一种阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板及显示面板。该阵列基板，包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的多条沿第一方向延伸的扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线；所述数据线和所述扫描线限定出多个像素单元，每个所述像素单元内设置有对应的薄膜晶体管；以及形成在所述衬底基板上的至少四个半导体压力传感单元，所述半导体压力传感单元与所述薄膜晶体管的有源层同层，且至少部分位于所述阵列基板的显示区域；所述衬底基板上还形成有多条用于将所述半导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结构的连接导线。利用本发明专利技术提供的阵列基板可以克服现有技术中集成触控压力传感器时结构复杂的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及触控显示技术，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
目前，带有触控功能的显示面板作为一种信息输入工具被广泛应用于手机、平板电脑、公共场所大厅的信息查询机等各种显示产品中。这样，用户只需用手指触摸触控显示面板上的标识就能够实现对该电子设备的操作，消除了用户对其他输入设备(如键盘和鼠标等)的依赖，使人机交互更为简易。为了更好地满足用户需求，通常在触控显示面板中设置有用于检测用户触摸触控显示面板时触控压力大小的压力传感器，使其不仅能够采集触控位置信息，而且能够采集触控压力大小，以丰富触控显示技术的应用范围。现有技术中在集成触控压力传感器时，压力传感器只能贴合在背光模组的后面，为了补偿温度漂移，需要在触控基板的两侧均设置电极，同时在触控面板上设置穿孔，结构复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及显示面板，用于克服现有技术中集成触控压力传感器时结构复杂的缺陷。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的多条沿第一方向延伸的扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线；所述数据线和所述扫描线限定出多个像素单元，每个所述像素单元内设置有对应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层和源漏极层；以及形成在所述衬底基板上的至少四个半导体压力传感单元，所述半导体压力传感单元与所述有源层同层，且至少部分位于所述阵列基板的显示区域；所述衬底基板上还形成有多条连接导线，所述多条连接导线用于将所述半导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结构。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本专利技术实施例所提供的任意一种阵列基板，以及相对设置的对置基板。本专利技术实施例通过在衬底基板上设置多个半导体压力传感单元，其可以与薄膜晶体管的有源层同层设置，且该半导体压力传感单元至少部分位于所述基板的显示区域，并利用衬底基板上的多条连接导线将所述多个半导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结构，实现在衬底基板集成半导体压力传感单元及连接导线，能够解决现有技术中集成触控压力传感器时结构复杂的缺陷，使其更适合批量生产。附图说明图1a为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图1b为图1a中的阵列基板的局部放大图；图2为现有的一种惠斯通电桥的原理图；图3a为利用连接导线将四个半导体压力传感单元连接成惠斯通电桥的电路连接示意图；图3b为图3a中电路的等效电路图；图3c为将图3a中电路布设于阵列基板后的结构示意图；图4为图1b中阵列基板沿A1-A2的一种剖面图；图5a为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图5b为图5a中的阵列基板的局部放大图；图6为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；图7为图5b中阵列基板沿B1-B2的一种剖面图；图8为利用连接导线将图5a中的四个半导体压力传感单元连接成惠斯通电桥的电路结构并将该电路布设于阵列基板后的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1a为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图1b为图1a中的阵列基板中加粗的虚线区域的放大图。该阵列基板1，包括：衬底基板10；形成在衬底基板10上的多条沿第一方向100延伸的扫描线11和多条沿第二方向200延伸的数据线12；数据线12和扫描线11限定出多个像素单元13，每个像素单元13内设置有对应的薄膜晶体管14，薄膜晶体管14包括栅极层141、有源层142和源漏极层143；以及形成在衬底基板10上的至少四个半导体压力传感单元15(图1a中所提供的阵列基板1示例性地包括四个半导体压力传感单元15)，半导体压力传感单元15与有源层142同层，且至少部分位于阵列基板1的显示区域2；衬底基板10上还形成有多条连接导线16，多条连接导线16用于将半导体压力传感单元15连接成至少一个惠斯通电桥结构。