硅纳米线的制备方法技术

本发明专利技术属于纳米器件制造工艺技术领域，具体涉及硅纳米线一种制备工艺。其特征在于，在硅衬底上形成硅金纳米合金粒或金溶胶粒，从而可能在ＰＥＣＶＤ系统下生长硅纳米线。具体步骤为：（１）在硅衬底上用物理方法形成硅金纳米粒，或者用化学方法形成金溶胶粒；（２）将带有硅金合金粒或金溶胶粒的硅底进入等离子体增强化学气相沉积系统生长纳米线。本发明专利技术的优点在于与硅平面技术兼容；易实现硅纳米线掺杂。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一硅衬底，该硅衬底为ｎ型单晶硅，电阻率为２～４Ωｃｍ；步骤２：对该硅衬底进行清洗；步骤３：在硅衬底上真空下热蒸一层金膜；步骤４：将热蒸有金膜的硅衬 底高温退火，形成硅金纳米粒；步骤５：采用等离子体增强化学气相沉积的方法在硅金纳米粒上生长硅纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾湘波，廖显伯，刁宏伟，向贤碧，孔光临，徐艳月，张世斌，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]