一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置。该阵列基板包括：显示区域和非显示区域，所述显示区域内设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极，所述非显示区域中设置有第一信号走线和第二信号走线，所述第一信号走线与所述第二信号走线异层相交，所述第一信号走线与所述栅线同层同材料设置，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间具有所述栅极绝缘层和至少一抬高层。本发明专利技术中，通过在两信号走线的交叠区域增加至少一抬高层，改变处于交叠区域的两信号走线之间的间距，减小两者之间的电容，降低信号耦合作用，提升了信噪比，消除了画面抖动现象。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置。
技术介绍
请参考图1，图1为现有技术中的内嵌式触摸面板的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括：显示区域10和位于显示区域10外围的非显示区域20，非显示区域内设置有GOA(Gatedriveronarray)单元30和触控驱动电极(TX)走线102，GOA单元30通过横向的栅极驱动信号线104与位于显示区域中的栅线(图未示出)连接，触控驱动信号线102与位于显示区域中的触摸驱动电极(图未示出)连接。由于同处非显示区域，触控驱动信号线102与栅极驱动信号线104之间，以及横向的触控驱动信号线102与竖向的触控驱动信号线102之间，不可避免的会存在交叠区域，交叠区域请参见图1中虚线圈所包围区域，其中虚线圈201包围的是触控驱动信号线102和栅极驱动信号线104的交叠区域，虚线圈202包围的是横向的触控驱动信号线102与竖向的触控驱动信号线102的交叠区域。请参考图2，图2为图1中的触控驱动信号线与栅极驱动信号线交叠区域的剖面示意图，图2中，101为衬底基板，102为触控驱动信号线，103为栅绝缘层(GI)，104为栅极驱动信号线，105为钝化层，其中，栅绝缘层103的厚度一般只有几千埃，使得交叠的触控驱动信号线102与栅极驱动信号线104之间产生的电容较大，信号耦合作用也非常强，当栅极驱动信号线104传输栅极驱动信号时，交叠区域的栅极驱动信号线104中的栅极驱动信号会部分耦合到触控驱动信号线102当中，导致触控驱动信号的噪声非常大，既影响了信噪比的提升，也产生了flicker(画面抖动)的现象。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置，以解决现有的位于阵列基板非显示区域的交叠的信号线之间的信号耦合作用强，导致信号线中传输的信号噪声大的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域内设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极，所述非显示区域中设置有第一信号走线和第二信号走线，所述第一信号走线与所述第二信号走线异层相交，所述第一信号走线与所述栅线同层同材料设置，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间具有所述栅极绝缘层和至少一抬高层。优选地，所述显示区域内还设置有触控驱动电极，所述第一信号走线为触控驱动信号线，与所述触控驱动电极连接，用于向所述触控驱动电极传输触控驱动信号。优选地，所述第二信号走线包括：与所述栅线连接的，用于向所述栅线传输栅极驱动信号的栅极驱动信号线。优选地，所述第二信号走线包括：与所述触控驱动电极连接的触控驱动信号线。优选地，所述显示区域内还设置有公共电极，所述公共电极所在层与所述数据线所在层之间具有一中间绝缘层，所述第二信号走线包括：断开的源漏金属段以及用于连接断开的源漏金属段的公共电极搭线，所述源漏金属段与所述数据线同层同材料设置，所述公共电极搭线与所述公共电极同层同材料设置，所述公共电极搭线位于所述第一信号走线和所述第二信号走线的交叠区域，所述公共电极搭线与位于所述交叠区域的第一信号走线之间具有所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层，所述中间绝缘层作为所述抬高层。优选地，所述显示区域内还设置有公共电极，述公共电极所在层与所述数据线所在层之间具有一中间绝缘层，所述第二信号走线与所述公共电极同层同材料设置，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间具有所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层，所述中间绝缘层作为所述抬高层。优选地，所述第二信号走线与所述数据线同层同材料设置，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间至少具有栅极绝缘层和一半导体抬高层，所述半导体抬高层与所述薄膜晶体管的有源层同层同材料设置，所述半岛层抬高层作为所述抬高层。优选地，所述第二信号走线包括：断开的源漏金属段以及用于连接断开的源漏金属段的像素电极搭线，所述源漏金属段与所述数据线同层同材料设置，所述像素电极搭线与所述像素电极同层同材料设置，所述像素电极搭线位于所述第一信号走线和所述第二信号走线的交叠区域，所述像素电极搭线与位于所述交叠区域的第一信号走线之间至少具有所述栅极绝缘层和钝化层，所述钝化层作为所述抬高层。优选地，所述第二信号走线与所述像素电极同层同材料设置，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间至少具有所述栅极绝缘层和钝化层，所述钝化层作为所述抬高层。