光电装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光电装置以及电子设备。光电装置具备包含呈矩阵状地排列具有发光元件的像素的显示区域的元件基板。发光元件具有在绝缘层的上方层叠反射电极、保护层、光路调整层、第一电极、发光层以及第二电极的构造。反射电极针对每个像素被分割地配置，在针对每个像素被分割地配置的反射电极的彼此之间形成有间隙。保护层覆盖在形成有间隙的反射电极的表面上，并且包含被埋入间隙的埋入绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电装置以及电子设备。
技术介绍
作为光电装置的一个例子，提出了在元件基板的显示区域呈矩阵状地配置使用了有机电致发光(EL：ElectroLuminescence(电致发光))元件的像素的有机EL装置(例如，参照专利文献1、2。)。具体而言，在专利文献1中公开了顶部发射构造的有机EL装置，其具备依次层叠有第一电极(像素电极)、发光层以及第二电极(对置电极)的有机EL元件、与第一电极电连接的电源线以及切换第一电极与电源线的电连接的开关元件(晶体管)，并在具有光反射性的电源线(反射层)之上重叠地配置第一电极。另一方面，在专利文献2中公开了有机EL装置，其具备依次层叠有反射层、光路调整层、第一电极(像素电极)、发光层以及第二电极(对置电极)的共振构造(空腔构造)的有机EL元件，使发光层发出的光在反射层与第二电极之间反复反射，并且与被光路调整层调整的反射层与第二电极之间的光学距离对应地增强特定波长(共振波长)的光，并射出光。专利文献1：日本特开2005-321815号公报专利文献2：日本特开2013-089444号公报然而，在上述的专利文献2所记载的有机EL装置中，在针对每个像素配置的反射电极的彼此之间形成有开口。光路调整层被配置为覆盖在形成有该开口的反射电极的表面上。因此，在光路调整层形成有反映该开口的形状的凹部(凹凸)。然而，在形成有上述的凹部的位置及其附近，正确地进行基于光路调整层的反射电极与第一电极之间的光路调整变得困难。另外，被配置于光路调整层的上方的第一电极为了避免凹部带来的影响，而需要相对于反射电极缩小。因此，导致发光面积(像素的开口率)减小第一电极比反射电极小的量。
技术实现思路
本专利技术的一个方式是鉴于上述的以往的情况而提出的，其目的之一在于提供一种能够正确地进行反射电极与第一电极之间的光路调整，从而能够提高像素的开口率的光电装置以及具备这样的光电装置的电子设备。本专利技术的一个方式所涉及的光电装置具备包含呈矩阵状地排列多个像素的显示区域的元件基板。元件基板针对每个像素，具有发光元件与驱动发光元件的晶体管。发光元件隔着绝缘层被配置于晶体管的上方，并且具有层叠有反射电极、保护层、光路调整层、第一电极、发光层以及第二电极的构造。反射电极针对每个像素被分割地配置。在针对每个像素被分割地配置的反射电极的彼此之间形成有间隙。保护层包含被埋入间隙的埋入绝缘膜。根据该结构，能够使保护层的与光路调整层连接的一侧的表面平坦化，因此针对每个像素调整光路调整层的厚度，由此能够正确地进行反射电极与第一电极之间的光路调整。由此，能够进行基于共振构造的色彩可再现性良好的发光元件的发光动作。另外，根据该结构，也使被配置于保护层的表面上的光路调整层平坦化，因此能够使被配置于该光路调整层的表面上的第一电极的端部位于接近反射电极的端部的位置。由此，能够增大发光面积(像素的开口率)。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：晶体管与反射电极经由贯通绝缘层而配置的第一接触电极被电连接，反射电极与第一电极经由贯通保护层而配置的第二接触电极被电连接。根据该结构，经由反射电极电连接晶体管与第一电极，因此反射电极与第一电极成为相同电位。由此，能够控制从晶体管经由反射电极施加于第一电极的电位，并且进行可靠性较高的发光元件的发光动作。另外，根据该结构，能够实现成品率的进一步的提高。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：保护层还具备被设置于反射电极与埋入绝缘膜之间的第一绝缘膜、和被设置于第一绝缘膜以及埋入绝缘膜的上方的第二绝缘膜，光路调整层被配置为至少一部分的端部位于第二绝缘膜的表面上。根据该结构，在将光路调整层图案形成为规定的形状时，能够保护埋入绝缘膜，并且使第二绝缘膜作为光路调整层的蚀刻阻挡层发挥功能。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：第二绝缘膜包含氮化硅，光路调整层包含氧化硅。