【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：一，等离子体辉光处理：将基材放入PVD真空设备中，进行抽真空，当真空度达到10‑2Pa时，对基材实施等离子辉光处理，离子源电流0.5‑0.8A，氩气流速100‑200SCCM，时间为2‑5min；二，中频磁控溅射透明氧化硅膜：中频电源功率300‑1000W，负偏压100‑200V，氩气流速30‑80SCCM，氧气流速50‑100SCCM，溅射时间为4‑7min，溅射靶材为纯硅靶；三，真空蒸镀氟硅烷疏水膜：采用真空蒸镀技术，在溅射二氧化硅膜过程的第三分钟开始进行蒸发氟硅烷：预热清洗氟硅烷镀材10‑30秒，电压2‑3V；预蒸发20‑50秒，电压3‑4V；蒸发100‑200秒，电压4‑6V，在二氧化硅膜层表面沉积一层氟硅烷，并与二氧化硅形成硅烷交联反应，得到透明的氟硅烷疏水膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄贤明，张先超，孙昇凌，李明仁，
申请(专利权)人：厦门建霖工业有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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