【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-70401号(申请日：2015年3月30日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
近年来，众所周知的是在一个半导体装置包含有多个半导体芯片。
技术实现思路
本专利技术的实施方式减少半导体装置的面积。实施方式的半导体装置具有：第一半导体芯片，具有第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、设置在所述第一面的第一电极、设置在所述第二面的第二电极、以及将所述第一电极与所述第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与所述第一面对向配置的第三面、作为所述第三面的相反侧的面的第四面、以及设置在所述第四面的第三电极；金属导线，将所述第三电极与所述第一电极电连接；第一绝缘层，配置在所述第一半导体芯片的所述第二面且具有第一开口部；第一导电层，配置在所述第一开口部及所述第一绝缘层上的一部分，且在所述第一开口部与所述第二电极电连接；以及第一外部端子，电连接于所述第一导电层。附图说明图1是说明第一实施方式的半导体装置的示意性剖视图。图2是说明第一实施...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于具有：第一半导体芯片，具有第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、设置在所述第一面的第一电极、设置在所述第二面的第二电极、以及将所述第一电极与所述第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与所述第一面对向配置的第三面、作为所述第三面的相反侧的面的第四面、以及设置在所述第四面的第三电极；金属导线，将所述第三电极与所述第一电极电连接；第一绝缘层，配置在所述第一半导体芯片的所述第二面，且具有第一开口部；第一导电层，配置在所述第一开口部及所述第一绝缘层上的一部分，且在所述第一开口部与所述第二电极电连接；以及第一外部端子，电连接于所述第一导电层。
【技术特征摘要】
2015.03.30 JP 2015-0704011.一种半导体装置，其特征在于具有：第一半导体芯片，具有第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、设置在所述第一面的第一电极、设置在所述第二面的第二电极、以及将所述第一电极与所述第二电极电连接的第一接点；第二半导体芯片，具有与所述第一面对向配置的第三面、作为所述第三面的相反侧的面的第四面、以及设置在所述第四面的第三电极；金属导线，将所述第三电极与所述第一电极电连接；第一绝缘层，配置在所述第一半导体芯片的所述第二面，且具有第一开口部；第一导电层，配置在所述第一开口部及所述第一绝缘层上的一部分，且在所述第一开口部与所述第二电极电连接；以及第一外部端子，电连接于所述第一导电层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具有：第二导电层，配置在所述第一导电层的正上方；第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层与所述第二导电层上，且具有第二开口部；以及第三导电层，配置在所述第二开口部内，且在所述第二开口部与所述第二导电层电连接；且所述第一外部端子配置在所述第三导电层的正上方。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一面具备第一电路元件，所述第四面具备第二电路元件，所述第二电路元件与所述第三电极电连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第二面具备第四电极，所述第一半导体芯片具备将所述第一电路元件与所述第四电极电连接的第二接点，所述第一绝缘层具备第三开口部，且所述半导体装置还具备：第四导电层，配置在所述第三开口部及所述第四电极上的一部分，且在所述第三开口部与所述第四电极电连接；以及第二外部端子，电连接于所述第四导电层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于还具备：第二导电层，配置在所述第一导电层的正上方；第五导电层，配置在所述第四导电层的正上方；第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层、所述第二导电层与所述第五导电层上，且具有第二开口部与第四开口部；第三导电层，配置在所述第二开口部内，且在所述第二开口部与所述第二导电层电连接；以及第六导电层，配置在所述第四开口部内，且在所述第四开口部与所述第五导电层电连接；所述第一外部端子配置在所述第三导电层的正上方，所述第二外部端子配置在所述第六导电层的正上方。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片具有实质上相同的构造。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一外部端子为焊料凸块。8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。