芳基磺酸化合物及其利用制造技术

由式(1)表示的芳基磺酸化合物。[式中，Ar1表示由式(2)表示的基团，Ar2表示由式(3)表示的基团。(式中，q表示1～4的整数。)]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及芳基磺酸化合物及其利用。
技术介绍
对于有机电致发光(EL)元件，期待在显示器、照明这样的领域中的实用化，以低电压驱动、高亮度、高寿命等为目的，进行了与材料、元件结构有关的各种开发。有机EL元件中使用多个功能性薄膜，作为其中之一的空穴注入层担负着阳极与空穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度，发挥重要的功能。该空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法，将这些方法进行比较，湿法由于能够大面积地高效率地制造平坦性高的薄膜，因此特别是在显示器的领域中经常采用湿法。在上述实际情况下，关于空穴注入层用的湿法材料，常常要求改善，特别是由于可有助于有机EL元件的亮度特性、寿命特性的提高，因此对给予平坦性和电荷传输性优异的薄膜的材料的迫切需求日益高涨。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2009/096352号
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述实际情况而完成，其目的在于提供再现良好地给予高平坦性的电荷传输性薄膜的清漆的材料。用于解决课题的手段本专利技术人为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现具有被磺本文档来自技高网...

【技术保护点】
由式(1)表示的芳基磺酸化合物：Ar1‑O‑Ar2  (1)式中，Ar1表示由式(2)表示的基团，Ar2表示由式(3)表示的基团，式中，q表示1～4的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.27 JP 2014-0126721.由式(1)表示的芳基磺酸化合物：Ar1-O-Ar2 (1)式中，Ar1表示由式(2)表示的基团，Ar2表示由式(3)表示的基团，式中，q表示1～4的整数。2.根据权利要求1所述的芳基磺酸化合物，其由式(1-1)～(1-4)中的任一个表示：式中，Ar1表示与上述相同的含义。3.掺杂剂，其包含权利要求1或2所述的芳基磺酸化合物。4.电荷传输性材料，其包含权利要求3所述的掺杂剂和电荷传输性物质。5.电荷传...

【专利技术属性】
技术研发人员：中家直树，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP