双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构及薄膜晶体管制造技术

技术编号:13544741 阅读:27 留言:0更新日期:2016-08-18 09:48
本发明专利技术涉及一种双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构及薄膜晶体管,其中复合膜结构包括第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜和金属层,其中第一透明导电氧化物薄膜、金属层、第二透明导电氧化物薄膜从上到下依次设置,第一透明导电氧化物薄膜与金属层、第二透明导电氧化物薄膜与金属层紧贴。本发明专利技术提供的复合膜结构由第一氧化物透明导电薄膜、第二氧化物透明导电薄膜和金属层构成,由于引入了金属层,不仅能降低电阻率,而且能够利用层间的干涉和等离子激元作用形成减反射膜,减少光学损失,增加透光率,可以有效的解决目前透明导电氧化物薄膜表面反射率高的问题。

【技术实现步骤摘要】
201610289482

【技术保护点】
一种双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构,其特征在于:包括第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜和金属层,其中第一透明导电氧化物薄膜、金属层、第二透明导电氧化物薄膜从上到下依次设置,第一透明导电氧化物薄膜与金属层、第二透明导电氧化物薄膜与金属层紧贴。

【技术特征摘要】
1.一种双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构,其特征在于:包括第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜和金属层,其中第一透明导电氧化物薄膜、金属层、第二透明导电氧化物薄膜从上到下依次设置,第一透明导电氧化物薄膜与金属层、第二透明导电氧化物薄膜与金属层紧贴。2.根据权利要求1所述的双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构,其特征在于:所述第一透明导电氧化物薄膜的顶面上设置有一层氮化硅保护层,氮化硅保护层与第一透明导电氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员:王凯刘兴慧李惠敏
申请(专利权)人:广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院中山大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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