压的损坏，这是因为集成电路裸片不再如发生脱层之前一样牢固地固定就位。由此，耗费了巨大的费用，以将各种引线框架裸片焊盘大小加工为与特定集成电路裸片适配，即使最终封装体的大小都相同。为了克服该问题，已经做出了很多尝试以将用于裸片焊盘的规则边缘图案和凹痕包括在裸片焊盘中，以便推动将模制用料更好的粘附至裸片。然而，这些方案效果较差并且可以是成本高昂的。
技术实现思路
本技术公开了一种引线框架，该引线框架包括多个同心环而非典型的裸片焊盘。每个同心环在该环自身与相邻环之间具有固定间隙。集成电路裸片放置在同心环上。与更大的裸片相比，更小的集成电路裸片将定位在更少数量的同心环上。这样，单个引线框架将充分地支撑大小不同的多个不同集成电路裸片。而且，通过填充在同心环之间的间隙并且按照牢固的方式与同心环互锁，模制用料附接更好。同心环通过耦合至每个同心环的一个或者多个连接杆而彼此固定。可选地，不存在其上搁置有裸片的中心焊盘，而是，存在有在引线框架中在裸片的中心位置下方的空隙。放置在同心环之上的粘合胶带或者膜将集成电路裸片粘附至同心环。根据本技术的一个实施例，提供了一种器件，其特征在于，其包括具有中心面积区域的引线框架。该引线框架包括：多个接线键合引线，在该引线框架的外围处；多个同心支撑框架，相对于该多个接线键合引线中心地定位，该中心面积区域无该多个支撑框架；以及多个连接杆，固定至该多个支撑框架并且从该多个支撑框架朝着该外围延伸。根据本技术的又一实施例，提供了一种集成电路封装体，其特征在于，其包括：引线框架；裸片，定位在该引线框架上；以及模制用料，围绕该裸片和至少一些该引线框架。该引线框架包括：第一部分，具有第一同心部件和第二同心部件；第二部分，具有第三同心部件和第四同心部件，该第二部分与该第一部分隔离，该第三同心部件与该第一同心部件对齐并且该第四同心部件与该第二同心部件对齐；以及第一连接杆和第二连接杆，耦合至该第一部分；第三连接杆和第四连接杆，耦合至该第二部分，该第一连接杆和该第三连接杆基本平行并且该第二连接杆和该第四连接杆基本平行。根据本技术的另一实施例，提供了一种器件，其特征在于，其包括引线框架。该引线框架，具有包括开口的中心面积区域，该引线框架包括：第一连接杆、第二连接杆、第三连接杆和第四连接杆；第一环，定位在该开口周围；以及第二环，与该第一环间隔开第一间隙，该第二环通过该第一环与该中心面积区域分隔开，该第二环耦合至该第一连接杆、该第二连接杆、该第三连接杆和该第四连接杆。附图说明图1A是已知的集成电路封装体的顶视图。图1B是图1A的集成电路封装体的截面图。图2A是根据一个实施例的集成电路封装体的顶视图。图2B是图2A的集成电路封装体的截面图。图3A是根据一个实施例的不具有中心裸片焊盘的集成电路封装体的顶视图。图3B是图3A的集成电路封装体的截面图。图4是根据一个实施例的包括具有电隔离部分的引线框架的集成电路封装体的顶视图。图5是根据一个实施例的包括与同心框架成90°相交的连接杆的集成电路封装体的顶视图。图6A是根据一个实施例的具有不同环宽度的集成电路封装体的顶视图。图6B是图6A的集成电路封装体的截面图。图7是根据一个实施例的具有弧形环的集成电路封装体的顶视图。图8是根据一个实施例的具有螺旋型裸片焊盘的集成电路封装体的顶视图。图9A是根据一个实施例的四方扁平无引线(QFN)集成电路封装体的顶视图。图9B是图9A的集成电路封装体的截面图。具体实施方式图2A是根据一个实施例的引线框架的顶视图。引线框架30包括中心焊盘32和通过连接杆34耦合在一起的三个同心环或者框架33。接线键合引线36定位在引线框架30的外围上。虚线框表示集成电路裸片38在引线框架30上的位置。环33定位为允许集成电路裸片能够得到支撑，而不具有过大的裸片焊盘面积区域与集成电路焊盘面积区域之比。在这种情况下，裸片会与中心焊盘32、最靠近中心焊盘32的最内同心环、以及部分中部同心环33的部分重叠。中心焊盘32、最内的环33以及该部分中间同心环33的表面面积区域明显小于裸片38的表面面积区域。在图2A的示例中，集成电路裸片38具有这样的大小，从而使得其得到内部的两个环33的支撑而不搁置在最外环33上。如果集成电路裸片38更大，其可以搁置在所有环上，包括最外环33。第一环和第二环向集成电路裸片38提供了足够的支撑。