一种变色OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种变色OLED器件及其制备方法。其中，所述变色OLED器件包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着有空穴注入层、空穴传输层、第一超薄发光层、中间能量转移调控层、第二超薄发光层、电子传输层、电子注入层、阴极电极；所述第一超薄发光层和第二超薄发光层为颜色不同的发光材料，所述中间能量转移调控层为主体有机材料。本发明专利技术所提供的变色OLED器件，其采用两种超薄发光体，使用物理气象沉积法制备而成，所制备的OLED器件可实现色域可调范围宽，并且该OLED器件具有效率高、低滚降、开启电压低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管元器件领域，尤其涉及一种变色OLED器件及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)主要是采用有机发光小分子以及高分子聚合物作为发光材料，并采用蒸镀或者旋涂的方式制备而成，目前OLED照明产品和OLED显示面板已经量产。在OLED显示面板中，一个像素点通常由三色(红、绿、蓝色)OLED基元器件构成，以实现颜色可调实现彩色显示的功能。颜色可调发光二极管(CT-OLED)可以在单个OLED器件中实现颜色可调的功能，这样不仅可以大大简化的制备工艺，特别是可以简化复杂的掩膜版制程，从而降低高昂的OLED制备成本，而且可以最小化像素点从而提高OLED显示屏的分辨率。因此颜色可调CT-OLED器件有望在下一代OLED显示屏中应用。但是现有技术中，颜色可调CT-OLED器件，其制作成本还是较高，消耗大量昂贵的有机发光材料，涉及掺杂工艺导致存在可重复性差，稳定性不佳、性能差等缺点。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种变色OLED器件及其制备方法，采用超薄发光层，消耗极少昂贵发光材料，并且优化后有很好性能，可以解决现有的颜色可调CT-OLED器件制作成本高，且存在可重复性差，稳定性不佳、性能差的缺点问题。本专利技术的技术方案如下：一种变色OLED器件，其中，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着有空穴注入层、空穴传输层、第一超薄发光层、中间能量转移调控层、第二超薄发光层、电子传输层、电子注入层、阴极电极；其中，所述第一超薄发光层和第二超薄发光层为颜色不同的发光材料，所述中间能量转移调控层为主体有机材料。所述的变色OLED器件，其中，所述第一超薄发光层和所述第二超薄发光层为黄光或红光或蓝光或绿光发光材料。所述的变色OLED器件，其中，所述黄光发光材料为TBRb材料，所述蓝光发光材料为DSA-ph材料。所述的变色OLED器件，其中，所述第一超薄发光层的厚度为0.1-3nm，所述第二超薄发光层的厚度为0.1-3nm。所述的变色OLED器件，其中，所述中间能量转移调控层为宽带隙带隙大于1.7电子伏特的有机半导体材料。所述的变色OLED器件，其中，所述中间能量转移调控层的厚度为10-30nm。所述的变色OLED器件，其中，所述阴极电极为金属阴极电极。一种如上所述的变色OLED器件的制备方法，其中，包括步骤：A、对ITO玻璃进行清洗和刻蚀；B、在所述ITO玻璃上沉积空穴注入层；C、在所述空穴注入层上沉积空穴传输层；D、在所述空穴传输层上沉积第一超薄发光层；E、在所述第一超薄发光层上沉积中间能量转移调控层；F、在所述中间能量转移调控层上沉积第二超薄发光层；G、在所述第二超薄发光层上沉积电子传输层；H、在所述电子传输层上沉积电子注入层；I、在所述电子注入层上沉积阴极电极制备得到变色OLED器件；其中，所述第一超薄发光层和第二超薄发光层为颜色不同的发光材料，所述中间能量转移调控层为主体有机材料。所述的制备方法，其中，在所述步骤I之后还包括：J、采用涂抹有环氧树脂胶的玻璃盖板覆盖在变色OLED器件上。所述的制备方法，其中，所述步骤A中，在清洗完成后进行烘干处理。有益效果：本专利技术所提供的变色OLED器件，其采用两种超薄发光体，使用物理气象沉积法制备而成，所制备的OLED器件可实现色域可调范围宽，并且该OLED器件具有效率高、低滚降、开启电压低的特点。附图说明图1为本专利技术的变色OLED器件的结构示意图。图2为本专利技术制备的变色OLED器件的电压-亮度图。