一种高压硅堆制造技术

本发明专利技术公开了一种高压硅堆，所述底座和引线的材料是无氧铜，因为铜稍硬、极坚韧、耐磨损，而且其延展性、导热和导电性能都很好，所述引线表面上有一层镍，可起到防止氧化、生锈以及耐腐蚀的作用，所述灌封层为环氧树脂，环氧树脂不仅介电性能好，变定收缩率小，而且制品尺寸稳定性好、硬度高、柔韧性较好,所述硅堆本体内四周都填充环氧树脂层，可以对本体内的二极管起到很好的保护作用，该高压硅堆有电压高、使用寿命长、散热好的优点，具有广阔的市场前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，特别涉及一种高压硅堆。
技术介绍
高压硅堆广泛用于黑白/彩色电视机、彩色显示器、监视器、高清晰度彩电回扫变压器、及其它一些电子仪器设备，甚至日常生活中的微波炉，都是一个很大的应用领域。随着科学技术和电子科学的飞速发展,高压硅堆将广泛应用于国民经济、国防建设、民用电器的各个领域，所以对高压硅堆的质量、散热性、稳定性等方面将提出更高的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高压硅堆以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：一种高压硅堆包括硅堆本体、圆柱凸起、圆形凹槽、二极管和引线，所述圆形凸起位于硅堆本体的右侧，所述圆形凹槽位于硅堆本体的左侧，所述圆形凸起和圆形凹槽上设置相应的螺纹，所述圆形凸起可以通过螺纹与另一个高压硅堆的圆形凹槽相连，所述二极管位于硅堆本体内，所述二极管间相串联，所述圆形凸起和圆形凹槽内设置引线，所述引线与二极管相连，所述硅堆本体两侧填充1.5cm的灌封层，所述二极管包括底座，焊锡层、N层、PN结和P层，所述焊锡层位于底座上，所述N层位于焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压硅堆，其特征在于，包括硅堆本体、圆柱凸起、圆形凹槽、二极管和引线，所述圆形凸起位于硅堆本体的右侧，所述圆形凹槽位于硅堆本体的左侧，所述圆形凸起和圆形凹槽上设置相应的螺纹，所述圆形凸起可以通过螺纹与另一个高压硅堆的圆形凹槽相连，所述二极管位于硅堆本体内，所述二极管间相串联，所述圆形凸起和圆形凹槽内设置引线，所述引线与二极管相连，所述硅堆本体两侧填充1.5cm的灌封层，所述二极管包括底座，焊锡层、N层、PN结和P层，所述焊锡层位于底座上，所述N层位于焊锡层上，所述PN结位于P层和N层之间。

【技术特征摘要】
1.一种高压硅堆，其特征在于，包括硅堆本体、圆柱凸起、圆形凹槽、二极管和引线，所述圆形凸起位于硅堆本体的右侧，所述圆形凹槽位于硅堆本体的左侧，所述圆形凸起和圆形凹槽上设置相应的螺纹，所述圆形凸起可以通过螺纹与另一个高压硅堆的圆形凹槽相连，所述二极管位于硅堆本体内，所述二极管间相串联，所述圆形凸起和圆形凹槽内设置引线，所述引线与二极管相连，所述硅堆本体两侧填充1.5cm的灌封层，所述二极管包括底座，焊锡层、N层、PN结和P层...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲濬，蒋文甄，
申请(专利权)人：泰州优宾晶圆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32