高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺制造技术

一种高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺，步骤如下：１．在硅片上淀积薄铬薄金层；２．在薄铬薄金层表面甩底层光刻胶，并前烘固化；３．淀积中间绝缘层；４．涂顶层电子束光刻胶，进行电子束光刻；５．各向异性刻蚀中间绝缘层图形；６．各向异性刻蚀底层光刻胶图形；７．将片子放在电镀液中电镀高高宽比深亚微米、纳米金属结构；８．去除中间绝缘层图形；９．去除底层光刻胶图形；１０．去薄铬薄金层，完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构。本发明专利技术的工艺，采用三层胶图形转移技术，一次正面电子束光刻，二次各向异性刻蚀进行图形转移获得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，能满足纳米尺度的微机械系统元件要求，并大批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺，其特征在于，高高宽比深亚微米、纳米金属结构的形成是：先在硅片正面上淀积电镀衬基，甩底层光刻胶和淀积绝缘层，再用电子束光刻深亚微米、纳米金属结构图形，并以其为掩蔽各向异性刻蚀绝缘层和底层光刻胶形成电镀模子，电镀出高高宽比深亚微米、纳米金属结构，再去中间绝缘层，去除底层光刻胶，最后去除底层光刻胶下的电镀衬基，从而制成高高宽比深亚微米、纳米金属结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢常青，叶甜春，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]