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本发明提供一种DMOS器件，包括：多个VDMOS管芯，其中每个所述VDMOS管芯均包括半导体衬底，位于所述半导体衬底正面的外延层，位于管芯外侧的所述外延层表面上的介质层和所述介质层上的浮空场板构成的结终端表面结构，其中，所有相邻VDMOS管...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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