而且，在环33之间的间隙35允许增强在模制用料(未在图2A中绘制)与引线框架30之间的互锁作用。由此，即使集成电路裸片小得足以使一个或者多个环33不直接位于集成电路裸片38的下方，由于在环之间的间隙提供了与模制用料的更大互锁作用，所以不存在增加的模制用料脱层的风险。图2A的引线框架30减少了裸片焊盘工具加工成本，这是因为针对分别具有不同大小的集成电路裸片的多个不同集成电路封装体可以使用单种设计和图案。这避免了必须为各种集成电路裸片大小设计并且工具加工多种型号的引线框架。接线键合引线36也可以用于大量各种集成电路裸片的I/O。引线框架30可以通过将环或框架图案冲压或者蚀刻到标准裸片焊盘模具上来形成。出于裸片附接之目的，环33可以具有银的点镀。而且，在一些情况下，环33可以用作接地或者一些其他电位诸如VDD。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，其特征在于，包括：具有中心面积区域的引线框架，包括：多个接线键合引线，在所述引线框架的外围处；多个同心支撑框架，相对于所述多个接线键合引线中心地定位，所述中心面积区域无所述多个支撑框架；以及多个连接杆，固定至所述多个支撑框架并且从所述多个支撑框架朝着所述外围延伸。

【技术特征摘要】
2014.10.10 US 14/512,2081.一种器件，其特征在于，包括：
具有中心面积区域的引线框架，包括：
多个接线键合引线，在所述引线框架的外围处；
多个同心支撑框架，相对于所述多个接线键合引线中心地定位，所述中心面积区域无所述多个支撑框架；以及
多个连接杆，固定至所述多个支撑框架并且从所述多个支撑框架朝着所述外围延伸。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述支撑框架具有矩形形状。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述支撑框架具有圆形形状。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述多个支撑框架是矩形的，并且所述多个连接杆从每个矩形支撑框架的每个角部延伸出来。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述多个支撑框架是矩形的，并且所述多个连接杆从每个矩形支撑框架的每侧延伸出来。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，其中每个连接杆从每个支撑框架垂直地延伸出来。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中每个支撑框架与相邻的支撑框架分隔开相同的距离。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述多个支撑框架包括具有第一宽度的第一支撑框架和具有第二宽度的第二支撑框架，所述第一宽度大于所述第二宽度。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，其中所述多个支撑框架包括具有第三宽度的第三支撑框架。
10.一种集成电路封装体，其特征在于，包括：
引线框架，包括：
第一部分，具有第一同心部件和第二同心部件；
第二部分，具有第三同心部件和第四同心部件，所述第二部分与所述第一部分隔离，所述第三同心部件与所述第一同心部件对齐并且所述第四同心部件与所述第二同心部件对齐；以及
第一连接杆和第二连接杆，耦合至所述第一部分；
第三连接杆和第四连接杆，耦合至所述第二部分，所述第一连接杆和所述第三连接杆基本平行并且所述第二连接杆和所述第四连接杆基本平行；
裸片，定位在所述引线框架上；以及
模制用料，围绕所述裸片和至少一些所述引线框架。
11.根据权利要求10所述的集成电路封装体，其特征在于，包括定位在所述引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永盛，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：新加坡;SG