【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光学元件抛光后的清洗方法,具体涉及一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法。
技术介绍
ICF激光器性能的不断提高对所应用晶体的损伤阈值也提出进一步的要求,同时晶体的损伤阈值也直接决定了激光输出的能量密度和自身的使用寿命。KDP(KH2PO4)晶体是惯性约束核聚变(ICF) 高功率激光器中用于电光开关和激光倍频和三倍频的光学材料,该晶体具有质软、易潮解、易开裂、对温度变化敏感和脆性高等特点,加工过程中非常容易产生缺陷层、残余应力和亚表面损伤。而目前广泛使用的金刚石单点飞切技术不可避免地留下飞切刀纹及亚表面缺陷,不利于其激光损伤阈值的提高,现阶段KDP晶体的实际激光损伤阈值远低于理论值。磁流变抛光技术主要通过切向力对待加工工件表层进行微量去除,具有亚表面缺陷少,残余应力小等特点,在光学元件精密抛光领域获得广泛应用。在高强度的梯度磁场中,磁流变抛光液变硬成为具有粘塑性的Bingham介质,并将抛光粉反向顶到缎带表面,当这种介质通过工件与运动盘形成的很小空隙时,对工件表面与之接触的区域产生一定的剪切力,从而使工件表面的材料被去除。在磁流变抛光过程中,由于磁流变流体的可控制性,可以调节流变液屈服应力的大小及磁场分布来控制微量去除效率及表面质量,而且磨屑随着磁流变液的循环被带走,不会划伤工件加工面。磁流变抛光技术中普遍使用铁粉作为磁敏材料,实际抛光过程中铁粉不可避免与工件表面接触,会残留一定量的铁颗粒及铁离子。由于铁原子外层电子跃迁能级势垒与高功率激光频率较为接近,铁离子容易吸收激光而导致微观区域局部温度过高对元件形成损伤,降低了光学元件的激光损伤阈 ...
【技术保护点】
一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对磁流变抛光后的KDP晶体进行射流清洗;(2)对步骤(1)中射流清洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合清洗剂清洗;(3)对步骤(2)中清洗后的KDP晶体再次进行复合超声频率组合清洗剂清洗。
【技术特征摘要】
1.一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对磁流变抛光后的KDP晶体进行射流清洗;(2)对步骤(1)中射流清洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合清洗剂清洗;(3)对步骤(2)中清洗后的KDP晶体再次进行复合超声频率组合清洗剂清洗。2.根据权利1所述的KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法,其特征在于:所述步骤(1)中射流清洗所用清洗剂为酮类、醚类化合物中的一种或多种。3.根据权利1所述的KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法,其特征在于:所述步骤(2)中复合超声频率涵盖28-15...
【专利技术属性】
技术研发人员:王超,王宝瑞,吉方,黄文,何建国,李晓媛,汤光平,张云飞,魏齐龙,罗清,郑永成,朱元庆,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,
类型:发明
国别省市:四川;51
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