用以缓解RFI 和SI 风险的封装上浮置金属/加劲构件接地制造技术

一种设备包括：包括管芯和封装基板的封装件，所述封装基板包括导体；以及电耦合至封装基板的导体的加劲构件主体。一种设备包括：包括管芯和封装基板的封装件；耦合至封装基板的加劲构件主体；以及位于加劲构件主体和封装基板之间的导电路径。一种方法包括将加劲构件主体电耦合至封装基板的导体。

【技术实现步骤摘要】

集成电路封装件。
技术介绍
加劲构件已被普遍用于无芯、超薄芯客户端球栅阵列(BGA)产品以用于有效的封装件翘曲控制并减少变动。但是，具有金属主体的加劲构件能够充当天线并增大了射频干扰(RFI)风险和信号完整性(SI)风险。强RFI能够降低WiFi/WWAN吞吐量并引起用户体验劣化和验证失败。金属主体加劲构件还使得中央处理单元(CPU)对静电放电(ESD)噪声更加敏感，并在加劲构件谐振频率上引起强信号串扰。电磁干扰(EMI)是现代化电子装置/移动应用中的严重问题。通常，EMI是由于电磁感应或外部来源发射的电磁辐射而产生的对电场的扰动。尽管EMI是跨越整个电磁谱(即从不到一赫兹(Hz)的直流(DC)电到超过1020Hz的伽马射线)而存在的，但是大部分EMI问题局限于所述谱的处于25kHz和10GHz之间的部分。这一部分被称为射频干扰(RFI)区域，并且覆盖射频和音频。一般可以采用缩写EMI代表EMI和RFI两者。还将射频干扰描述为具有处于射频传输专用的频率范围内的含量的不合乎需要的电能。在从30MHz到10GHz的频率范围内最常发现辐射的RFI。这些RFI的出现可能是瞬态的、连续的或间歇的。EMI的外部源可以是通信和雷达发射器、电开关触点、计算机、电压调节器、脉冲发生器、弧光/放电灯、间歇式接地连接、太阳噪声、闪电电磁脉冲。EMI影响高性能电子装置保持时域内的信号完整性和频域内的功率完整性的能力。对于集成电路而言，通常RF频率对移动装置最为重要。一个电子RF装置生成的电磁辐射可能对诸如蜂窝电话、无线电等其它类似的电子装置造成不利影响。例如，在移动电话接通时，要发射大量的功率。该装置与其它装置的RF频率发生干扰。EMI/RFI屏蔽是电信所必需的，因为如果信号接近相同的频率，那么
无线电发射可能妨碍信号的接收。EMI/RFI屏蔽可以防止不正确的频率对装置造成干扰。在医院，设备必须满足食品和药物管理局(FDA)设定的标准，以防止机械设备受到蜂窝电话、个人数字助理(PDA)或其它电子装置的影响。EMI/RFI屏蔽有助于使得这样的保护成为可能。对于移动装置而言，印刷电路板(PCB)尺寸持续减小，功率密度不断提高，并且功耗不断降低；所有的这些都需要低EMI。附图说明图1示出了包括集成电路封装件和加劲构件的组件的部分的截面侧视图。图2示出了图1的组件的顶视图。图3示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图4示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图5示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图6示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图7示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图8示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图9示出了封装组件的另一实施例的截面侧视图。图10示出了形成诸如图9所示的封装组件等封装组件的流程图。图11示出了作为面板制备过程的部分的具有形成于其上的铜箔的牺牲材料或芯基板的一部分的截面侧视图。图12示出了在图11的结构的相对侧上引入了牺牲铜箔之后的结构。图13示出了在图12的结构的相对侧上形成了载体构建层之后的结构。图14示出了在将构建封装基板与牺牲基板分开并将加劲构件和管芯附接至封装基板之后的图13的结构。图15示出了在加劲构件和封装基板上引入导电层屏蔽之后的图14的结构。图16示出了计算装置的实施例。具体实施方式公开了用于缓解集成电路封装件中的RFI和SI风险的加劲构件接地解决方案。在一个实施例中，公开了一种包括封装件的设备，其包括管芯和
封装基板以及电连接至所述封装基板的导体的加劲构件主体。在另一实施例中，公开了一种设备，其包括含有管芯和封装基板的封装件、耦合至封装基板的加劲构件主体、以及加劲构件主体和封装基板之间的电路径。可以通过导电粘合剂、焊膏材料、加劲构件变型或者连接至每一部件的导电材料来实现加劲构件主体和封装基板之间的导电路径(例如，接地路径)。图1示出了包括集成电路封装件和加劲构件的组件的部分的截面侧视图。图2示出了图1的组件的顶视图。组件100包括封装基板110、连接至封装基板110的管芯115以及连接至封装基板并包围管芯115的加劲构件120。在该实施例中，加劲构件120是连续结构。在另一实施例中，加劲构件120是不连续的。代表性地，封装基板110是无芯或超薄芯(UTC)封装件。UTC封装件通常包括100微米(μm)到200μm厚的芯，其具有与有芯基板类似的构建层。所述芯由预浸渍材料、内铜(Cu)箔和外铜箔构成。在基于真空的架构中，由于在内铜箔和外铜箔之间建立了真空而使得内铜箔和外铜箔接触。在基于粘合剂的架构中，通过内铜箔和外铜箔之间的低剥离强度等级粘合剂将它们结合在一起。芯材料(预浸渍材料)粘附至内铜箔和外铜箔。为了得到无芯封装件，在芯的两侧上建立构建层。通过对ABF层进行层压、固化、钻孔和去钻污、并随后进行自对准电镀(SAP)处理以形成导电层或线和导电通孔来构建出构建层。在层压所有的构建层之后，对面板进行布线并使外铜箔与内铜箔分开，并去除所述芯。对暴露的外铜箔进行蚀刻，并且然后去除蚀刻停止材料。因而，最终的封装件仅由构建层组成。就无芯封装件而言，封装基板可以容易地经由倒装芯片工艺而附接到CPU/PCH管芯。UTC/无芯封装件是针对诸如移动芯片/装置等低Z高度产品。参考图1，组件100的封装基板110包括若干层的导电金属线或导电金属层，包括导电层120A、导电层120B、导电层120C、导电层120D和导电层120E。每一导电层经由电介质材料(例如，ABF膜或薄板)而与接下来的导电层分开。在该实施例中，导电层120A代表初始导电层，其它层按照导电层120B、导电层120C、导电层120D、然后是最后导电层120E的顺序与初始层(导电层120A)依次隔开，导电层120E离管芯115最远(离封装基板110的管芯侧最远)。图1还示出了置于导电层120A之上(如图
所示处于导电层120和封装基板的顶面之间)的接触垫片123。在一个实施例中，接触垫片123通过导电通孔连接至导电层的至少其中之一(例如，导电层120B)，在一个实施例中，所述导电层起着接地平面的作用。如图所示，不必将接触垫片连接至初始导电层120A。最后，图1示出了封装基板110的基板侧上的接触点122，其连接至导电层120E，以将组件100电连接至诸如母板等基板150。由例如阻焊剂构成的电介质层125设置在封装基板110的接触垫片123上。图1示出了穿过阻焊剂的开口，从而允许接触垫片123和加劲构件130的主体之间发生接触。在一个实施例中，所述开口含有各向同性导电粘合剂160。在图1的截面图中，示出了由加劲构件130和接触垫片123之间的各向同性导电粘合剂160的连接所建立的导电路径。在一个实施例中，基于产品性能要求确定路径的数量。可以将各向同性导电粘合剂160施加或印刷到导电层(例如，导电层的垫片区域)上。图1还示出了设置或放置在封装基板110和加劲构件130之间的形成导电路径的区域以外的区域中的粘合剂170。在一个实施例中，粘合剂170是诸如硅酮或环氧树脂类型的粘合剂等非导电粘合剂。在一个实施例中，一旦完成了引入和沉积，就对导电粘合剂160和粘合剂17本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：封装件，其包括管芯和封装基板，所述封装基板包括导体；以及加劲构件主体，其电耦合至所述封装基板的所述导体。

