本发明专利技术公开了一种内嵌式触控阵列基板及其驱动方法、显示装置。其中，该内嵌式触控阵列基板包括公共电极层，所述公共电极层包括：像素部分公共电极，对应于内嵌式触控阵列基板的所有像素区域，在触控阶段，所述像素部分公共电极接收公共电极信号；周边部分公共电极，对应于所有像素区域之外的至少部分非像素区域，在触控阶段，所述周边部分公共电极接收触控感应信号。通过本发明专利技术，达到了提高液晶显示面板的显示画质的效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种内嵌式触控阵列基板及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
目前，大多数触控装置的触控面板与液晶显示面板是独立设置的，触控面板设置于液晶显示面板之上，且液晶显示面板和触控面板之间存在物理空间，因此，在液晶显示面板的上表面和触控面板的下表面上会反射外来光线，这会导致在室外等光线明亮的环境下液晶显示面板的可视性降低。如果能够实现触控面板的可视性，二者实现一体化还可以实现整个显示面板的薄型化和轻量化。在此技术发展需求下，In Cell触控技术得以出现并迅速发展，但是在In Cell触控技术中，大多使用简单的分割方式对公共电极(VCOM)进行分割。为便于理解，请参考图1(图1是根据现有技术的VCOM分割技术的分割示意图)，从图1中可以看出，VCOM 10被分割为多个大小面积相等的区域12，这些区域分别作为触控阶段的触控电极，每个区域12(触控电极)通过引线集中连接至TDDI(触控显示集成IC)。采用这种方式，在显示阶段向VCOM输入直流电压，在触控阶段对VCOM进行交流驱动，为便于理解，请同时参考图2(图2是根据现有技术的In Cell Touch驱动示意图)。采用这种简单的VCOM分割方式，在显示阶段和触控阶段相互转换时，VCOM必然产生电压跳变，从而降低液晶显示面板的显示画质。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种可以避免公共电极由于在显示阶段和触控阶段分别输入直流电压和交流电压而容易产生的电压跳变，从而能够提高液
晶显示面板的显示画质的技术方案。为了达到上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种内嵌式触控阵列基板，包括公共电极层，所述公共电极层包括：像素部分公共电极，对应于内嵌式触控阵列基板的所有像素区域，在触控阶段，所述像素部分公共电极接收公共电极信号；周边部分公共电极，对应于所有像素区域之外的至少部分非像素区域，在触控阶段，所述周边部分公共电极接收触控感应信号。优选地，所述像素部分公共电极包括多个像素子部分公共电极，每个所述像素子部分公共电极对应于每个像素的一亚像素区域。优选地，在触控阶段，所述周边部分公共电极与内嵌式触控阵列基板的栅线分别作为触控感应电极、触控驱动电极形成一互容式触控电容。优选地，所述周边部分公共电极在栅线层的正投影垂直于所述栅线且与所述栅线形成交叠。优选地，所述周边部分公共电极包括多个周边子部分公共电极，每相邻两个所述周边子部分公共电极之间包括至少一列所述像素子部分公共电极。优选地，在触控阶段，所述周边部分公共电极与内嵌式触控阵列基板的数据线分别作为触控感应电极、触控驱动电极形成一互容式触控电容。优选地，所述周边部分公共电极在数据线层的正投影垂直于所述数据线且与所述数据线形成交叠。优选地，所述周边部分公共电极包括多个周边子部分公共电极，每相邻两个所述周边子部分公共电极之间包括至少一行所述像素子部分公共电极。优选地，在触控阶段，所述周边部分公共电极单独形成一自容式触控电容。优选地，所述周边部分公共电极包括多个周边子部分公共电极，每个所述周边子部分公共电极呈回字形，且包围至少一个所述像素子部分公共电极。优选地，所述像素部分公共电极和所述周边部分公共电极在显示阶段接收公共电极信号。优选地，所述公共电极信号为直流电压，所述触控感应信号为交流电压。根据本方面的另一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述内嵌式触控阵列基板。根据本方面的又一个方面，提供了一种内嵌式触控阵列基板的驱动方法，
内嵌式触控阵列基板包括公共电极层，所述公共电极层包括像素部分公共电极和周边部分公共电极，所述像素部分公共电极对应于内嵌式触控阵列基板的所有像素区域，所述周边部分公共电极对应于所有像素区域之外的至少部分非像素区域，所述驱动方法包括：在触控阶段，向所述像素部分公共电极输入公共电极信号，并向所述周边部分公共电极输入触控感应信号。优选地，还包括：在显示阶段，向所述像素部分公共电极和所述周边部分公共电极输入所述公共电极信号。优选地，所述公共电极信号为直流电压，所述触控感应信号为交流电压。与现有技术相比，本专利技术所述的内嵌式触控阵列基板及其驱动方法、显示装置，可以避免现有公共电极由于在显示阶段和触控阶段分别输入直流电压和交流电压而容易产生的电压跳变，从而能够提高液晶显示面板的显示画质。附图说明图1是根据现有技术的VCOM分割技术的分割示意图；图2是根据现有技术的In Cell Touch驱动示意图；图3A是根据本专利技术实施例的公共电极层的分割方式一的示意图；图3B是根据本专利技术实施例的公共电极层的分割方式二的示意图；图3C是根据本专利技术实施例的公共电极层的分割方式三的示意图；图3D是按照图3C的分割方式三对公共电极层进行分割后每个触控极板对应一个亚像素区域的示意图；图4是根据图3B所示的分割方式二的In Cell Touch驱动示意图；以及图5是根据图3C和图3D所示的分割方式三的In Cell Touch驱动示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为了解决VCOM电压跳变现象影响液晶显示面板的显示画质的问题，现
