发光单元及半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能以简单的构造将多芯片封装体中的多个发光元件间连接的发光单元及半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置具有：多个发光元件，分别具有两个外部端子；及树脂层，一体地支持多个发光元件。多个发光元件包含沿第一方向排列的n个发光元件。n个发光元件的(2×n)个外部端子沿第一方向排列。(2×n)个外部端子中，第一方向的一端的外部端子与第一垫接合，第一方向的另一端的外部端子与第二垫接合，一端的外部端子与另一端的外部端子之间的外部端子与第三垫接合。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有将日本专利申请案2014-187250号(申请日：2014年9月16日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种发光单元及半导体发光装置。
技术介绍
提出有一种在包含发光层的芯片的一面侧设置着荧光体层、在另一面侧设置着电极、配线层及树脂层的芯片尺寸封装体构造的半导体发光装置。另外，也提出有在多芯片封装体中利用封装体内的配线层将多个芯片间电连接的构造。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能以简单的构造将多芯片封装体中的多个发光元件间连接的发光单元及半导体发光装置。根据实施方式，发光单元包括安装衬底及半导体发光装置。所述安装衬底具有第一垫、第二垫、及设置在所述第一垫与所述第二垫之间的第三垫。所述半导体发光装置具有：多个发光元件，分别具有两个外部端子；及树脂层，一体地支持所述多个发光元件。所述多个发光元件包含沿第一方向排列的n(n为2以上的整数)个发光元件。所述n个发光元件的(2×n)个所述外部端子沿所述第一方向排列。所述(2×n)个外部端子中，所述第一方向的一端的外部端子与所述第一垫接合，所述第一方向的另一端的外部端子与所述第二垫接合，所述一端的外部端子与所述另一端的外部端子之间的外部端子与所述第三垫接合。附图说明图1是实施方式的发光单元的示意俯视图。图2(a)是实施方式的安装衬底的示意俯视图，(b)是实施方式的半导体发光装置的示意俯视图。图3是实施方式的半导体发光装置的示意剖视图。图4是表示实施方式的半导体发光装置的电极布局的示意俯视图。图5是实施方式的半导体发光装置的局部示意剖视图。图6是实施方式的安装衬底的示意俯视图。图7是实施方式的发光单元的示意俯视图。图8(a)是实施方式的安装衬底的示意俯视图，(b)是实施方式的半导体发光装置的示意俯视图。图9是实施方式的发光单元的示意俯视图。图10(a)是实施方式的安装衬底的示意俯视图，(b)是实施方式的半导体发光装置的示意俯视图。图11是实施方式的半导体发光装置的示意剖视图。图12是实施方式的半导体发光装置的示意俯视图。图13是实施方式的半导体发光装置的示意剖视图。图14是实施方式的半导体发光装置的示意剖视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，在各附图中，对相同要素标注相同符号。图1是实施方式的发光单元的示意俯视图。图2(a)是实施方式的安装衬底70的示意俯视图。图2(b)是实施方式的半导体发光装置1的示意俯视图。图3是实施方式的半导体发光装置1的示意剖视图。图2(b)表示半导体发光装置1的安装面，与图3所示的半导体发光装置1的仰视图对应。图1表示以图2(b)所示的半导体发光装置1的安装面朝向图2(a)所示的安装衬底70的垫81～83的方式将半导体发光装置1安装在安装衬底70的状态。图1是在将半导体发光装置1安装在安装衬底70的状态下从半导体发光装置1的上表面侧(安装面的相反
侧)观察的示意俯视图。半导体发光装置1具有多个发光元件10。在图1、图2(b)及图3所示的示例中，半导体发光装置1具有例如两个发光元件10。多个发光元件10以晶片级由树脂层25予以封装，树脂层25一体地支持着多个发光元件10。从上表面或上表面的相反侧的安装面侧观察半导体发光装置1的外形形状例如为矩形。在该矩形的长边方向(第一方向X)排列着例如两个发光元件10。各个发光元件10具有相同的构成。如图3所示，发光元件10具备包含发光层13的半导体层15。半导体层15具有厚度方向的一侧(第一侧)15a及该第一侧15a的相反侧的第二侧15b(图4)。图4是一个发光元件10中的半导体层15的第二侧15b的示意俯视图，且表示p侧电极16与n侧电极17的平面布局的一例。半导体层15的第二侧15b具有包含发光层13的部分(发光区域)15e及不含发光层13的部分15f。包含发光层13的部分15e是半导体层15中积层着发光层13的部分。不含发光层13的部分15f是半导体层15中未积层发光层13的部分。包含发光层13的部分15e表示成为能够将发光层13所发出的光提取至外部的积层构造的区域。在第二侧15b，在包含发光层13的部分15e上设置着p侧电极16作为第一电极，在不含发光层的部分15f上设置着n侧电极17作为第二电极。