【技术特征摘要】
2015.03.09 US 14/642,3161.一种设备，包括：封装件，其包括管芯和封装基板，所述封装基板包括导体；以及加劲构件主体，其电耦合至所述封装基板的所述导体。2.根据权利要求1所述的设备，还包括处于所述加劲构件主体与所述封装基板的所述导体之间的导电材料。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述导电材料包括导电粘合剂。4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述导电材料包括焊膏或微球。5.根据权利要求2所述的设备，其中，所述导电材料包括处于所述加劲构件主体与所述封装基板的所述导体之间的连续材料层。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加劲构件主体包括通常为平面的表面以及从所述通常为平面的表面延伸出来的多个凸起，其中，所述多个凸起耦合至所述封装基板的所述导体。7.根据权利要求1所述的设备，还包括设置在所述加劲构件和所述封装基板上的导电材料，所述导电材料将所述加劲构件主体电耦合至所述封装基板的所述导体。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述封装基板包括多个导电层，所述多个导电层中的每个导电层限定了导体，并且所述导电材料耦合至所述多个导电层的至少其中之一。9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述封装基板包括限定了一厚度的一对相对的侧面部分，并且所述导电材料设置在所述对相对的侧面部
\t分上。10.根据权利要求8所述的设备，其中，所述多个导电层包括被放置为最接近所述加劲构件的初始层和被放置为最远离所述加劲构件的最后层，其中，所述导电材料耦合至所述多个导电层中的除了所述初始层之外的导电层的其中之一。11.一种设备，包括：封装件，其包括管芯和封装基板；加劲构件主体，其耦合至所述封装基板；以及导电路径，其位于所述加劲构件主体与所述封装基板之间。12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述导电路径包括处于所述加劲构件主体与所述封装基板的导体之间的导电材料。13.根据权利要求12所述的设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·蒋，R·斯塔克斯托恩，D·A·拉奥拉内，K·D·琼斯，A·达尔，O·G·卡尔哈德，K·达尼，S·拉玛林加姆，LS·翁，R·F·切尼，P·N·斯托弗，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US