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提出了一种在沟槽式DMOS器件中，制备带有步进分级厚度的栅极-氧化物的方法。首先，提供衬底，并且在上方制备氧化硅-氮化硅-氧化硅（ONO）保护复合层。其次，在衬底中，制备上部临时沟槽、上部沟槽保护壁以及下部临时沟槽。然后，在厚度为T1、深度...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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