一种纳米印章的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种纳米印章的制备工艺，包括以下步骤：(1)对母板进行表面处理；(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备；(3)聚二甲基硅氧烷复合片的脱模。本发明专利技术具有工艺简单，效率高，能对母板上的图案进行高保真复制的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微加工领域，具体涉及一种纳米印章的制备工艺。
技术介绍
传统的电子束加工纳米压印印章，刻蚀时去除速率慢，样品会受到一定程度的损伤，同时产率低，制备出来的产品不理想。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术的目的是为了解决现有技术中的不足，提供一种纳米印章的制备工艺，具有工艺简单，效率高，能对母板上的图案进行高保真复制的优点。技术方案：一种纳米印章的制备工艺，包括以下步骤：(1)对母板进行表面处理：将母板放入丙酮中，在超声池中振动4-6min,将母板取出，放入乙醇中，在超声池中再振动4-6min，将母板取出，最后放入去离子水中，在超声池中再振动2-4min，取出母板；(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备：在母板上刷上脱模剂，待脱模剂成膜后，将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3-6min，脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,固化20-26h；聚二甲基硅氧烷与固化剂按8-12:1的质量比混合，搅拌均匀,在真空条件下脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在聚二甲基硅氧烷纳米片上形成聚二甲基硅氧烷预聚体，固化40-45h；将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3-6min，脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,在聚二甲基硅氧烷片上再次形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体，固化20-26h，形成聚二甲基硅氧烷复合片；(3)聚二甲基硅氧烷复合片的脱模：将聚二甲基硅氧烷复合片从母板上揭开，即得聚二甲基硅氧烷印章。进一步的，脱模剂为二甲基硅油。进一步的，步骤(2)中母板旋转均通过甩胶台进行，转速为1000-1200r/min。本专利技术与现有技术相比具有以下优点：本专利技术提供的纳米印章的制备工艺无需逐行扫描刻蚀，只需曝光一次，即可在大面积上形成图案，降低了制造成本；同时操作步骤简单，使用方便、灵活，提高压印效率，有利于推广应用；采用二甲基硅油为脱模剂，具有良好的润滑性和防韧性能，具有良好的喷出性并能使脱模部件的表面具有良好的光洁性；采用甩胶台进行旋转工作，可以较好的控制转速，同时使得聚二甲基硅氧烷在离心力的作用下加速流动，使其充分填充母板上的空腔，从而能对母板上的图案进行高保真复制。具体实施方式为了加深本专利技术的理解，下面我们将对本专利技术作进一步详述，以下实施例仅用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术保护范围的限定。一种纳米印章的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)对母板进行表面处理：将母板放入丙酮中，在超声池中振动4-6min,将母板取出，放入乙醇中，在超声池中再振动4-6min，将母板取出，最后放入去离子水中，在超声池中再振动2-4min，取出母板；(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备：在母板上刷上脱模剂，待脱模剂成膜后，将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3-6min，脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,固化20-26h；聚二甲基硅氧烷与固化剂按8-12:1的质量比混合，搅拌均匀,在真空条件下脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在聚二甲基硅氧烷纳米片上形成聚二甲基硅氧烷预聚体，固化40-45h；将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3-6min，脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,在聚二甲基硅氧烷片上再次形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体，固化20-26h，形成聚二甲基硅氧烷复合片；(3)聚二甲基硅氧烷复合片的脱模：将聚二甲基硅氧烷复合片从母板上揭开，即得聚二甲基硅氧烷印章。其中，脱模剂为二甲基硅油，步骤(2)中母板旋转均通过甩胶台进行，转速为1000-1200r/min。本专利技术提供的纳米印章的制备工艺无需逐行扫描刻蚀，只需曝光一次，即可在大面积上形成图案，降低了制造成本；同时操作步骤简单，使用方便、灵活，提高压印效率，有利于推广应用；采用二甲基硅油为脱模剂，具有良好的润滑性和防韧性能，具有良好的喷出性并能使脱模部件的表面具有良好的光洁性；采用甩胶台进行旋转工作，可以较好的控制转速，同时使得聚二甲基硅氧烷在离心力的作用下加速流动，使其充分填充母板上的空腔，从而能对母板上的图案进行高保真复制。上述具体实施方式，仅为说明本专利技术的技术构思和结构特征，目的在于让熟悉此项技术的相关人士能够据以实施，但以上内容并不限制本专利技术的保护范围，凡是依据本专利技术的精神实质所作的任何等效变化或修饰，均应落入本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米印章的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)对母板进行表面处理：将母板放入丙酮中，在超声池中振动4‑6min,将母板取出，放入乙醇中，在超声池中再振动4‑6min，将母板取出，最后放入去离子水中，在超声池中再振动2‑4min，取出母板；(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备：在母板上刷上脱模剂，待脱模剂成膜后，将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3‑6min，脱气25‑35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,固化20‑26h；聚二甲基硅氧烷与固化剂按8‑12:1的质量比混合，搅拌均匀,在真空条件下脱气25‑35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在聚二甲基硅氧烷纳米片上形成聚二甲基硅氧烷预聚体，固化40‑45h；将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3‑6min，脱气25‑35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,在聚二甲基硅氧烷片上再次形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体，固化20‑26h，形成聚二甲基硅氧烷复合片；(3)聚二甲基硅氧烷复合片的脱模：将聚二甲基硅氧烷复合片从母板上揭开，即得聚二甲基硅氧烷印章。...

【技术特征摘要】
1.一种纳米印章的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)对母板进行表面处理：将母板放入丙酮中，在超声池中振动4-6min,将母板取出，放入乙醇中，在超声池中再振动4-6min，将母板取出，最后放入去离子水中，在超声池中再振动2-4min，取出母板；(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备：在母板上刷上脱模剂，待脱模剂成膜后，将聚二甲基硅氧烷生胶，在其中加入纳米中间体和溶剂，进行超声震荡3-6min，脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转，从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,固化20-26h；聚二甲基硅氧烷与固化剂按8-12:1的质量比混合，搅拌均匀,在真空条件下脱气25-35min后，浇到母板上，用针尖去除气泡，将母板进行旋转...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，
申请(专利权)人：无锡英普林纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32