形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法技术

提供了形成氮掺杂单壁纳米管的方法。所述方法包括：在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底加入到反应室中；在所述反应室中形成Ｈ↓［２］Ｏ等离子体气氛；和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述Ｈ↓［２］Ｏ等离子体气氛下所述前体间发生了化学反应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形成碳纳米管的方法，且更特别地，涉及简单且容易地形成氮掺杂的单壁碳纳米管的方法。
技术介绍
碳纳米管是碳的同素异形体且是其中一个碳原子与其他碳原子以蜂窝状成形管的形式结合在一起的材料。所述蜂窝形管的直径可仅仅为几个纳米(1纳米＝10亿)。碳纳米管具有优良的机械特征、电选择性、优良的场致发射特性和高效率储氢介质特性。 所述碳纳米管是形成了具有直径为纳米尺寸的管的卷曲石墨薄片，且具有sp2键合结构。根据所属石墨薄片的卷曲角和形状，所述碳纳米管具有电导体特性或半导体特性。根据构成壁的碳纳米管的数目，碳纳米管可分为单壁纳米管(SWNT)和多壁纳米管(MWNT)。而且，其中多个SWNT聚集在一起的束状形式通称为绳状纳米管。 可使用高级合成工艺来制备碳纳米管，所述合成工艺如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法、热化学气相沉积(热CVD)法、电解法或火焰合成法。 由于碳纳米管的优良电学特性，可将其用于制备半导体装置如CMOS装置。同时，通常地，必须在低于500℃的温度下实施半导体制造方法和半导体集成加工，以减少产品缺陷。然而，当使用传统碳纳米管合成法使碳纳米管在低于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成氮掺杂单壁纳米管（ＳＷＮＴ）的方法，该方法包括：　　　　在基底上形成催化剂金属层；　　　　将具有所述催化剂金属层的所述基底装入反应室中；　　　　在所述反应室中形成Ｈ↓［２］Ｏ等离子体气氛；和　　　　通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述Ｈ↓［２］Ｏ等离子体气氛下所述前体间发生化学反应。

【技术特征摘要】
KR 2006-1-5 1394/06所定义的本发明的精神和范围的情形下，在此可在形式和细节上作出多种改变。权利要求1.一种形成氮掺杂单壁纳米管(SWNT)的方法，该方法包括在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底装入反应室中；在所述反应室中形成H2O等离子体气氛；和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述H2O等离子体气氛下所述前体间发生化学反应。2.根据权利要求1的方法，其中将所述反应室的内侧维持在400-600℃的温度，同时生长所述的氮掺杂单壁纳米管。3.根据权利要求1的方法，其中所述碳前体和所述氮前体控制成以每...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵恩珠，闵约赛，朴玩濬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]