本专利技术还提供一种内嵌式触摸面板，包括上述阵列基板。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述内嵌式触摸面板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：通过在位于阵列基板的非显示区域的两信号走线的交叠区域增加至少一抬高层，以改变处于交叠区域的两信号走线之间的间距，减小两者之间的电容，降低信号耦合作用，提升了信噪比，消除了具有该阵列基板的显示装置的画面抖动现象。附图说明图1为现有技术中的内嵌式触摸面板的阵列基板的结构示意图；图2为图1中的触控驱动信号线与栅极驱动信号线交叠区域的剖面示意图；图3为本专利技术实施例的阵列基板的正视图；图4为本专利技术实施例一的包含抬高层的阵列基板的剖视图；图5为本专利技术实施例二的包含抬高层的阵列基板的剖视图；图6为本专利技术实施例三的包含抬高层的阵列基板的剖视图；图7为本专利技术实施例四的包含抬高层的阵列基板的剖视图；图8为本专利技术实施例五的包含抬高层的阵列基板的剖视图。具体实施方式根据电容的计算公式C＝εs/d可知，两导线之间的电容的大小，由两者之间的交叠面积s以及两者之间的间距d决定。当交叠面积s固定时，可通过改变两者之间的间距d来改变两者之间的电容。因此，本专利技术实施例中，为减小位于阵列基板的非显示区域的两信号走线的交叠区域的电容，在两信号走线的交叠区域增加至少一抬高层，以改变处于交叠区域的两信号走线之间的间距，减小两者之间的电容，降低信号耦合作用，提升了信噪比，消除了具有该阵列基板的显示装置的画面抖动现象。下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域内设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极，所述非显示区域中设置有第一信号走线和第二信号走线，所述第一信号走线与所述第二信号走线异层相交，所述第一信号走线与所述栅线同层同材料设置，其中，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间具有所述栅极绝缘层和至少一抬高层。由于同处非显示区域，第一信号走线与第二信号走线之间，不可避免的会存在交叠区域，如果位于交叠区域的一信号走线与第二信号走线之间的距离较小，会使得两者之间产生较大的电容，信号耦合作用强，导致第一信号走线与第二信号走线中传输的信号噪声大。为解决该问题，本专利技术实施例中，在第一信号走线和第二信号走线之间增加至少一抬高层，从而增加位于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间的距离，减小两者之间的电容，降低信号耦合作用，提升了信噪比，消除了具有该阵列基板的显示装置的画面抖动现象。本专利技术实施例中，所述第一信号走线和所述第二信号走线是用于向显示区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域内设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极，所述非显示区域中设置有第一信号走线和第二信号走线，所述第一信号走线与所述第二信号走线异层相交，所述第一信号走线与所述栅线同层同材料设置，其特征在于，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间具有所述栅极绝缘层和至少一抬高层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域内设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极，所述非显示区域中设置有第一信号走线和第二信号走线，所述第一信号走线与所述第二信号走线异层相交，所述第一信号走线与所述栅线同层同材料设置，其特征在于，处于交叠区域的第一信号走线和第二信号走线之间具有所述栅极绝缘层和至少一抬高层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域内还设置有触控驱动电极，所述第一信号走线为触控驱动信号线，与所述触控驱动电极连接，用于向所述触控驱动电极传输触控驱动信号。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号走线包括：与所述栅线连接的，用于向所述栅线传输栅极驱动信号的栅极驱动信号线。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号走线包括：与所述触控驱动电极连接的触控驱动信号线。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域内还设置有公共电极，所述公共电极所在层与所述数据线所在层之间具有一中间绝缘层，所述第二信号走线包括：断开的源漏金属段以及用于连接断开的源漏金属段的公共电极搭线，所述源漏金属段与所述数据线同层同材料设置，所述公共电极搭线与所述公共电极同层同材料设置，所述公共电极搭线位于所述第一信号走线和所述第二信号走线的交叠区域，所述公共电极搭线与位于所述交叠区域的第一信号走线之间具有所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层，所述中间绝缘层作为所述抬高层。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：曲连杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11