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掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜制造技术
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文档序号:13711211
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本发明的掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成,膜中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足(0.98~1.12):(0.002~0.056):(0.002~0.056):(0.40~0.60):(0.40~...
该专利属于三菱综合材料株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱综合材料株式会社授权不得商用。
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