图3为本专利技术制备的变色OLED器件的电流效率-亮度图。图4为本专利技术制备的变色OLED器件的色坐标CIE随电压变化图。图5为本专利技术制备的变色OLED器件的光谱随电压变化图。具体实施方式本专利技术提供一种变色OLED器件及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，图1为本专利技术一种变色OLED器件较佳实施例的结构示意图，如图所示，其包括ITO玻璃1，所述ITO玻璃1上从里至外依次附着有空穴注入层2、空穴传输层3、第一超薄发光层4、中间能量转移调控层5、第二超薄发光层6、电子传输层7、电子注入层8、阴极电极9；其中，所述第一超薄发光层4和第二超薄发光层6为颜色不同的发光材料，所述中间能量转移调控层5为主体有机材料。本专利技术中，使用物理气象沉积法制备变色OLED器件，选用两种颜色的发光材料(有机染料)，并且增加中间能量转移调控层5，其中的中间能量转移调控层5是一种宽LUMO-HOMO带隙的主体有机材料，而选用两种颜色的有机染料也就确定了可调色彩的范围，可调节颜色范围一般在色坐标CIE1931图中两种颜色路径上，其调色机理是因为激子复合区域随电压有规律的漂移。本专利技术所制备的变色OLED发光器件具有效率高、低滚降、开启电压低的特点。本专利技术可通过使用任意两种不同颜色的发光染料，使用一种宽有机半导体带隙(LUMO-HOMO)的主体有机材料作为中间能量转移调控层，即可实现低成本颜色可调OLED器件的制备，且可重复性高、性能稳定、性能高。所述的第一超薄发光层4和第二超薄发光层6可以是荧光材料，也可以是磷光材料，所述的第一超薄发光层4可以是黄光发光材料，所述第二超薄发光层6可以是蓝光发光材料。所述第一超薄发光层4和所述第二超薄发光层6为黄光或红光或蓝光或绿光发光材料。例如所述第一超薄发光层4可以是黄光荧光材料，所述第二超薄发光层6为蓝光荧光材料。采用上述材料制备的变色OLED器件，其色域可调范围宽，可以调节范围涵盖了浅蓝光、白光、黄光。所述第一超薄发光层4的厚度优选为0.1-3nm，例如0.3nm。所述第二超薄发光层6的厚度优选为0.1-3nm，例如0.2nm。进一步，所述黄光荧光材料为TBRb材料，所述蓝光荧光材料为DSA-ph材料。其中，TBRb材料为1,3,5-Tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，其结构式如下：DSA-ph材料为，其结构式如下：其中，所述中间能量转移调控层5的厚度优选为10-30nm，例如15nm。所述中间能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种变色OLED器件，其特征在于，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着有空穴注入层、空穴传输层、第一超薄发光层、中间能量转移调控层、第二超薄发光层、电子传输层、电子注入层、阴极电极；其中，所述第一超薄发光层和第二超薄发光层为颜色不同的发光材料，所述中间能量转移调控层为主体有机材料。

【技术特征摘要】
1.一种变色OLED器件，其特征在于，包括ITO玻璃，所述ITO玻
璃上从里至外依次附着有空穴注入层、空穴传输层、第一超薄发光层、中
间能量转移调控层、第二超薄发光层、电子传输层、电子注入层、阴极电
极；
其中，所述第一超薄发光层和第二超薄发光层为颜色不同的发光材料，
所述中间能量转移调控层为主体有机材料。
2.根据权利要求1所述的变色OLED器件，其特征在于，所述第一超
薄发光层和所述第二超薄发光层为黄光或红光或蓝光或绿光发光材料。
3.根据权利要求2所述的变色OLED器件，其特征在于，所述黄光发
光材料为TBRb材料，所述蓝光发光材料为DSA-ph材料。
4.根据权利要求1所述的变色OLED器件，其特征在于，所述第一超
薄发光层的厚度为0.1-3nm，所述第二超薄发光层的厚度为0.1-3nm。
5.根据权利要求1所述的变色OLED器件，其特征在于，所述中间能
量转移调控层为宽带隙带隙大于1.7电子伏特的有机半导体材料。
6.根据权利要求1所述的变色OLED器件，其特征在于，所述中间能
量转移调控层的厚度为10-30nm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐汀，何谷峰，孟鸿，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44