掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜制造技术

本发明专利技术的掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成，膜中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足(0.98～1.12):(0.002～0.056):(0.002～0.056):(0.40～0.60):(0.40～0.60)，且将所述Mn及Nb的金属原子比的合计设为1时的所述Mn的比例为0.20～0.80，将所述Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr的比例为0.40～0.60，将所述Mn、Nb、Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr及Ti的合计比例为0.9300～0.9902。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于压电元件、集成无源器件(IPD，Integrated Passive Device)、热释电元件等的掺杂有Mn及Nb的PZT系压电膜。本申请主张基于2014年3月28日于日本申请的专利申请2014-067840号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
通过以溶胶-凝胶法为代表的化学溶液沉积(CSD，Chemical Solution Deposition)法形成的PZT等铁电膜在成膜之后无法直接用作压电体，为了使用于陀螺仪传感器等，不得不进行极化处理。将该铁电膜用于热释传感器或陀螺仪传感器等传感器时，所使用的压电膜(铁电膜)的性能指数g由以下式(1)表示。g(V·m/N)＝d31/ε33 (1)式(1)中，d31表示压电常数，ε33表示介电常数。即，将PZT等铁电膜用于热释传感器或陀螺仪传感器等传感器时，通常优选膜的压电常数较大且膜的介电常数或介电损耗(tanδ)较低。并且，从极化的稳定性、无需极化工序方面，优选刚成膜之后膜的极化方向就一致。另一方面，将这种膜用于喷墨头等的致动器时，施加较高电压来使用，因此并不一定需要进行极化处理。这是因为，施加较高电压来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜，其由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成，膜中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足0.98～1.12:0.002～0.056:0.002～0.056:0.40～0.60:0.40～0.60，且将所述Mn及Nb的金属原子比的合计设为1时的所述Mn的比例为0.20～0.80，将所述Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr的比例为0.40～0.60，将所述Mn、Nb、Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr及Ti的合计比例为0.9300～0.9902。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.28 JP 2014-0678401.一种掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜，其由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成，膜中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足0.98～1.12:0.002～0.056:0.002～0.056:0.40～0.60:0.40～0.60，且将所述Mn及Nb的金属原子比的合计设为1时的所述Mn的比例为0.20～0.80，将所述Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr的比例为0.40～0....

【专利技术属性】
技术研发人员：土井利浩，樱井英章，曽山信幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP