一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平的屏蔽层、竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其核心在于屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯及其在集成电路中的独特结构设计。本发明专利技术屏蔽层采用的二维材料厚度小，可显著降低同层内多个金属信号线间的层内串扰，又可降低不同层之间金属信号线间的层间串扰，且其制备与传统CMOS工艺相兼容，并且与三维集成电路技术的工艺、要求与发展趋势相适应。

【技术实现步骤摘要】
201410709623

【技术保护点】
一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平或竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其特征在于，屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯。

【技术特征摘要】
1.一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、
金属信号线、水平或竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通
孔，其特征在于，屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯。
2.如权利要求1所述的基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，其特征在于，水平的屏
蔽位于设...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦樵风，王紫东，贾越辉，彭沛，任黎明，傅云义，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11