在图4所示的示例中，不含发光层13的部分15f包围着包含发光层13的部分15e，n侧电极17包围着p侧电极16。电流通过p侧电极16及n侧电极17而供给到发光层13，从而发光层13发光。而且，从发光层13放射的光从第一侧15a出射到半导体发光装置1的外部。如图3所示，在半导体层15的第二侧设置着支持体100。包含半导体层15、p侧电极16及n侧电极17的发光元件10由设置在第二侧的支持体100支持。在半导体层15的第一侧15a，设置着荧光体层30作为对半导体发光装置1的发射光赋予所需的光学特性的光学层。荧光体层30包含多个粒子状的荧光体31。荧光体31被发光层13的放射光激发，而放射与该放射光不同波长的光。多个荧光体31通过结合材料32而一体化。结合材料32使发光层13的放射光及荧光体31的放射光透过。此处，所谓「透过」，并不限于透过率为100％的情况，也包含吸收光的一部分的情况。半导体层15具有第一半导体层11、第二半导体层12、及发光层13。发光层13设置在第一半导体层11与第二半导体层12之间。第一半导体层11及第二半导体层12包
含例如氮化镓。第一半导体层11包含例如基底缓冲层、n型GaN层。第二半导体层12包含例如p型GaN层。发光层13包含发出蓝、紫、蓝紫、紫外光等的材料。发光层13的发光峰值波长例如为430～470nm。半导体层15的第二侧被加工成凹凸形状。该凸部是包含发光层13的部分15e，凹部是不含发光层13的部分15f。包含发光层13的部分15e的表面是第二半导体层12的表面，在第二半导体层12的表面设置着p侧电极16。不含发光层13的部分15f的表面是第一半导体层11的表面，在第一半导体层11的表面设置着n侧电极17。在半导体层15的第二侧，包含发光层13的部分15e的面积大于不含发光层13的部分15f的面积。另外，设置在包含发光层13的部分15e的表面的p侧电极16的面积大于设置在不含发光层13的部分15f的表面的n侧电极17的面积。由此，可获得较广的发光面，从而可提高光输出。如图4所示，n侧电极17具有例如四条直线部，在其中的一条直线部设置着在该直线部的宽度方向上突出的接触部17c。如图3所示，在该接触部17c的表面连接n侧配线层22的通孔22a。如图3所示，半导体层15的第二侧、p侧电极16及n侧电极17由绝缘膜(第一绝缘膜)18覆盖。绝缘膜18例如为氧化硅膜等无机绝缘膜。绝缘膜18还设置在发光层13的侧面及第二半导体层12的侧面，并覆盖这些侧面。另外，绝缘膜18还设置在半导体层15中的从第一侧15a连续的侧面(第一半导体层11的侧面)15c，并覆盖该侧面15c。进而，绝缘膜18还设置在半导体层15的侧面15c周围的芯片外周部。设置在芯片外周部的绝缘膜18在第一侧15a向远离侧面15c的方向延伸。在第二侧的绝缘膜18上，相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光单元，其特征在于包括：安装衬底，具有第一垫、第二垫、及设置在所述第一垫与所述第二垫之间的第三垫；以及半导体发光装置，包含分别具有两个外部端子的多个发光元件、及一体地支持所述多个发光元件的树脂层；且所述多个发光元件包含在第一方向排列的n个发光元件，其中n为2以上的整数；所述n个发光元件的2×n个所述外部端子在所述第一方向排列；所述2×n个外部端子中，所述第一方向的一端的外部端子与所述第一垫接合，所述第一方向的另一端的外部端子与所述第二垫接合，所述一端的外部端子与所述另一端的外部端子之间的外部端子与所述第三垫接合。

【技术特征摘要】
2014.09.16 JP 2014-1872501.一种发光单元，其特征在于包括：安装衬底，具有第一垫、第二垫、及设置在所述第一垫与所述第二垫之间的第三垫；以及半导体发光装置，包含分别具有两个外部端子的多个发光元件、及一体地支持所述多个发光元件的树脂层；且所述多个发光元件包含在第一方向排列的n个发光元件，其中n为2以上的整数；所述n个发光元件的2×n个所述外部端子在所述第一方向排列；所述2×n个外部端子中，所述第一方向的一端的外部端子与所述第一垫接合，所述第一方向的另一端的外部端子与所述第二垫接合，所述一端的外部端子与所述另一端的外部端子之间的外部端子与所述第三垫接合。2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于：各个所述发光元件具有第一电极及第二电极；所述n个发光元件的所述2×n个外部端子具有连接在所述第一电极的n个第一外部端子、及连接在所述第二电极的n个第二外部端子；所述第一外部端子与所述第二外部端子在所述第一方向交替地排列。3.根据权利要求2所述的发光单元，其特征在于：在所述第一方向相邻的两个发光元件中，一个发光元件的所述第一外部端子及另一个发光元件的所述第二外部端子与共用的所述第三垫接合。4.根据权利要求1至3中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：小幡进，小岛章弘，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP