一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管，特别涉及一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。传统的肖特基二极管，随着器件反偏电压的增加，在高电场条件下肖特基势垒降低，从而导致二极管漏电流的增大，而且传统的肖特基二极管的管脚较长，在运输过程中容易折断或折弯。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，解决了传统的肖特基二极管，随着器件反偏电压的增加，在高电场条件下肖特基势垒降低，从而导致二极管漏电流的增大，而且传统的肖特基二极管的管脚较长，在运输过程中容易折断或折弯。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，所述二氧化硅层上设有空心阳极棒，所述空心阳极棒至少部分与所述硅片层连接，所述空心阳极棒内设有第一管脚，所述第一管脚的一端通过第一弹簧连接所述空心阳极棒的内壁，所述阴极金属层上连接有阴极空心棒，所述空心阴极棒内设有第二管脚，所述第二管脚的一端通过第二弹簧连接所述空心阴极棒的内壁。优选的，所述空心阳极棒和所述阴极空心棒都为一端设有开口且另一端封闭的结构，且所述开口塞有橡胶塞。优选的，所述导电填充块的数量为2-4个。优选的，所述导电填充块在所述硅片层内等距分布。优选的，所述导电填充块为多晶硅。有益效果：本专利技术提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术的工作时的结构示意图。其中，1硅片层、2二氧化硅层、3第一弹簧、4第一管脚、5空心阳极棒、6橡胶塞、7P型阱区、8导电填充块、31第二弹簧、41第二管脚、51空心阴极棒。具体室施方式下面结合附图详细说明本专利技术的优选实施方式。图1和图2出示本专利技术的具体实施方式：一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述铝面肖特基二极管包括硅片层1、阴极金属层、二氧化硅层2、导电填充块8和P型阱区7，所述硅片层1上方连接所述二氧化硅层2，所述硅片层1下方连接所述阴极金属层，所述硅片层1内部设有多个导电填充块8，所述导电填充块8外侧包裹有所述P型阱区7，所述二氧化硅层2上设有空心阳极棒5，所述空心阳极棒5至少部分与所述硅片层1连接，所述空心阳极棒5内设有第一管脚4，所述第一管脚4的一端通过第一弹簧3连接所述空心阳极棒5的内壁，所述阴极金属层上连接有阴极空心棒51，所述空心阴极棒51内设有第二管脚41，所述第二管脚41的一端通过第二弹簧31连接所述空心阴极棒51的内壁。其中，所述空心阳极棒5和所述阴极空心棒51都为一端设有开口且另一端封闭的结构，且所述开口塞有橡胶塞6，所述导电填充块8的数量为2-4个，所述导电填充块8在所述硅片层2内等距分布，所述导电填充块8为多晶硅。本专利技术提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，所述二氧化硅层上设有空心阳极棒，所述空心阳极棒至少部分与所述硅片层连接，所述空心阳极棒内设有第一管脚，所述第一管脚的一端通过第一弹簧连接所述空心阳极棒的内壁，所述阴极金属层上连接有阴极空心棒，所述空心阴极棒内设有第二管脚，所述第二管脚的一端通过第二弹簧连接所述空心阴极棒的内壁。

【技术特征摘要】
1.一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，所述二氧化硅层上设有空心阳极棒，所述空心阳极棒至少部分与所述硅片层连接，所述空心阳极棒内设有第一管脚，所述第一管脚的一端通过第一弹簧连接所述空心阳极棒的内壁，所述阴极金属层上连接有阴极空心棒，所述空心阴极棒内设有第二管脚，所述第二管脚的一端通过第二弹簧连接所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲濬，蒋文甄，
申请(专利权)人：泰州优宾晶圆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32