上述技术方案相比于现有的阵列基板，结构简单，更适于批量生产。具体地，半导体压力传感单元15为沿第二方向200延伸的条状结构(如图1a和1b)，半导体压力传感单元15沿第二方向200的长度大于一个像素单元13沿第二方向200的长度。本专利技术实施例所提供的阵列基板1可用于制作液晶显示面板或有机发光二极管显示面板等。若利用本专利技术实施例所提供的阵列基板1制作液晶显示面板时，考虑到现有的液晶显示面板中，通常在与阵列基板1对置的彩膜基板侧设置有黑色矩阵，可选的，如图1a所示，半导体压力传感单元15在衬底基板10上的投影可以位于像素单元13间的黑矩阵遮光区内；或者是，当阵列基板1的像素单元13内存在畴线区域时，还可以将半导体压力传感单元15在衬底基板10上的投影位于像素单元13的畴线区域内。这样设置可以有效降低半导体压力传感单元15对液晶显示面板的显示效果的影响。图2是现有的一种惠斯通电桥的原理图。四个电阻R1、R2、R3、R4连成四边形ABCD，称为电桥的四个臂。四边形ABCD的一个对角线BD连有检流计G，称为“桥”；四边形ABCD的另一对角线AC连接电源E。电源E接通时，电桥线路中各支路均有电流通过。当四个电阻R1、R2、R3、R4的阻值满足时，B、D两点之间的电位相等，桥路中流过检流计G的电流为零，检流计G指针指示零刻度，这时称电桥处于平衡状态，并且称为电桥平衡条件。当四个电阻R1、R2、R3、R4的阻值不满足上述电桥平衡条件时，B、D两点之间的电位不相等，此时桥路中流过检流计G的电流不为0，检流计G的指针发生偏转(检流计G的指针不再指示零刻度)，可以利用检流计G的输出值计算得到四个电阻R1、R2、R3、R4的阻值关系。结合上述原理，利用多条连接导线16将半导体压力传感单元15电连接成至少一个惠斯通电桥结构时，可以将每一个半导体压力传感单元15作为惠斯通电桥的一个臂，利用连接导线16将四个臂连接成一个惠斯通电桥结构；也可以将串联在一起的两个或者多个半导体压力传感单元15作为惠斯通电桥的一个臂，利用连接导线16将四个臂连接成一个惠斯通电桥结构，此处不做限制。在具体设计时，可选的，每个惠斯通电桥在初始状态(未施加触控压力的状态)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的多条沿第一方向延伸的扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线；所述数据线和所述扫描线限定出多个像素单元，每个所述像素单元内设置有对应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层和源漏极层；以及形成在所述衬底基板上的至少四个半导体压力传感单元，所述半导体压力传感单元与所述有源层同层，且至少部分位于所述阵列基板的显示区域；所述衬底基板上还形成有多条连接导线，所述多条连接导线用于将所述半导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结构。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
形成在所述衬底基板上的多条沿第一方向延伸的扫描线和多条沿第二方向
延伸的数据线；
所述数据线和所述扫描线限定出多个像素单元，每个所述像素单元内设置
有对应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层和源漏极层；
以及形成在所述衬底基板上的至少四个半导体压力传感单元，所述半导体
压力传感单元与所述有源层同层，且至少部分位于所述阵列基板的显示区域；
所述衬底基板上还形成有多条连接导线，所述多条连接导线用于将所述半
导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述惠斯通电桥结
构包括第一半导体压力传感单元、第二半导体压力传感单元、第三半导体压力
传感单元和第四半导体压力传感单元，所述多条连接导线包括多条第一连接导
线、多条第二连接导线、多条第三连接导线和多条第四连接导线；
所述第一半导体压力传感单元的信号输入端和所述第三半导体压力传感单
元的信号输入端均与所述第一连接导线电连接，并均通过所述第一连接导线与
第一检测输入端电连接；
所述第二半导体压力传感单元的信号输入端和所述第四半导体压力传感单
元的信号输入端均与所述第二连接导线电连接，并均通过所述第二连接导线与
第二检测输入端电连接；
所述第一半导体压力传感单元的信号输出端和所述第二半导体压力传感单
元的信号输出端均与所述第三连接导线电连接，并均通过所述第三连接导线与

\t第一检测输出端电连接；
所述第三半导体压力传感单元的信号输出端和所述第四半导体压力传感单
元的信号输出端均与所述第四连接导线电连接，并均通过所述第四连接导线与
第二检测输出端电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体压力传感单
元为沿第一方向延伸的条状结构，所述半导体压力传感单元沿第一方向的长度
大于一个像素单元沿第一方向的长度；或者，所述半导体压力传感单元为沿第
二方向延伸的条状结构，所述半导体压力传感单元沿第二方向的长度大于一个
像素单元沿第二方向的长度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体压力传感单
元在所述衬底基板上的投影位于所述像素单元间的黑矩阵遮光区内。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢峰，刘亮，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31