定向生长碳纳米管阵列的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:1409600 阅读:178 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种定向生长碳纳米管阵列的装置,其包括:一反应室;一具有正极与负极的直流电源;设置在该反应室内部的一与所述电源的正极相连的第一金属板;一与所述电源的负极相连且与第一金属板相平行的第二金属板;及一处于该第一金属板与第二金属板之间的基底,该基底用于形成催化剂的表面与该第二金属板相对。另,本发明专利技术还提供一种采用该装置定向生长碳纳米管阵列的方法。本发明专利技术生长碳纳米管阵列,其成本较低且易于实现碳纳米管阵列的定向生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料
,尤其是关于一种。
技术介绍
碳纳米管是由单层或多层石墨片按一定的螺旋度卷曲而成的无缝纳米级圆筒,由于碳纳米管的径向受到纳米尺度的限域效应,为标准的一维量子线,其可表现出许多量子力学效应;且随着碳纳米管螺旋度的变化,其可呈现金属性或半导体性等。正由于碳纳米管的独特特性,使其在各学科领域具有广阔的应用前景。传统的碳纳米管生长的方法有电弧放电法、激光蒸发法及化学气相沉积法等。电弧放电法是利用气体放电将电能转化成热能与光能,继而使固体碳源蒸发进行结构重排来生长碳纳米管。激光蒸发法是利用雷射光照射固体碳源将其转化为气态碳,并在催化剂作用下生长成碳纳米管。化学气相沉积法又可称为催化热解法,其是以易分解的烃类有机物为碳源,利用过度金属元素作为催化剂分解碳源产生碳原子来形成碳纳米管。电弧放电法及激光蒸发法皆难以直接生长成定向的碳纳米管阵列。化学气相沉积法可以实现碳纳米管阵列的定向生长。现有的定向生长碳纳米管的化学气相沉积法有等离子辅助化学气相沉积法与热化学气相沉积法。然而,等离子辅助化学气相沉积法需要额外使用产生等离子的真空系统,致使其具有较高的成本;热化学气相沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种定向生长碳纳米管阵列的装置,包括一反应室;一具有正极与负极的直流电源;设置在该反应室内部的一第一金属板,其与所述电源的正极电性连接;一第二金属板,其与所述电源的负极电性连接,且与该第一金属板相平行;及一基底,其处于该第一金属板与第二金属板之间,且该基底用于形成催化剂的表面与该第二金属板相对。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:董才士
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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