【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种自支撑大高宽比聚合物结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在衬底上制作牺牲层：清洗衬底，烘烤去除水汽，自然冷却到室温后，在衬底上涂覆聚合物薄膜或沉积金属薄膜，作为牺牲层；（2）制作大高宽比微结构：在步骤（1）所述的牺牲层上，涂覆光刻胶，烘烤，去除光刻胶内部的溶剂，自然冷却到室温后，对光刻胶进行曝光，显影，最后清洗，得到大高宽比微结构；（3）去除牺牲层：将步骤（2）获得的大高宽比微结构置于聚合物薄膜溶解液或金属腐蚀液中，去除牺牲层，获得自支撑大高宽比聚合物结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周杰，曹国威，王皖君，郭进，冯俊波，滕婕，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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