【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于在第一导电类型的衬底上的沟槽式DMOS器件中，制备带有步进分级厚度的栅极氧化物，以降低栅漏电容的方法，在X?Y?Z笛卡尔坐标系中表示，X?Y平面平行于主衬底表面，Z?轴指向上，该沟槽式DMOS器件包括：一个第一导电类型的漏极，设置在衬底的底面上；一个栅极，设置在从衬底的顶面上打开的沟槽中，该栅极具有一个多晶硅层填充沟槽，垫有带有步进分级厚度的栅极氧化物层；该步进分级厚度的栅极氧化物包括厚度为T1（X?Y平面）、深度为D1（Z?轴）的厚氧化层，覆盖着沟槽壁的底部，以及一个厚度为T2（X?Y平面）、深度为D2（Z?轴）的薄栅极氧化物，覆盖着沟槽壁的顶部，T2D2；厚度为...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁永平，雷燮光，安荷·叭剌，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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