静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，该静电释放组件具有主被动、对等双向流通、快速释放与中和ESD电流等特性。该静电释放组件包括设置在衬底基板上的半导体层、绝缘层、第一辅助电极、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置；其中，所述第一电极和所述第二电极与所述半导体层均接触；所述第一电极或所述第二电极与所述第一辅助电极接触；所述第一辅助电极、所述半导体层、以及所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层。用于释放与中和静电。

【技术实现步骤摘要】
静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
以TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)和AMOLED(Activematrixorganiclightemittingdiode，主动式有机发光二极管显示器)为例，二者均包括阵列基板，而阵列基板上均设置有大量的数据线和栅线。然而，在栅线和数据线的交叠部位，由于数据线和栅线上的电荷的释放经常会发生静电(Electro-Staticdischarge，简称ESD)击穿，使得数据线和栅线短路，从而导致显示不良。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板，该静电释放组件具有主被动、对等双向流通、快速释放与中和ESD电流等特性。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种静电释放组件，包括设置在衬底基板上的半导体层、绝缘层、第一辅助电极、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置；其中，所述第一电极和所述第二电极与所述半导体层均接触；所述第一电极或所述第二电极与所述第一辅助电极接触；所述第一辅助电极、所述半导体层、以及所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层。优选的，还包括与第一辅助电极相对且绝缘的第二辅助电极。优选的，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极分别包括锯齿状的尖端；和/或，所述第一电极和所述第二电极分别包括锯齿状的尖端。优选的，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极同层设置，且所述第一辅助电极和所述第二辅助电极的相对侧分别包括锯齿状的尖端；和/或，所述第一电极和所述第二电极同层设置，且所述第一电极和所述第二电极的相对侧分别包括锯齿状的尖端。进一步优选的，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极上的尖端相互错开；和/或，所述第一电极上的尖端与所述第二电极上的尖端相互错开；优选的，所述半导体层为多晶硅层；所述绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层设置在所述多晶硅层与所述第一辅助电极之间，所述第二子绝缘层设置在所述第一辅助电极与所述第一电极和所述第二电极之间。进一步优选的，上述静电释放组件还包括设置在所述衬底基板上的靠近所述半导体层一侧的遮光层和隔离层；所述遮光层在所述衬底基板上的投影完全覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的投影。第二方面，提供一种阵列基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区包括多个上述的静电释放组件。优选的，所述显示区包括栅线、数据线以及公共电极线；其中，所述栅线或所述数据线与所述静电释放组件中的第一电极相连；所述公共电极线与所述静电释放组件中的第二电极相连；或者，所述栅线与所述静电释放组件中的所述第一电极相连；所述数据线与所述静电释放组件中的所述第二电极相连。优选的，所述静电释放组件中的所述第一电极和所述第二电极与所述栅线同层设置；或者，所述静电释放组件中的所述第一电极和所述第二电极与所述数据线同层设置；或者，所述显示区还包括像素电极，或像素电极和公共电极，所述静电释放组件中的所述第一电极和所述第二电极与所述像素电极或所述公共电极同层设置。优选的，所述静电释放组件中的第一辅助电极和第二辅助电极与所述栅线或所述数据线同层设置。第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在显示区形成显示结构，在非显示区形成上述的静电释放组件；所述静电释放组件与所述显示结构同步形成。可选的，所述显示结构包括栅极、栅线、源极、漏极、数据线及像素电极；所述第一电极和所述第二电极与所述栅极、所述栅线通过同一次构图工艺形成；或者，所述第一电极和所述第二电极与所述源极、所述漏极及所述数据线通过同一次构图工艺形成；或者，所述第一电极和所述第二电极与所述像素电极通过同一次构图工艺形成。可选的，所述显示结构包括所述公共电极；所述第一电极和所述第二电极与所述公共电极通过同一次构图工艺形成。可选的，所述显示结构包括所述栅极、所述栅线、所述源极、所述漏极以及所述数据线；所述第一辅助电极和第二辅助电极与所述栅极、所述栅线通过同一次构图工艺形成；或者，所述第一辅助电极和第二辅助电极与所述源极、所述漏极、所述数据线通过同一次构图工艺形成。第四方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种静电释放组件、阵列基板及其方法、显示面板，由于第一电极和第二电极与半导体层均接触，因而当该静电释放组件用于静电释放时，第一电极、半导体层及第二电极便可形成一个导电通道。其中，由于半导体层的电阻随着电压的增加，电阻减小，因而该静电释放组件既可以进行被动静电释放，即，当静电电压较小时，静电释放组件可以对静电电压进行小电流释放与中和，又可以进行主动静电释放，即，随着静电电压的增大，静电释放组件对大电流进行释放与中和的能力增加。