一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用技术

本发明专利技术提供了一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用。所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50‑80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO3薄膜，其中，所述退火温度为150‑350℃，时间为15‑30min。

【技术实现步骤摘要】
一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用
本专利技术属于平板显示
，尤其涉及一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用。
技术介绍
近年来，由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注，成为目前新型LED研究的主要方向。现有的QLED通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。其中，空穴注入层作为功能层，能够降低空穴的注入势垒，从而提高载流子迁移效率。PEDOT:PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸)是一种聚合物材料，由于兼具高透光率、高功函数、平整的形貌和良好的导电性等优点，被广泛用作QLED的空穴注入层材料。采用PEDOT:PSS修饰ITO，可以提高其功函数和膜的平整度。然而，大量研究数据表明，PEDT:PSS具有酸性和易吸水的特性，因此，以PEDOT:PSS作为空穴注入层材料，会对ITO产生腐蚀，进而对QLED器件的稳定性产生不利影响。为了解决此问题，有研究者使用金属氧化物来替代PEDOT:PSS，比如V2O5、W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50‑80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO3薄膜，其中，所述退火温度为150‑350℃，时间为15‑30min。

【技术特征摘要】
1.一种QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层为In掺杂MoO3薄膜，所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50-80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO3薄膜，其中，所述退火温度为150-350℃，时间为15-30min。2.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法中，所述铟盐为In(NO3)3·H2O、InCl3·4H2O中的至少一种；和/或所述无机酸为盐酸、硝酸中的一种；和/或所述有机溶剂为二甲氧基乙醇。3.如权利要求1所述QLED，其特征在于，所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法中，所述混合溶液中，所述MoO3的质量百分浓度为0.02-5％。4.如权利要求3所述的QLED，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，曹蔚然，杨一行，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44