有技术中有的采用将输入到显示IC后的数据(Data)信号先进行处理再输入液晶显示面板使用的方式，但是这种方式无法从根本上解决VCOM电压跳变的问题，对显示画质的效果提升仍然非常有限。基于此，本专利技术实施例提出了一种可以提高显示面板的显示画质的内嵌式触控阵列基板，该内嵌式触控阵列基板可以包括公共电极层，所述公共电极层包括两个部分：(1)像素部分公共电极，对应于内嵌式触控阵列基板的所有像素区域，在触控阶段，所述像素部分公共电极接收公共电极信号；(2)周边部分公共电极，对应于所有像素区域之外的至少部分非像素区域，在触控阶段，所述周边部分公共电极接收触控感应信号。也就是说，将公共电极作为触控感应电极接收触控感应信号的功能和作为公共电极接收公共电极信号的功能分开，通过将公共电极层划分为两个部分，像素部分公共电极只用于接收公共电极信号，而周边部分公共电极用于在触控阶段接收触控感应信号。采用这样的设计方式，可以避免传统公共电极划分方式得到的VCOM电极(即触控电极)在显示阶段和触控阶段，由于直流电压与交流电压之间转换时容易产生的电压跳变，并导致降低显示效果现象的发生。作为一个优选示例，所述像素部分公共电极可以包括多个像素子部分公共电极，每个所述像素子部分公共电极对应于每个像素的一亚像素区域。当然，这种设计方式仅仅是一种优选，而在实际应用中，可以设计成多个亚像素区域对应一个所述像素子部分公共电极，例如对于由RGB三种亚像素组成一个像素的像素结构中，一个像素区域(3个亚像素区域)或三个像素区域(9个亚像素区域)甚至更多个像素区域对应一个所述像素子部分公共电极。这些设计方式都是可行的。对于公共电极作为触控电容的极板来说，其可以形成互容式触控电容，也可以形成自容式触控电容。基于此，本专利技术实施例给出了三种方式：由于所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种内嵌式触控阵列基板，包括公共电极层，其特征在于，所述公共电极层包括：像素部分公共电极，对应于内嵌式触控阵列基板的所有像素区域，在触控阶段，所述像素部分公共电极接收公共电极信号；周边部分公共电极，对应于所有像素区域之外的至少部分非像素区域，在触控阶段，所述周边部分公共电极接收触控感应信号。
【技术特征摘要】
1.一种内嵌式触控阵列基板，包括公共电极层，其特征在于，所述公共电极层包括：像素部分公共电极，对应于内嵌式触控阵列基板的所有像素区域，在触控阶段，所述像素部分公共电极接收公共电极信号；周边部分公共电极，对应于所有像素区域之外的至少部分非像素区域，在触控阶段，所述周边部分公共电极接收触控感应信号。2.根据权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述像素部分公共电极包括多个像素子部分公共电极，每个所述像素子部分公共电极对应于每个像素的一亚像素区域。3.根据权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，在触控阶段，所述周边部分公共电极与内嵌式触控阵列基板的栅线分别作为触控感应电极、触控驱动电极形成一互容式触控电容。4.根据权利要求3所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述周边部分公共电极在栅线层的正投影垂直于所述栅线且与所述栅线形成交叠。5.根据权利要求4所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述周边部分公共电极包括多个周边子部分公共电极，每相邻两个所述周边子部分公共电极之间包括至少一列所述像素子部分公共电极。6.根据权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，在触控阶段，所述周边部分公共电极与内嵌式触控阵列基板的数据线分别作为触控感应电极、触控驱动电极形成一互容式触控电容。7.根据权利要求6所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述周边部分公共电极在数据线层的正投影垂直于所述数据线且与所述数据线形成交叠。8.根据权利要求7所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述周边部分公共电极包括多个周边子部分公共电极，每...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭敏，王泓，荆耀秋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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