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本发明提供了一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用。所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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