半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有：第一半导体芯片，具有第一面、与第一面为相反侧的第二面、设置在第一面的第一电极、设置在第二面的第二电极、及将第一电极与第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与第一面对向配置的第三面、作为第三面的相反侧的面的第四面及设置在第四面的第三电极；金属导线，将第三电极与第一电极电连接；第一绝缘层，配置在第一半导体芯片的第二面，且具有第一开口部；第一导电层，配置在第一开口部及第一绝缘层上的一部分，且在第一开口部与第二电极电连接；及第一外部端子，电连接于第一导电层。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-70401号(申请日：2015年3月30日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
近年来，众所周知的是在一个半导体装置包含有多个半导体芯片。
技术实现思路
本专利技术的实施方式减少半导体装置的面积。实施方式的半导体装置具有：第一半导体芯片，具有第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、设置在所述第一面的第一电极、设置在所述第二面的第二电极、以及将所述第一电极与所述第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与所述第一面对向配置的第三面、作为所述第三面的相反侧的面的第四面、以及设置在所述第四面的第三电极；金属导线，将所述第三电极与所述第一电极电连接；第一绝缘层，配置在所述第一半导体芯片的所述第二面且具有第一开口部；第一导电层，配置在所述第一开口部及所述第一绝缘层上的一部分，且在所述第一开口部与所述第二电极电连接；以及第一外部端子，电连接于所述第一导电层。附图说明图1是说明第一实施方式的半导体装置的示意性剖视图。图2是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图3是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图4是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图5是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图6是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图7是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图8是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图9是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图10是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图11是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图12是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图13是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图14是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图15是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图。图16是说明第一实施方式的半导体装置的第三变形例的示意性剖视图。图17是说明第一实施方式的半导体装置的第六变形例的示意性剖视图。具体实施方式以下，一面参照附图一面对实施方式进行说明。在以下的说明中，对于大致相同的功能及构成要素标注相同的符号。(第1实施方式)使用图1对第一实施方式的半导体装置5进行说明。图1是示意性地表示切割后的晶片的剖视图。此处，示出2个单片化的第一半导体芯片20。此外，为了便于观看，存在仅对2个第一半导体芯片20中的一者标注符号的情况。半导体装置5包含第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、以及第三半导体芯片100。第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、第三半导体芯片100以阶梯状配置。在第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、第三半导体芯片100的周围配置着树脂层140。第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、第三半导体芯片100例如为半导体存储装置，具体而言为NAND(Not And，与非)存储器。或者，第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、第三半导体芯片100中的一个半导体芯片为半导体存储装置的控制器。在第一半导体芯片20与第二半导体芯片70之间设置着第二粘接材层80。在第二半
导体芯片70与第三半导体芯片100之间设置着第三粘接材层110。第二粘接材层80及第三粘接材层110粘接上下的半导体芯片。第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、第三半导体芯片100分别具有第一电极垫60、第二电极垫90、第三电极垫120。以下，在无须区分第一半导体芯片20、第二半导体芯片70、第三半导体芯片100的情况下简单地称为半导体芯片。另外，在无须区分第一电极垫60、第二电极垫90、第三电极垫120的情况下简单地称为电极垫。金属导线130将第一电极垫60、第二电极垫90、第三电极垫120电连接。金属导线130例如为Au导线或Cu导线等金属导线。此外，金属导线130可将任意半导体芯片的电极垫间电连接。例如，金属导线130可将第一电极垫60与第二电极垫90、或第一电极垫60与第三电极垫120连接。另外，在半导体芯片具有多个电极垫与多个金属导线130的情况下，各个金属导线130可将任意的半导体芯片间电连接。第一半导体芯片20具有第一面20a与第二面20b。另外，第一半导体芯片20具有第一导电接点50b、50c。第一面20a具有第一电极垫60。第一面20a在其附近具有晶体管等电路元件、配线、接点或电极。