RF封装制造技术

一种示例性封装，包括：RF电路，其具有第一部分和第二部分；腔结构，其仅被置于所述RF电路的第一部分上方；以及包封剂材料，接合该包封剂材料以在所述RF电路的至少一侧覆盖所述RF电路和所述腔结构。封装制造的示例方法，包括：识别RF电路；在所述RF电路上形成腔结构，其中该腔结构的至少一部分具有基于RF电路中的磁场水平的高度；以及用包封剂材料在所述RF电路的至少一侧覆盖RF电路和腔结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装，该封装包括RF电路和用于覆盖所述RF电路的包封。本专利技术还涉及用于生产所述RF电路的方法。
技术介绍
随着电路和设备的尺寸缩小，电阻和电容耦合增大，从而导致信号延迟（即，RC延迟）及其他电损耗的增加。随着电路工作频率的提高（例如，对于RF电路和设备），这成为一个日益严重的问题，进一步限制了电路的性能。对RF性能损耗尤其敏感的RF电路是RF功率放大器。通常，这些RF功率放大器包含带有源元件（例如晶体管）的半导体裸片（semiconductor die）。所述功率放大器可进一步包含阻抗匹配部件，例如电容器和/或感应元件，用于匹配晶体管输出处的阻抗。虽然放大器通常包含数个零件，其也可以功能性地是单一元件。进一步可行地，放大器包括数个阶段。RF功率放大器的晶体管设计针对在高频使用而最优化，例如1GHz以上，并可适于在高达3GHz及更高范围内且在相对高的功率水平上扩展。这样的功率晶体管可以是场效应晶体管或双极型晶体管，以例如Si LDMOS、GaN或GaAs等技术制造。通常，第一和第二电极，例如漏极和栅极，实现为并行布置的多个长形条。第三电极，例如源极，接合至衬底和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装，包括：RF电路，其包括以至少1GHz频率工作的放大器设备，并具有第一部分和第二部分；腔结构，其仅被置于所述RF电路的第一部分上方；以及包封剂材料，接合该包封剂材料以在所述RF电路的至少一侧覆盖所述RF电路和所述腔结构。

【技术特征摘要】
2015.02.12 US 14/620,6011.一种封装，包括：RF电路，其包括以至少1GHz频率工作的放大器设备，并具有第一部分和第二部分；腔结构，其仅被置于所述RF电路的第一部分上方；以及包封剂材料，接合该包封剂材料以在所述RF电路的至少一侧覆盖所述RF电路和所述腔结构。2.根据权利要求1所述的封装，其特征在于，所述电路的第一部分包括有源元件，并且其中所述电路的第二部分包括无源元件。3.根据权利要求1或2所述的封装，其特征在于，所述腔结构包括基于所述RF电路中的磁场水平的高度。4.根据权利要求1到3中任一项所述的封装，其特征在于，所述腔结构包括盖件和粘性侧壁。5.根据权利要求4所述的封装，其特征在于，所述盖件是半导体裸片。6.根据权利要求1到5中任一项所述的封装，其特征在于，该封装进一步包括引线框架和一组键合线；其中第一键合线将所述RF电路接合至所述引线框架；其中所述腔结构完全覆盖第二键合线；并且其中所述包封剂进一步覆盖所述第一键合线、所述第二键合线和一部分所述引线框架。7.根据权利要求6所述的封装，其特征在于，该封装进一步包括由所述腔结构完全覆盖的第二电路；且其中所述第二键合线将RF电路接合至所述第二电路。8.根据权利要求1所述的封装，其特征在于，所述RF电路为单一半导体裸...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏因申克·克里斯蒂安，
申请(专利权)人：安普林荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL