多铁/压电复合结构及其存储器件、制备方法技术

公开了一种多铁/压电复合结构，包括：基片；位于所述基片上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于所述底电极层上的压电层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层；其中，多铁薄膜层与相邻的压电层彼此接触且一起形成三明治结构。本发明专利技术提供的多铁/压电复合结构利用压电层与低温多铁材料形成的多铁薄膜层的相似结构形成界面效应与交换耦合，进而导致在低温环境如南极、太空探索等环境下多铁薄膜的性能提高，大大提高了多铁材料诸如YMnO3在铁电存储方面的应用，从而满足人们在低温环境下对硬盘快速写入读出，计算机非易失性存储，及器件小型化多功能化的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多铁性材料、物理与器件
，更具体地，涉及用于低温环境下的多铁/压电复合结构及其存储器件、制备方法。
技术介绍
铁电存储器是近10余年研究出的一种体积小、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用背景。随着IT技术的不断发展，对于非易失性存储器的需求越来越大，读写速度要求越来越快，功耗要求越来越小。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型问搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。同传统的非易失性存储器相比，铁电存储器具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强等优点，对于满足未来存储器件的实际需求具有重要的意义。多铁性材料(mutliferroics)指同时具有铁电性、铁磁性和铁弹性中两者或两者以上性能的新型多功能材料，具有铁磁性和铁电性以及两种性所产生的磁电耦合效应，提供了同时利用电极化和磁化来编码储存信息的可能性，从而可以制备出磁记录读取速度快、铁电记录写入快的超<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多铁/压电复合结构，包括：基片；位于所述基片上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于所述底电极层上的压电层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层；其中，多铁薄膜层与相邻的压电层彼此接触且一起形成三明治结构。

【技术特征摘要】
1.一种多铁/压电复合结构，包括：
基片；
位于所述基片上由导电氧化物形成的底电极层；以及
位于所述底电极层上的压电层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层；
其中，多铁薄膜层与相邻的压电层彼此接触且一起形成三明治结构。
2.根据权利要求1所述的多铁/压电复合结构，其中，所述基片包
括硅基片、二氧化硅基片、ITO基片、STO基片以及LAO基片中的一
种。
3.根据权利要求1所述的多铁/压电复合结构，其中，所述底电极
层的厚度是50-300nm。
4.根据权利要求1所述的多铁/压电复合结构，其中，所述压电层
的厚度与所述多铁薄膜层的厚度之比为0.75-1.25。
5.根据权利要求5所述的多铁/压电复合结构，其中，所述压电层
的厚度为50-300nm。
6.根据权利要求5所述的多铁/压电复合结构，其中，所述多铁薄
膜层的厚度为50-300nm。
7.一种存储器件，包括：
如权利要求1-7所述的多铁/压电复合结构；以及
位于所述多铁/压电复合结构的中间叠层上的顶电极层。
8.一种多铁/压电复合结构的制备方法，包括：
步骤一、利用旋涂法在基片上涂覆导电氧化物溶胶，经热处理后形
成底电极层；
步骤二、利用旋涂法在所述底电极层上涂覆压电溶胶，经热处理后
形成压电层；
步骤三、利用旋涂法所述压电层上涂覆多铁溶胶，经热处理后形成
多铁薄膜层；
步骤四、利用旋涂法在所述多铁薄膜层上涂覆压电溶胶，经热处理
后...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶建国，叶钊赫，苗君，邵飞，
申请(专利权)人：唐山市盛泰建筑安装有限公司，苗君，
类型：发明
国别省市：河北;13