一种DMOS器件制造技术

本发明专利技术提供一种DMOS器件，包括：多个VDMOS管芯，其中每个所述VDMOS管芯均包括半导体衬底，位于所述半导体衬底正面的外延层，位于管芯外侧的所述外延层表面上的介质层和所述介质层上的浮空场板构成的结终端表面结构，其中，所有相邻VDMOS管芯位于外侧的所述浮空场板通过金属桥连接。根据本发明专利技术的器件，增加场板间的金属连桥可以有效降低VDMOS在击穿电压到达前的漏电水平，提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种DMOS器件。
技术介绍
在半导体集成电路中，以双扩散场效应晶体管为基础的电路，简称DMOS，利用两种杂质原子的侧向扩散速度差，形成自对准的亚微米沟道，可以达到很高的工作频率和速度。在0.35um DMOS工艺中，器件多采用金属场板改善耗尽区边缘电场分布来提高耐压水平，如下图1所示，器件包括，N+半导体衬底100，形成于N+半导体衬底100上的N-外延层101，形成于器件外侧的介质层103以及位于介质层103上方的金属场板104，形成于半导体衬底100背面的金属背电极102。DMOS器件中，在到达电压击穿点之前的漏电水平是器件性能的重要指标之一。为了提升击穿电压，降低关断状态的漏电水平，各种结终端技术应运而生，采用金属场板技术是结终端技术中常见的一种。在VDMOS器件金属背电极102(即NMOS漏端)加正向电压，氧化物介质层上的浮空金属场板会与介质层及下方的硅形成耦合电容形成感应电荷增加表面耗尽，提高曲率半径从而提高击穿，耗尽层曲线如图2中箭头所指曲线所示。金属场板可以增加耗尽层曲率半径，提升击穿电压，但由于工艺过程中的介质层容易在高密本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DMOS器件，包括：多个VDMOS管芯，其中每个所述VDMOS管芯均包括半导体衬底，位于所述半导体衬底正面的外延层，位于管芯外侧的所述外延层表面上的介质层和所述介质层上的浮空场板构成的结终端表面结构，其中，所有相邻VDMOS管芯位于外侧的所述浮空场板通过金属桥连接。

【技术特征摘要】
1.一种DMOS器件，包括：多个VDMOS管芯，其中每个所述VDMOS管芯均包括半导体衬底，位于所述半导体衬底正面的外延层，位于管芯外侧的所述外延层表面上的介质层和所述介质层上的浮空场板构成的结终端表面结构，其中，所有相邻VDMOS管芯位于外侧的所述浮空场板通过金属桥连接。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，半导体衬底为N+型半导体衬底，所述外延层为N-型外延层。3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述浮空场板为浮空金属场板。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述浮空金属场板的材料选自金属铝、铜、金、银、铂中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖远宝，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32