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本发明提供了一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法，包括以下步骤：（1）对抛光后的KDP晶体进行射流冲洗；（2）对射流冲洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合溶剂清洗；（3）在步骤（2）中，组合清洗剂包括胺类和醇类清洗剂；（4）在步骤（2）中，...该专利属于中国工程物理研究院机械制造工艺研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院机械制造工艺研究所授权不得商用。
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本发明提供了一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法，包括以下步骤：（1）对抛光后的KDP晶体进行射流冲洗；（2）对射流冲洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合溶剂清洗；（3）在步骤（2）中，组合清洗剂包括胺类和醇类清洗剂；（4）在步骤（2）中，...