根据该结构，通过使用了例如氟类气体的干式蚀刻，能够相对于氮化硅选择性地蚀刻氧化硅。因此，在将光路调整层图案形成为规定的形状时，能够使第二绝缘膜作为光路调整层的蚀刻阻挡层发挥功能。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：光路调整层的至少一部分的端部位于埋入绝缘膜的上方。根据该结构，在将光路调整层图案形成为规定的形状时，能够保护埋入绝缘膜，并且使第二绝缘膜作为光路调整层的蚀刻阻挡层发挥功能，并且提高各像素的开口率。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：形成有贯通光路调整层以及保护层的接触孔，第二接触电极具有在被埋入接触孔的状态下与反射电极连接的第一接触部、以及在被配置于保护层的表面上的状态下与第一电极连接的第二接触部。根据该结构，能够经由第二接触电极可靠地连接反射电极与第一电极。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：光路调整层的至少一部分的端部位于第二接触电极的表面上。根据该结构，在将光路调整层图案形成为规定的形状时，能够使第二接触电极作为光路调整层的蚀刻阻挡层发挥功能，并且提高各像素的开口率。另外，在上述光电装置中，也可以构成为：在反射电极的表面上配置有增反射层。根据该结构，能够提高反射电极的反射特性。另外，本专利技术的一个方式所涉及的电子设备的特征在于，具备上述任一个光电装置。根据该结构，能够提供一种具备能够正确地进行反射电极与第一电极之间的光路调整，从而能够提高像素的开口率的光电装置的电子设备。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式所涉及的有机EL装置的结构的俯视图。图2是表示图1所示的有机EL装置具备的元件基板的结构的电路图。图3是表示图1所示的有机EL装置具备的像素电路的结构的电路图。图4是表示图1所示的有机EL装置具备的像素的结构的俯视图。图5(a)是图4中表示的线段A-A’的第一实施方式所涉及的剖视图，图5(b)是放大图5(a)中表示的一部分的像素的剖视图。图6(a)是图4中表示的线段B-B’的第一实施方式所涉及的剖视图，图6(b)是图4中表示的线段C-C’的第一实施方式所涉及的剖视图，图6(c)是图4中表示的线段D-D’的第一实施方式所涉及的剖视图。图7(a)是图4中表示的线段A-A’的第二实施方式所涉及的剖视图，图7(b)是放大图7(a)中表示的一部分的像素的剖视图。图8(a)是图4中表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电装置，其特征在于，具备元件基板，该元件基板包含呈矩阵状地排列多个像素的显示区域，所述元件基板针对每个所述像素具有发光元件与驱动所述发光元件的晶体管，所述发光元件隔着绝缘层被配置于所述晶体管的上方，并且具有层叠有反射电极、保护层、光路调整层、第一电极、发光层以及第二电极的构造，所述反射电极针对每个所述像素被分割地配置，在针对每个所述像素被分割地配置的所述反射电极的彼此之间形成有间隙，所述保护层覆盖在配置有所述反射电极的表面上，并且包含被埋入所述间隙的埋入绝缘膜。

【技术特征摘要】
2014.12.25 JP 2014-2629621.一种光电装置，其特征在于，
具备元件基板，该元件基板包含呈矩阵状地排列多个像素的显示区
域，
所述元件基板针对每个所述像素具有发光元件与驱动所述发光元
件的晶体管，
所述发光元件隔着绝缘层被配置于所述晶体管的上方，并且具有层
叠有反射电极、保护层、光路调整层、第一电极、发光层以及第二电极
的构造，
所述反射电极针对每个所述像素被分割地配置，
在针对每个所述像素被分割地配置的所述反射电极的彼此之间形
成有间隙，
所述保护层覆盖在配置有所述反射电极的表面上，并且包含被埋入
所述间隙的埋入绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，
所述晶体管与所述反射电极经由贯通所述绝缘层而配置的第一接
触电极被电连接，
所述反射电极与所述第一电极经由贯通所述保护层而配置的第二
接触电极被电连接。
3.根据权利要求2或3所述的光电装置，其特征在于，
所述保护层还具备被设置于所述反射电极与所述埋入绝缘膜之间
的第一绝缘膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：腰原健，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP