减小DMOS色差的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种减小DMOS色差的方法及装置。该方法包括：依据预设光罩对DMOS进行接触孔腐蚀，预设光罩用于遮挡DMOS的预设区域，以保留预设区域的氧化层；在DMOS的表面淀积铝硅铜合金，以使铝硅铜合金与氧化层互融；湿法腐蚀铝硅铜合金中的铝和铜，以使铝硅铜合金中的硅留在氧化层的表面；依据干法扫硅渣方法去除氧化层的表面上的硅。本发明专利技术实施例通过对现有的光罩进行改进，以使DMOS进行接触孔腐蚀时，保留该预设区域的氧化层，湿法腐蚀淀积在氧化层上的铝硅铜合金使硅留在氧化层的表面，干法扫硅渣时硅被腐蚀的速度大于氧化层被腐蚀的速度，保证干法扫硅渣后氧化层上出现的凹坑较小，大大改善了DMOS产品的外观。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体器件制作工艺领域，尤其涉及一种减小DMOS色差的方法及装置。
技术介绍
双扩散金属氧化物半导体(DoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor，简称DMOS)集成电路用耗尽型金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor,简称MOS)晶体管作负载管，用增强型MOS晶体管作驱动管组成反相器，并以该反相器作为集成电路的基本单元。现有技术中DMOS产品的制作工艺包括接触孔腐蚀，在接触孔腐蚀过程中，特定区域如切割道和封装对位标志区域的氧化层容易被腐蚀掉，导致该特定区域的硅衬底暴露出来，在后续铝硅铜合金淀积过程中，铝硅铜合金直接与硅衬底接触并互融，通过湿法腐蚀铝铜后在硅衬底表面上留下硅渣，干法扫硅渣后硅衬底表面出现较大凹坑，影响DMOS产品的外观。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种减小DMOS色差的方法及装置，以改善DMOS产品的外观。本专利技术实施例的一个方面是提供一种减小DMOS色差的方法，包括：依据预设光罩对DMOS进行接触孔腐蚀，所述预设光罩用于遮挡所述DMOS的预设区域，以保留所述预设区域的氧化层；在所述DM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小DMOS色差的方法，其特征在于，包括：依据预设光罩对DMOS进行接触孔腐蚀，所述预设光罩用于遮挡所述DMOS的预设区域，以保留所述预设区域的氧化层；在所述DMOS的表面淀积铝硅铜合金，以使所述铝硅铜合金与所述氧化层互融；湿法腐蚀所述铝硅铜合金中的铝和铜，以使所述铝硅铜合金中的硅留在所述氧化层的表面；依据干法扫硅渣方法去除所述氧化层的表面上的硅。

【技术特征摘要】
1.一种减小DMOS色差的方法，其特征在于，包括：依据预设光罩对DMOS进行接触孔腐蚀，所述预设光罩用于遮挡所述DMOS的预设区域，以保留所述预设区域的氧化层；在所述DMOS的表面淀积铝硅铜合金，以使所述铝硅铜合金与所述氧化层互融；湿法腐蚀所述铝硅铜合金中的铝和铜，以使所述铝硅铜合金中的硅留在所述氧化层的表面；依据干法扫硅渣方法去除所述氧化层的表面上的硅。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝硅铜合金中的硅与所述氧化层的选择比为1.5。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述干法扫硅渣方法为各向同性反应扫硅渣方法。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各向同性反应扫硅渣方法采用的主刻气体为CF4/O2。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述铝硅铜合金的宽度大于20微米。6.一种减小DMOS色差的装置，其特征在于，包括：腐蚀模块，用于依据预...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈定平，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11