一种肖特基型标准CMOS全差分光电集成接收机制造技术

本发明专利技术属于光通信系统及光互连领域，涉及一种肖特基型标准ＣＭＯＳ全差分光电集成接收机，肖特基型全差分光检测器、全差分跨阻前置放大器、全差分限幅放大器、差分转单端的输出缓冲级，其中的肖特基型全差分光检测器中的两个肖特基型光电探测器的结构、形状、尺寸和面积均相同，位置对称且以制造工艺所允许的最小间距紧邻，共同构成一个近似为正方形的受光区域，其所产生的两个光生电流的大小相等但方向相反。本发明专利技术的光接收机，实现标准ＣＭＯＳ差分光接收机的全差分特性，并可实现单片集成，并能够提高光接收速度和灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种肖特基型标准ＣＭＯＳ全差分光电集成接收机，包括：　一个肖特基型全差分光检测器，其作用是将输入的光信号转换成一对差分电流信号，并为后续的差分接收电路提供一对对称且一致的输入负载；　一个全差分跨阻前置放大器，其作用是将由全差分光 检测器输出的一对差分电流信号转换成一对差分电压信号；　一个全差分限幅放大器，其作用是对全差分跨阻前置放大器输出的电压信号进行放大处理放大到数字处理单元所需要的电压水平；　一个差分转单端的输出缓冲级，与全差分限幅放大器的输出端相连 ；　其特征在于：　所述的肖特基型全差分光检测器包括各占光检测器总受光区域面积一半的第一和第二肖特基型光电探测器，其中，第一肖特基型光电探测器的两个电极分别与全差分跨阻前置放大器的一个输入端和电源端相连；第二肖特基型光电探测器的两 个电极分别与接地端和全差分跨阻前置放大器的另一个输入端相连；所述的肖特基型标准ＣＭＯＳ全差分光电集成接收机与带肖特基接触的标准ＣＭＯＳ工艺兼容，所述的肖特基型全差分光检测器中的两个肖特基型光电探测器的结构、形状、尺寸和面积均相同，位置对称且以制造工艺所允许的最小间距紧邻，共同构成一个近似为正方形的受光区域，两者所产生的两个光生电流的大小相等但方向相反。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛陆虹，余长亮，肖新东，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]