进一步地，由于第一辅助电极与第一电极和/或第二电极接触，因而当静电释放组件中经过的电流较大时，第一辅助电极还可以对大电流进行释放与中和，从而使得静电释放组件可以快速释放和中和静电。本专利技术实施例中的静电释放组件可以对不同电压的静电进行相应的释放与中和，因而，提高了静电释放组件的抗ESD的能力。在此基础上，静电电流可以依次通过第一电极、半导体层和第二电极进行释放与中和，当然也可以是，依次通过第二电极、半导体层和第一电极进行释放和中和，因而该静电释放组件还可以进行对等双向流通。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1(a)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件的结构示意图一；图1(b)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件的结构示意图二；图1(c)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件的结构示意图三；图1(d)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件的结构示意图四；图2(a)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件中第一辅助电极和第二辅助电极包括锯齿状的尖端的俯视结构示意图；图2(b)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件中第一电极和第二电极包括锯齿状的尖端的俯视结构示意图；图2(c)为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件中第一辅助电极、第二辅助电极、第一电极和第二电极均包括锯齿状的尖端的俯视结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件中第一辅助电极、第二辅助电极、第一电极和第二电极均包括部分锯齿状的尖端的俯视结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种静电释放组件的结构示意图五。附图标记：10-衬底基板；20-半导体层；201-多晶硅层；30-绝缘层；301-第一子绝缘层；302-第二子绝缘层；401-第一辅助电极；402-第二辅助电极；50-第一电极；60-第二电极；70-遮光层；80-隔离层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电释放组件，其特征在于，包括设置在衬底基板上的半导体层、绝缘层、第一辅助电极、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置；其中，所述第一电极和所述第二电极与所述半导体层均接触；所述第一电极或所述第二电极与所述第一辅助电极接触；所述第一辅助电极、所述半导体层、以及所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种静电释放组件，其特征在于，包括设置在衬底基板上的半导体层、绝缘层、第一辅助电极、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置；其中，所述第一电极和所述第二电极与所述半导体层均接触；所述第一电极或所述第二电极与所述第一辅助电极接触；所述第一辅助电极、所述半导体层、以及所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层；所述第一辅助电极设置在所述第一电极、所述第二电极与所述半导体层之间。2.根据权利要求1所述的静电释放组件，其特征在于，还包括与第一辅助电极相对且绝缘的第二辅助电极。3.根据权利要求2所述的静电释放组件，其特征在于，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极分别包括锯齿状的尖端；和/或，所述第一电极和所述第二电极分别包括锯齿状的尖端。4.根据权利要求2所述的静电释放组件，其特征在于，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极同层设置，且所述第一辅助电极和所述第二辅助电极的相对侧分别包括锯齿状的尖端；和/或，所述第一电极和所述第二电极同层设置，且所述第一电极和所述第二电极的相对侧分别包括锯齿状的尖端。5.根据权利要求3所述的静电释放组件，其特征在于，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极上的尖端相互错开；和/或，所述第一电极上的尖端与所述第二电极上的尖端相互错开。6.根据权利要求1所述的静电释放组件，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层；所述绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层设置在所述多晶硅层与所述第一辅助电极之间，所述第二子绝缘层设置在所述第一辅助电极与所述第一电极和所述第二电极之间。7.根据权利要求1所述的静电释放组件，其特征在于，还包括设置在所述衬底基板上的靠近所述半导体层一侧的遮光层和隔离层；所述遮光层在所述衬底基板上的投影完全覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的投影。8.一种阵列基板，包括显示区和非显示区，其特征在于，所述非显示区包括多个权利要求1-7任一项所述的静电释放组件。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振定，潘晓东，胡志明，南春香，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11