第二面20b是第一半导体芯片20的与第一面20a为相反侧的面，且具有第一电极40a、40b、40c。第一电极垫60与金属导线130及第一导电接点50c电连接。此外，第一电极垫60也可与配置在第一面20a附近的晶体管等电路元件、配线、接点或电极连接。第一电极40a、40b、40c是设置在第二面20b的电极。第一电极40a、40b、40c包含导电层，且是使用例如激光加工与溅镀而形成。此外，在无须特意区分的情况下，第一电极40a、40b、40c称为第一电极40。第一电极40a与第一导电层160a电连接。第一电极40b与第一导电接点50b及第一导电层160b电连接。也就是说，第一电极40b是经由第一导电接点50b而将配置在第一面20a附近的晶体管等电路元件、配线、接点或电极与第一电极40b电连接。第一电极40c与第一导电接点50c及第一导电层160电连接。也就是说，第一电极40c是经由第一导电接点50c及金属导线130而与第二半导体芯片70及第三半导体芯片100连接。第一导电接点50b、50c是包含导电层的接点。第一导电接点50是包含例如铜或镍的接点。第一导电接点50b将配置在第一面20a附近的晶体管等电路元件、配线、接点或电极与第一电极40b电连接。第一导电接点50c将第一电极垫60与第一电极40c电
连接。此外，在无须特意区分的情况下，第一导电接点50b、50c称为第一导电接点50。第一导电接点50贯通第一半导体芯片20而配置。或者，第一导电接点50也可不贯通第一半导体芯片20的一部分即可连接于配置在第一面20a或第二面20b附近的电极(包含第一电极40、第一电极垫60，也可为其他电极)。第二半导体芯片70、第三半导体芯片100也可为任意的半导体芯片且是与第一半导体芯片20相同构造的半导体芯片。第二半导体芯片70与第三半导体芯片100分别具有第三面70a与第四面70b、第五面100a与第六面100b。第三面70a与第五面100a是在其附近配置着晶体管等电路元件、配线或接点等的面。第三面70a及第五面100a配置在图1的下方侧。第四面70b与第六面100b分别具有第二电极垫90、第三电极垫120。第一绝缘层150配置在第一半导体芯片20的第二面20b及树脂层140上。第一绝缘层150例如为聚酰亚胺。树脂层140存在与第一绝缘层150的下表面及侧面接触的情况。从上方观察存在如下情况，即第一绝缘层150在与第一半导体芯片20重叠的区域配置得较该区域的周围更低。因此，与第一半导体芯片20重叠的区域的第一绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于具有：第一半导体芯片，具有第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、设置在所述第一面的第一电极、设置在所述第二面的第二电极、以及将所述第一电极与所述第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与所述第一面对向配置的第三面、作为所述第三面的相反侧的面的第四面、以及设置在所述第四面的第三电极；金属导线，将所述第三电极与所述第一电极电连接；第一绝缘层，配置在所述第一半导体芯片的所述第二面，且具有第一开口部；第一导电层，配置在所述第一开口部及所述第一绝缘层上的一部分，且在所述第一开口部与所述第二电极电连接；以及第一外部端子，电连接于所述第一导电层。

【技术特征摘要】
2015.03.30 JP 2015-0704011.一种半导体装置，其特征在于具有：第一半导体芯片，具有第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、设置在所述第一面的第一电极、设置在所述第二面的第二电极、以及将所述第一电极与所述第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与所述第一面对向配置的第三面、作为所述第三面的相反侧的面的第四面、以及设置在所述第四面的第三电极；金属导线，将所述第三电极与所述第一电极电连接；第一绝缘层，配置在所述第一半导体芯片的所述第二面，且具有第一开口部；第一导电层，配置在所述第一开口部及所述第一绝缘层上的一部分，且在所述第一开口部与所述第二电极电连接；以及第一外部端子，电连接于所述第一导电层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具有：第二导电层，配置在所述第一导电层的正上方；第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层与所述第二导电层上，且具有第二开口部；以及第三导电层，配置在所述第二开口部内，且在所述第二开口部与所述第二导电层电连接；且所述第一外部端子配置在所述第三导电层的正上方。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一面具备第一电路元件，所述第四面具备第二电路元件，所述第二电路元件与所述第三电极电连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第二面具备第四电极，所述第一半导体芯片具备将所述第一电路元件与所述第四电极电连接的第二接点，所述第一绝缘层具备第三开口部，且所述半导体装置还具备：第四导电层，配置在所述第三开口部及所述第四电极上的一部分，且在所述第三开口部与所述第四电极电连接；以及第二外部端子，电连接于所述第四导电层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于还具备：第二导电层，配置在所述第一导电层的正上方；第五导电层，配置在所述第四导电层的正上方；第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层、所述第二导电层与所述第五导电层上，且具有第二开口部与第四开口部；第三导电层，配置在所述第二开口部内，且在所述第二开口部与所述第二导电层电连接；以及第六导电层，配置在所述第四开口部内，且在所述第四开口部与所述第五导电层电连接；所述第一外部端子配置在所述第三导电层的正上方，所述第二外部端子配置在所述第六导电层的正上方。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片具有实质上相同的构造。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一外部端子为焊料凸块。8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹭谷纯，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP