基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路制造技术

本发明专利技术提供的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括级联的多个GOA单元，每一级GOA单元均包括扫描控制模块、输出模块、下拉模块以及输出调节模块。引入了第九、第十、第十一、第十二薄膜晶体管组成的输出调节模块，无论是在正向扫描时还是反向扫描时，第四节点M(n)的电平随着第二时钟信号CK2在高、低电平之间跳变而发生同样的高、低电平跳变。相比于现有技术中输出端G(n)的高低电平主要是靠第二薄膜晶体管来实现，本发明专利技术提供的基于LTPS薄膜晶体管的GOA电路，在相同的时间内，一定程度上可以提高输出端G(n)的输出能力，提高面内Pixel的充电率，进而改善液晶面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其是涉及一种可以提升GOA电路输出点的输出能力的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路。
技术介绍
GOA(GateDriveronArray，集成在阵列基板上的行扫描)技术，是利用现有TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)阵列制程将Gate行扫描驱动电路制作在阵列基板上，实现对Gate逐行扫描的驱动方式的一项技术。GOA技术能减少外接IC(IntegratedCircuit，集成电路板)的焊接(bonding)工序，有机会提升产能并跳变产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。随着低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)半导体薄膜晶体管的发展，LTPS-TFT液晶显示器也越来越受关注，LTPS-TFT液晶显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点。而且由于LTPS半导体本身具有超高载流子迁移率的特性，可以采用GOA技术将栅极驱动器制作在薄膜晶体管阵列基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。参考图1，现有的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的示意图。所述的GOA电路包括级联的多个GOA单元，设n为正整数，第n级GOA单元包括：第一薄膜晶体管T1，其栅极电性连接于第一时钟信号CK1，源极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，漏极电性连接于第三节点H(n)；第二薄膜晶体管T2，其栅极电性连接于第一节点Q(n)，源极电性连接于第二时钟信号CK2，漏极电性连接于输出端G(n)；第三薄膜晶体管T3，其栅极电性连接于第三时钟信号CK3，漏极电性连接于第三节点H(n)，源极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)；第四薄膜晶体管T4，其栅极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于输出端G(n)，源极电性连接于恒压低电平VGL；第五薄膜晶体管T5，其栅极电性连接于恒压高电平VGH，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于第一节点Q(n)；第六薄膜晶体管T6，其栅极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于恒压低电平VGL；第七薄膜晶体管T7，其栅极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于第一节点Q(n)，源极电性连接于恒压低电平VGL；第八薄膜晶体管T8，其栅极电性连接于第二时钟信号CK2，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电平VGL；第一电容C1，其一端电性连接于第一节点Q(n)，另一端电性连接于输出端G(n)；第二电容C2，其一端电性连接于第二节点P(n)，另一端电性连接于第二时钟信号CK2。图1所示的GOA电路既可以正向扫描也可以反向扫描，正、反向扫描的工作过程类似。结合图1与图2，以正向扫描为例进行说明，其中，图2为图1所示现有的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的正向扫描时序图。在正向扫描时，其工作过程为：阶段1，预充电：G(n-1)与CK1同时提供高电平，T1导通，T5栅极接恒压高电平VGH因此T5一直处于导通的状态，第三节点H(n)被预充电至高电平，T6导通；第三节点H(n)与第一节点Q(n)的电平始终相同，第一节点Q(n)被预充电至高电平，第二节点P(n)被拉低，T4、T7截止。阶段2，输出端G(n)输出高电平：G(n-1)与CK1跳变为低电平，CK2提供高电平；第一节点Q(n)因第一电容C1的存储作用保持高电平，T2导通，CK2的高电平输出到输出端G(n)，从而输出端G(n)输出高电平，并使得第一节点Q(n)被抬升至更高的电平。阶段3，输出端G(n)输出低电平：CK3与G(n+1)同时提供高电平，第一节点Q(n)被保持在高电平；CK2跳变为低电平，CK2的低电平输出到输出端G(n)，从而输出端G(n)输出低电平。阶段4，第一节点Q(n)拉低到恒压低电平VGL：CK1再次提供高电平，G(n-1)保持低电平，T1导通拉低第一节点Q(n)至恒压低电平VGL，T6截止。阶段5，第一节点Q(n)及输出端G(n)低电平维持阶段：CK2跳变为高电平，由于第二电容C2的自举作用，第二节点P(n)被充电至高电平，T4、T7导通，可以保持第一节点Q(n)及输出端G(n)的低电平。在上述现有的GOA电路中，输出端G(n)的高低电平主要是靠薄膜晶体管T2来实现。即当第一节点Q(n)被预充电以后，时钟信号CK2为高时，通过薄膜晶体管T2将输出端G(n)拉高；时钟信号CK2为低时，通过薄膜晶体管T2将输出端G(n)拉低。而在一定的时间内，薄膜晶体管T2对应的充电能力有限，尤其当在图像中每英寸所表达的像素数目(PixelPerInch，PPI)越高时，充电时间急剧缩短，输出端G(n)可能无法达到预先要求的电位，或者对应的RCDelay(RC延迟)时间过长，这两种情况都会影响到面内像素(Pixel)的充电结果，进而影响液晶面板的显示效果。因此，亟需提供一种新的GOA电路，以提升GOA电路输出点的输出能力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，与现有的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路相比，在相同的时间内可以提高输出点G(n)的输出能力，提高面内像素的充电率，提高负载能力，进而改善液晶面板的显示效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括：级联的多个GOA单元，每一级GOA单元均包括扫描控制模块、输出模块、下拉模块以及输出调节模块；设n为正整数，除第一级与最后一级GOA单元以外，在第n级GOA单元中：所述扫描控制模块包括：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及第五薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一时钟信号，源极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，漏极电性连接于第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第三时钟信号，源极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，漏极电性连接于所述第三节点；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于恒压高电平，源极电性连接于所述第三节点，漏极电性连接于第一节点；所述输出模块包括：第二薄膜晶体管以及第一自举电容；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第一节点，源极电性连接于第二时钟信号，漏极电性连接于输出端G(n)；所述第一自举电容的一端电性连接于所述第一节点，另一端电性连接于所述输出端G(n)；所述下拉模块包括：第四薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管以及第二自举电容；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于恒压低电平，漏极电性连接于所述输出端G(n)；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第三节点，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第二节点；所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第二节点，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第一节点；所述第八薄膜晶体管的栅极电性连接于第四时钟信号，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述输出端G(n)；所述第二自举本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括：级联的多个GOA单元，每一级GOA单元均包括扫描控制模块、输出模块、下拉模块以及输出调节模块；设n为正整数，除第一级与最后一级GOA单元以外，在第n级GOA单元中：所述扫描控制模块包括：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及第五薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一时钟信号，源极电性连接于上一级第n‑1级GOA单元的输出端G(n‑1)，漏极电性连接于第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第三时钟信号，源极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，漏极电性连接于所述第三节点；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于恒压高电平，源极电性连接于所述第三节点，漏极电性连接于第一节点；所述输出模块包括：第二薄膜晶体管以及第一自举电容；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第一节点，源极电性连接于第二时钟信号，漏极电性连接于输出端G(n)；所述第一自举电容的一端电性连接于所述第一节点，另一端电性连接于所述输出端G(n)；所述下拉模块包括：第四薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管以及第二自举电容；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于恒压低电平，漏极电性连接于所述输出端G(n)；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第三节点，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第二节点；所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第二节点，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第一节点；所述第八薄膜晶体管的栅极电性连接于第四时钟信号，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述输出端G(n)；所述第二自举电容的一端电性连接于所述第二节点，另一端电性连接于所述第二时钟信号；以及所述输出调节模块包括：第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管以及第十二薄膜晶体管；所述第九薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第二时钟信号，源极电性连接于所述恒压高电平，漏极电性连接于第四节点；所述第十薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第一节点，源极电性连接于所述第四节点，漏极电性连接于所述输出端G(n)；所述第十一薄膜晶体管的栅极电性连接于所述输出端G(n‑1)，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第四节点；所述第十二薄膜晶体管的栅极电性连接于所述输出端G(n+1)，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第四节点。...

【技术特征摘要】
1.一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括：级联的多个GOA单元，每一级GOA单元均包括扫描控制模块、输出模块、下拉模块以及输出调节模块；设n为正整数，除第一级与最后一级GOA单元以外，在第n级GOA单元中：所述扫描控制模块包括：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及第五薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一时钟信号，源极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，漏极电性连接于第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第三时钟信号，源极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，漏极电性连接于所述第三节点；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于恒压高电平，源极电性连接于所述第三节点，漏极电性连接于第一节点；所述输出模块包括：第二薄膜晶体管以及第一自举电容；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第一节点，源极电性连接于第二时钟信号，漏极电性连接于第n级GOA单元的输出端G(n)；所述第一自举电容的一端电性连接于所述第一节点，另一端电性连接于所述第n级GOA单元的输出端G(n)；所述下拉模块包括：第四薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管以及第二自举电容；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于恒压低电平，漏极电性连接于所述输出端G(n)；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第三节点，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第二节点；所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于所述第二节点，源极电性连接于所述恒压低电平，漏极电性连接于所述第一节...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚锋，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42