碳纳米管生长装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种碳纳米管生长装置，其包括：一反应腔，其具有一进气口；至少一微流管，其与该进气口相连接，该微流管用于碳纳米管生长用碳源气的预解离；及一加热装置，用以对通过该微流管的碳源气进行加热解离。本发明专利技术通过设置一向反应腔提供碳源气的微流管及供通过该微流管的碳源气进行高温加热的加热装置，由于微流管具有较小的管径面积，其将向反应腔内提供一解离的碳源气，进而可有效降低碳纳米管生长温度。本发明专利技术还提供一种碳纳米管生长方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是关于利用化学气相沉积法进行碳纳米管生长的。
技术介绍
碳纳米管是一种新型碳材料，由日本研究人员Iijima于1991年发现，请参见″Helical microtubules of graphitic carbon″，S Iijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳纳米管具有极优异的导电性能，且其具有几乎接近理论极限的尖端表面积(尖端表面积愈小，其局部电场愈集中)，所以碳纳米管是已知最好的场发射材料之一，它具有极低的场发射电压，可传输极大的电流密度，并且电流极稳定，因而非常适合做场发射器件的场发射材料。目前，碳纳米管的制备方法很多，其大致可分为石墨电极电弧放电沉积法、激光蒸发沉积法、及化学气相沉积法等。其中，化学气相沉积法因其可应用于大表面积的碳纳米管生长而成为目前最主要的方法之一。现有技术中已揭露一种化学气相沉积法—热化学气相沉积法，其是将表面形成有催化剂(如铁、钴、镍、或其合金)的基底置于一石英管中，采用一加热炉对该石英管内的催化剂加热至高温(如700～1200摄氏度(℃))；再将CH4、C2H2、C2H4等碳氢化合物反应气体通入高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米管生长装置，其包括：一反应腔，其具有一进气口；至少一微流管，其与该进气口相连接，该微流管用于碳纳米管生长用碳源气的预解离；及一加热装置，用以对通过该微流管的碳源气进行加热解离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆州，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]